【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で３〜１５波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では製造の困難であった機能材料も製造することの可能な機能材料の製造方法で用いられる高重力場発生装置用ロータを提供する。
【解決手段】高重力場発生装置用ロータは、一の軸と直交する面内においてその軸を中心として点対称の形状となっている。高重力場発生装置用ロータは、その軸との関係で平行または所定の角度だけ傾いた平坦面を複数有する側面によって囲まれた内部空間を有している。 （もっと読む）

【課題】室温より低い温度域において高いゼーベック係数を有する材料を提供すること。
【解決手段】ホウ素をドープしたルチル型酸化チタンを含む熱電変換材料である。特に、３００Ｋ以下の温度域におけるゼーベック係数が５００μＶ／Ｋ以上である、ホウ素をドープしたルチル型酸化チタンである。これらの熱電変換素子材料は、たとえば、チタニアと酸化ホウ素の粉末をプラズマ焼結させることによりドープできる。 （もっと読む）

【課題】金属または半金属のドープ量が調整可能であって、機能性材料としての性質を発現するチタン酸ストロンチウム結晶を安価に提供すること。
【解決手段】 原子番号７９以下の金属元素または半金属元素（ただし、Ｎｂ，Ｉｎ，ランタノイドを除く）をドープしたチタン酸ストロンチウム結晶である。これは、気化または昇華させた金属元素または半金属元素を８００℃〜１３００℃の温度の真空雰囲気下にてチタン酸ストロンチウム結晶に付着ないし拡散させることにより得ることができる。 （もっと読む）

本発明は半導体材料のドーピング方法に関する。基本的には、該方法は一定量の粒状半導体材料とイオン性塩またはイオン性塩の調製物を混合することを含む。好ましくは、粒状半導体材料は1 nm ないし100 μmの範囲のサイズを有する粒子を含む。特に好ましくは、粒子サイズは50 nmないし500 nmの範囲である。好ましい半導体材料は真性および金属級シリコンである。本発明はバインダーおよび溶媒と同様、ドープした半導体材料を含む印刷可能組成物にまで及ぶ。本発明はさらに、pおよびn型特性を有する印刷可能組成物層から形成される半導体デバイスに及ぶ。
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【課題】水熱合成法においては、水晶結晶内への物質を取り込みたい場合、複数種の物質が取り込まれてしまい、特性強化に必要とする物質以外は、そのほとんどが人工水晶結晶の特性悪化の原因物質となってしまうため、人工水晶体から形成した水晶板を使用した電子部品や電子機器の特性や品質の低下を招く恐れがある。
【解決手段】人工水晶体の表面にアルカリ金属を含有した第１の電極膜と第２の電極膜を蒸着する工程と、第１の電極膜と第２の電極間に電界を印加して、第１の電極膜のアルカリ金属をイオン化し、このイオン化したアルカリ金属を人工水晶体内にドープする工程と、人工水晶体表面より第１の電極膜及び第２の電極膜を除去する工程とを具備する人工水晶体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 水晶基板をキューリー点を超える高温から冷却する場合であっても、結晶の転移に起因するクラックや破損が生じさせないようにするめの水晶基板の処理方法を提供する。
【解決手段】 予め表面に金属アルミニウム膜を形成した水晶基板を８６７℃以上に加熱し、β水晶に転移させて結晶内に空隙を生じさせたあと、電圧を印加させて上記空隙にアルミニウムをドーピングすることにより、空隙を保持した状態でβ水晶のまま冷却することが可能となり、転移にともなう熱歪みが解消される。 （もっと読む）