国際特許分類[C30B31/04]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質への拡散またはドーブ工程;そのための装置 (41) | 液相状態の拡散物質と接触させるもの (4)
国際特許分類[C30B31/04]に分類される特許
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弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法
【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で3〜15波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。
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カーボンで飽和された液体金属を用いてダイヤモンドを処理する方法および装置
ダイヤモンドを処理する方法であって、その方法は、(i)黒鉛析出に関してカーボンで飽和されている液体金属を供給すること、(ii)液体金属がダイヤモンド析出に関してカーボンで飽和されるように、液体金属の温度を降下させること、(iii)ダイヤモンドを液体金属に浸漬すること、および(iv)金属からダイヤモンドを取り出すことを含む。
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部分的に又は完全に半絶縁性の又はp型ドーピングされたZnO基板を製造する方法、得られた基板、及び、それを備える電子装置、光電子装置または電気光学装置
【課題】n型ドーピングされたZnO基板から、少なくとも部分的に半絶縁性又はp型ドーピングされたZnO基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】n型ドーピングされたZnO基板から、部分的に又は完全に半絶縁性又はp型ドーピングされたZnO基板を製造する方法であって、n型ドーピングされたZnO基板が、無水溶融硝酸ナトリウム、硝酸リチウム、硝酸カリウム及び硝酸リビジウムから選択される無水溶融塩と接触させられる方法。部分的に又は完全に半絶縁性又はp型ドーピングされたZnO基板であって、基板が、特に薄層、薄膜の形態またはナノワイヤーの形態であり、基板が、Na、Li、K及びRbから選択される元素、N及びOが同時にドーピングされ、それは、さらにZnOまたはGaNにおいてこの基板上におけるエピタキシャル成長を可能にし得る。この基板を備える発光ダイオード(LED)などの電子装置、光電子装置または電気光学装置。
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有機無機ハイブリッド薄膜及びその製造方法
【課題】シリコン基板上に製膜した、酸化モリブデン(MoO3)を主成分とする導電性の有機無機ハイブリッド薄膜、該薄膜を製造する方法、及びその導電性有機無機ハイブリッド薄膜を利用したセンサ部材等を提供する。
【解決手段】金属酸化物単結晶に比べて安価なシリコン基板上に、適切な金属酸化物のバッファー層を介在させて、有機無機ハイブリッド薄膜を形成したことを特徴とする、電気伝導性有機無機ハイブリッド薄膜、その製造方法、該方法により作製された電気伝導性有機無機ハイブリッド薄膜をセンサ素子として用いた、VOCガス等に対して高感度に応答する化学センサ部材。
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