国際特許分類［C30B31/06］の内容
化学；冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長；そのための装置 (9,714) | 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質への拡散またはドーブ工程；そのための装置 (41) | ガス状態の拡散物質と接触させるもの (7)
国際特許分類［C30B31/06］の下位に属する分類
拡散物質が被拡散元素の化合物であるもの (1)
反応室；そのための材料の選択
反応室の加熱 (1)
基板保持体またはサセプタ (1)
ガスの供給および排出手段；ガス流の調節 (1)
制御または調整 (1)
国際特許分類［C30B31/06］に分類される特許
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「光損傷」に対する結晶の耐性の向上
本発明は非線形光学特性を有する結晶、特にニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを屈折率の光誘起変化に起因する強い露光の損傷作用（光損傷）に対して減感する方法に関する。光線により誘発される屈折率の変更によって同種類の損傷が誘発される。外在的なイオンによって結晶の暗伝導性が高められる。 （もっと読む）
単結晶エミッタを形成する方法
選択的エピタキシャル成長モードと傾斜エピタキシャル成長モードとの組み合わせを用いた単結晶エミッタの形成。対向するシリコン酸化物の側壁（１２）を有するシリコン基板（１６）上にトレンチ（１４）を設ける工程と、トレンチ内部のシリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層（１８）を選択的に成長させる工程と、シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、トレンチ上方にシリコン層（２０）を非選択的に成長させる工程とを含む。 
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