【課題】ＳｉＣ半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０上にＳｉＣエピタキシャル層１６を形成し、該エピタキシャル層１６にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記ＳｉＣ基板１０よりも欠陥密度の高いゲッタリング層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンドに水素イオンやヘリウムイオンをイオン注入したナノダイヤモンドに比べて所定波長範囲内の波長の励起光に対して所定波長範囲内の波長の蛍光の光強度を大きくする。
【解決手段】ナノダイヤモンドに所定の元素がイオン注入されて形成され、波長範囲７００〜９００ｎｍ内の波長の励起光により励起されたときに、波長範囲７００〜１４００ｎｍ内の波長の蛍光を発することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化シリコン層からなる半導体基板を製造する技術に関し、特にシリコン基板の表層部がさらに応力緩和炭化シリコン層を有する半導体基板を製造する技術を提供する。
【解決手段】下記のステップ：（１）シリコン半導体基板を用意し（２）シリコン基板内に炭素イオンを注入してケイ素と炭素の混在した炭素含有層を形成するステップと（３）基板を熱処理して炭素含有層を応力緩和炭化シリコン膜層と酸化膜キャップを形成するステップと（４）酸化膜キャップを除去するステップと（５）第２の酸化膜キャップを形成するステップと（６）応力緩和炭化シリコン膜層と第２の酸化膜キャップとの間のシリコン層に炭素イオンを注入して、ケイ素と炭素の混在した炭素含有層を形成するステップと（７）基板を熱処理して炭素含有層を結晶成長炭化ケイ素膜層とするステップと（８）基板の表面に形成された酸化膜キャップを除去するステップを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なｐ型ＳｉＣ半導体を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶中に不純物としてＡｌとＴｉを含み、原子比でＴｉ濃度≦Ａｌ濃度であるｐ型ＳｉＣ半導体。Ａｌ濃度≧５×１０^１８／ｃｍ^３であり、かつ、０．０１％≦〔Ｔｉ濃度／Ａｌ濃度〕≦２０％であることが望ましい。Ａｌ濃度≧５×１０^１８／ｃｍ^３であり、かつ、１×１０^１７／ｃｍ^３≦〔Ｔｉ濃度〕≦１×１０^１８／ｃｍ^３であることが更に望ましい。 （もっと読む）

【課題】光加熱式のアニール炉の低コスト化および光加熱源の長寿命化が図れ、ウェーハ表面のボイド欠陥を消滅させ、ウェーハの表面粗さを小さく可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ表層にイオン注入して形成されたアモルファスシリコン領域部が、単結晶シリコンに比べて吸光係数が高いので、シリコンウェーハより低い加熱温度で、アモルファスシリコン領域部のみを溶融できる。その結果、仮にウェーハ表面にボイド欠陥が存在しても、ウェーハより低温でボイド欠陥を消滅させ、その表面粗さを小さくできる。しかも、従来より低出力の光加熱式のアニール炉でこれらの効果が得られ、アニール炉の低コスト化および光加熱源の長寿命化が図れる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハにおいて、エピタキシャル層にエピ欠陥が形成されることがなく、かつエピタキシャル層下部近傍に強力なゲッタリング能力を備えたエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハであって、前記シリコン単結晶基板は、シリコン単結晶育成時に炭素がドープされたものであり、かつその表面から１．２μｍより深い領域に炭素イオンが注入され炭素イオン注入層が形成されたものであり、該炭素イオン注入層が形成された前記シリコン単結晶基板の表面に前記エピタキシャル層が形成されたものであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

本発明は、金属材料を気化させた後、電子ビームまたは高周波を加えてプラズマ状態にした後、そこから金属イオンを抽出して加速してサファイア表面に注入させる工程（工程１）及び前記工程１のイオンが注入されたサファイアを酸素が豊富な気体雰囲気または空気中で熱処理する工程（工程２）を含む工程を数回反復して行なって発色調節されたサファイアを製造する方法に関するものである。
本発明の発色調節されたサファイアの製造方法は、サファイアに光学的バンドギャップ変化を誘発することができるイオンを注入することで、多様な発色をするサファイアを製造することができ、酸素雰囲気で熱処理を行なうことで照射損傷がなく、均一に発色調節されたサファイアを製造することができる。また、前記の過程を反復することで、照射損傷がなく、高濃度かつ均一な発色が可能なサファイアを製造することができる。
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【課題】厚膜材料製造中における温度制御の方法および装置を提供する。
【解決手段】温度制御装置１００は、注入され続いて劈開されるバルク材料１１０を支持する平面１２２を有するステージ１２０を備え、バルク材料は表面領域１１２、側部領域１１７、および底部領域１１８を有する。装置はさらに、バルク材料とステージの界面領域を通じて熱エネルギーの移動をするためにバルク材料が平面と接触する一方で表面領域が露出されるよう構成された機械的クランプ装置１３０と、表面領域の温度値を測定し、入力データを生成するセンサ装置１５０と、バルク材料の表面領域の一つまたは複数の部分に複数の粒子を注入する注入装置と、少なくともステージの平面とバルク材料の底部領域の間の界面領域を通じて表面領域の温度値を上昇および／または下降させるよう入力データを受信し、処理する制御装置１６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした単結晶シリコン太陽電池を、シースルー型太陽電池として提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する工程と、透明絶縁性基板に集電電極パターンを形成する工程と、前記集電電極パターンを埋め込むように透明樹脂層を形成する工程と、前記集電電極パターンを露出させ、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記透明樹脂層の表面とを、前記集電電極パターンが前記単結晶シリコン基板と接触するようにして密着させる工程と、前記透明樹脂層を硬化させて両基板を貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にｐｎ接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】カット面を着色したダイヤモンド粒子の製造方法、およびカット面に文様を描画したダイヤモンド粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】着色しようとするダイヤモンド粒子１２のカット面に、常温〜約２００℃の温度範囲、１０^−３〜１０^−４Ｐａの真空雰囲気下、イオン加速器によって、加速エネルギーを１〜５ＭｅＶの範囲、イオンの照射量を1×１０^１２〜１×１０^１５ｉｏｎｓ／ｃｍ^２の範囲の高エネルギーイオン１３を照射することを特徴とする。また、カット面に文字またはマークなどの形に加工し穴を穿孔したマスクまたはフォトレジストによるマスクによって被覆した後に、高エネルギーイオン１３を照射する。 （もっと読む）