【課題】切断用ワイヤの断線を防いだ上で、１つの原石からより多くのウエハを取り出すこと。
【解決手段】端面が基準面３１とされた切断用ベース３０上に、基準面３１と原石１０の端面１２とのなす角度が指定した切断角度θとなるように原石１０を接着する接着工程と、切断用ベース３０上に接着された原石１０を間に挟むように、該原石１０の両端面１２に、平板状のカバーガラス４６を貼付するカバー工程と、基準面３１と平行に原石１０を複数のワイヤ２１で切断して、複数枚のウエハに分割する切断工程とを有するウエハの作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド本体に影響を与えることなく線状あるいは面状に加工切断可能なダイヤモンドの加工方法および装置を提供する。
【解決手段】 ＬＤ励起近赤外線レーザ１１からのレーザ光２１を高調波変換器１２により高調波変換して波長２６６ｎｍの波長変換レーザ光２２を得、この波長２６６ｎｍの波長変換レーザ光２２をガルバノスキャナ１４で走査レーザ光２３に変換し、円形ｆθレンズ１３で収束して収束レーザ光２４として集光する。収束レーザ光２４はダイヤモンド１５に入射され、ダイヤモンド１５に含有されている固溶窒素に吸収されて、ダイヤモンド１５はアブレーションや蒸発によって熱エネルギー加工される。 （もっと読む）

【課題】不純物の含有量を大幅に低減した球状に近似した形状の単結晶シリコン粒子を、多数個を一括的に製造できる単結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン粒子３の製造方法は、不純物が偏析した突起部１２を有するとともに表面に酸窒化膜１１が形成された単結晶シリコン粒子３の突起部１２を、単結晶シリコン粒子３の表面を実質的に加工変質させずに研磨加工によって除去する。研磨加工はバレル研磨加工により行なう。 （もっと読む）

【課題】面積が広く反りが少なく自立できるＧａＮ単結晶基板、ＧａＮ単結晶基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】２０ｍｍ以上の直径と０．０７ｍｍ以上の厚さを有し、自立しており、研磨された基板表面の法線と、研磨された基板表面と平行度が最も高い低面指数の結晶面の法線とのなす角度が基板内で３度以下であり、少なくとも１面が研磨されており、結晶に含まれる炭素の含有量が分析のバックグラウンドレベルであるＧａＮ単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に沿って形成された主面及び側面が夫々Ｚ面及びＸ面をなす板状または棒状の種子水晶から水熱合成法により育成したアズグロン人工水晶の製造後の後工程であるランバード加工を容易に行うことができるアズグロン人工水晶を提供する。
【解決手段】種子水晶２のＹ軸方向の端部にて２つのＺ面及び２つのＸ面のうちの少なくとも１つの面に密着して当該面をオートクレーブ内の育成溶液の対流から遮蔽するための遮蔽面３１Ａを形成する本体３（３Ａ），３（３Ｂ）と、この遮蔽面３１Ａに向かってその復元力が作用する弾性体３３と、を備え、遮蔽面３１Ａと弾性体３３との間に弾性体３３の復元力に抗して種子水晶２の端部を位置させることにより、遮蔽面３１Ａを端部に密着させる治具３Ａ，３Ｂを用いて育成する。弾性体３３を利用することで確実に遮蔽面３１Ａ，３２Ａと種子水晶２を密着させることができ、種子水晶２の破損も抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】人工水晶をウェハ状に切断する時の切断角度を正確に求めることができる人工水晶の加工方法、この方法により製造された人工水晶及びこの方法を行うための人工水晶加工用の冶具を提供する。
【解決手段】人工水晶３の表面のＺ面が基準面となるように当該Ｚ面を研磨して、この人工水晶３の長さ方向であるＹ方向の端部に形成されたｒ面４が上を向き、且つこのｒ面４が水平となるように、Ｚ面の支持面の傾斜角度が設定された冶具を用いて、研磨したＺ面がこの冶具の傾斜面に沿うように人工水晶３を固定して、当該人工水晶の上面が水平となるように研磨する。 （もっと読む）

【課題】切断テーブルの隙間部分の段差に影響を受けず、インゴットの切り終わり部分の欠けを防止することで、前記切断テーブルの調整のためのメンテナンスをなくし、製品歩留りを向上させることができるインゴット切断装置およびそれを用いた切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】インゴット切断装置において、少なくとも、前記インゴットを前記ブレードで切断する位置にて前記インゴットの切り終わり部分を下方から支持するためのインゴット支えパッドと、前記インゴット支えパッドを下方から上昇させて前記インゴットに密着させるためのパッド上昇機構とを有するものであることを特徴とするインゴット切断装置。 （もっと読む）

【課題】より多くの窒化物半導体素子を提供できるＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】気相成長法によって成長された窒化ガリウム単結晶のインゴット１を所定の平面Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って切断して一または複数の単結晶窒化ガリウム基板７を作製する。単結晶窒化ガリウム基板７の主面は鏡面仕上げされており、窒化ガリウム基板７の主面は、窒化ガリウム基板７のエッジから３ミリメートル以内の第１の領域と、第１の領域に囲まれた第２の領域とを有する。基板１の主面に直交する軸と窒化ガリウム基板のＣ軸との成すオフ角度は、第１の領域内の第１の点で最小値をとる。窒化ガリウム基板７の主面に直交する軸と窒化ガリウム基板７のＣ軸との成すオフ角度は、主面の第２の領域にわたってゼロより大きい。 （もっと読む）

【課題】従来のアイデアル・カット・ダイヤモンドの明るさと輝きを、その大きさ(直径)は保持したまま、さらに明るく輝くダイヤモンドおよびダイヤモンド形状の宝飾品およびそのカット方法を提供する。
【解決手段】ガードル２と、ガードル２の上部にテーブル５を備えたクラウン３が形成され、ガードル２の下部にパビリオン４を形成するダイヤモンド１やダイヤモンド形状の宝飾品であって、キューレット角は９８．５度、パビリオン角は４０．７５度、上部クラウンの角度は、これはガードル２近辺のダイヤモンド１のチップ（割れ）に対する強度等も考慮して、１９．００度から２７．００度の間、とする。 （もっと読む）

【課題】高濃度の不純物を含む尖頭部がないことから、光電変換効率が高く、高性能の光電変換装置に用いるのに適し、また、多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に効率的に配置して均一の接合力や接合深さで接合することができることから、高信頼性の光電変換装置に用いるのに適した結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して固化させることによって、不純物が偏析した尖頭部１０５を有する擬似単結晶化された結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の尖頭部１０５を除去する。 （もっと読む）