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国際特許分類[C30B33/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理 (621)

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【課題】歩留まりを低下させることなくウェーハの全数検査をすることが可能であり、且つ、ウェーハの平坦度に影響を及ぼすことなくウェーハ主面の傾斜方位を把握・管理することが可能である、シリコンウェーハの主面の傾斜方位の検出方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの主面に対し、ウェーハ中心位置を軸中心として該エピタキシャルウェーハを回転させながら、レーザー光が斜入射する条件でレーザー光を照射し、ウェーハ表面で散乱した光を捉える暗視野ウェーハ表面検査装置でHaze Mapを作成し、Haze Mapにおけるエピタキシャルウェーハの円周方向のHaze値の変動からシリコンウェーハ主面の傾斜方位を求める。 (もっと読む)


【課題】薄厚化に対応しゲッタリング能力の確実性とその向上を図る。
【解決手段】CZ法により窒素濃度が5.0×1012〜1.0×1014atoms/cm、初期酸素濃度が1.4×1018〜1.6×1018atoms/cmとして育成されたシリコン単結晶から製造されたシリコン基板であって、表面にデバイスが形成され、その厚みが40μm以下μm以上とされるとともに、前記シリコン基板の裏面に200Mpa以下〜5Mpa以上の残留応力が生じる外因性ゲッタリングが付与される。 (もっと読む)


【課題】p/n型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とする。
【解決手段】p型ウェーハで、炭素がドープされ、アルゴンガス、水素ガス、あるいはそれらの混合ガス雰囲気中にて処理温度1100〜1250℃、処理時間1〜5時間とされるの熱処理により、表面から付加さ方向への抵抗分布が、0.1〜10kΩcm程度のp型表面領域と、深さ方向に抵抗値が上昇下降してピークを有するピーク領域と、酸素ドナーによるp/n型反転深度領域とを有し、前記ピーク領域におけるピーク位置がウェーハ表面からの深度10〜70μmの範囲とされる。 (もっと読む)


【課題】円筒形高圧ベッセルを使用してIII族窒化物結晶を成長させる方法を提供すること。
【解決手段】円筒形高圧ベッセルを使用してIII族窒化物結晶を成長させる方法であって、結晶化領域内にIII族窒化物シード結晶を装填し、強化剤領域内にIII族含有供給源を装填するステップと、アルカリ金属含有鉱化剤が酸素または水分に最小に曝露される態様で、高圧ベッセル内に鉱化剤を装填するステップと、高圧ベッセルを密封するステップと、高圧ベッセルを1×10−5ミリバールより低い圧力までポンプするステップと、高圧ベッセルをアンモニアで充填するステップと、結晶化領域の温度を500℃より上で傾斜をつけるステップと、に記載された温度条件を、結晶を成長させるのに十分長い間、維持するステップと、アンモニアを放出して結晶成長を停止させるステップと、高圧ベッセルを密封解除するステップとを含む、方法。 (もっと読む)


【課題】炭素添加したシリコン融液を用いてシリコン単結晶を育成する方法において、シリコン単結晶の外周部における炭素濃度の低下を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。また、面内BMD密度を均一化した、高いゲッタリング能力を有し得るシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭素を添加したシリコン融液13をるつぼ12中に準備し、るつぼ12中のシリコン融液13に対して磁束密度0.2〜0.4Tの磁場を印加しつつ、シリコン融液13に接触させたシリコン種結晶17を、0.52〜0.84rad/sの回転速度で回転させながら引き上げて、シリコン種結晶17上にシリコン単結晶16を育成することを含む、シリコン単結晶16の製造方法。また、その製造方法で製造したシリコン単結晶16のインゴットを用いたシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】研削対象である単結晶インゴットの形状把握を十分に可能とし、効率良く円筒研削することができる単結晶インゴットの円筒研削方法を提供する。
【解決手段】インゴットの外周における複数の箇所で、それぞれ軸方向に沿ってインゴットの加工中心軸からの径方向寸法を測定する(ステップ#5)。寸法測定を行った箇所ごとに、測定された径方向寸法から実研削代の軸方向分布を算出し、予め設定された設定研削代と実研削代とを比較し、設定研削代を超える実研削代を有する部分を特定する(ステップ#10、15)。特定された部分全てに対し砥石を移動させて部分研削を行った後(ステップ#20)、インゴットの全長にわたり砥石を移動させて全長研削を行う(ステップ#25)。 (もっと読む)


【課題】高精度な化合物半導体単結晶基板を製造できる化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る化合物半導体基板の製造方法は、化合物半導体としてのGaN単結晶のインゴット30を準備するインゴット準備工程と、インゴット30を切断部材で切断してGaN単結晶基板を形成する切断工程とを備え、切断工程は、インゴット30と切断部材との接触部分32の温度を160℃以下に制御してインゴット30を切断する。 (もっと読む)


【課題】液相成長にて形成したGaN単結晶などのIII族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理容器6内に坩堝1を収納させ、前記坩堝1を前記処理容器6内に入れる前、あるいは、入れた後に、前記処理容器6内に固体原料処理液7を流入させ、前記坩堝1内には種基板2と、前記種基板2上に生成された結晶基板10と、前記種基板1および前記結晶基板10を覆った固体原料3とが収納された状態とし、前記処理容器6内に、超音波発生手段8から発射された超音波11を与える。 (もっと読む)


【課題】液相成長にて形成したGaN単結晶などのIII族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法および装置を提供する。
【解決手段】処理容器7内に坩堝1を収納させ、この坩堝1を処理容器7内に入れる前、あるいは、入れた後に、処理容器7内に固体原料処理液8を流入させ、坩堝1内には、種基板支持体3で支持された種基板2と、この種基板2上に生成された結晶基板10と、これらの種基板2および結晶基板10を覆った固体原料4とが収納された状態とし、坩堝1を切断部で切断している。 (もっと読む)


【課題】発光量を増加させた積層型ZnO系単結晶シンチレータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】バンドギャップが異なるZnO系半導体の積層体を製造し、バンドギャップが小さい層をα線や電子線などの電離放射線が侵入できる厚みである5μm〜50μmにすることで、積層型ZnO系単結晶シンチレータ110の発光量を大幅に増加させる。ZnO系単結晶の組成は(Zn1-x-yMgxCdy)O[0≦x≦0.145、0≦y≦0.07]である。 (もっと読む)


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