【課題】大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。
【解決手段】１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（Ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ＩＩ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素単結晶を効率よく、かつ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。
【解決手段】中空円筒状砥石３０を用いて、この中空円筒状砥石３０の中心軸を回転軸として回転させつつ、その中心軸に沿う方向に移動させることにより、種結晶１１から昇華法により結晶成長させた炭化ケイ素単結晶１０を当該単結晶の成長表面側から種結晶側に向けて研削する。この際、中空円筒状砥石３０の端面が、炭化ケイ素単結晶１１における種結晶１１端部まで２ｍｍの位置に達した後は、中空円筒状砥石３０の移動速度を０．１〜０．５ｍｍ／ｈに低下させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＦ加工を省略しても目視にて表裏の判別が可能で、しかも端面部の加工歪を除去することが可能とする方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成される面を表面１１とし、表面１１の反対側を裏面１２とし、表面１１及び裏面１２に連接する面を端面１３とする透明な窒化物半導体基板１０において、端面１３が表面１１から裏面１２にわたり傾斜しており、窒化物半導体基板１０の表面１１及び裏面１２の中心を通る基板１０の厚さ方向の断面において、表面１１と端面１３とのなす角度をθ１、裏面１２と端面１３とのなす角度をθ２とするとき、θ１＞θ２であり、θ１とθ２との差が１０°以上である。 （もっと読む）

【課題】基板上に化合物半導体層を平坦でかつ不純物分布が均一になるように成長させることができるIII−Ｖ族窒化物系半導体基板を提供する。
【解決手段】自立したIII−Ｖ族窒化物系半導体基板の表面の任意の位置においてフォトルミネッセンスを測定してそのバンド端ピークの発光強度をＮ１とし、前記測定位置に対応する同一基板上の裏面側のバンド端ピークの発光強度をＮ２としたときに、その強度比α＝Ｎ_１／Ｎ_２が０．０１≦α≦０．９８となるときに良品歩留のIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】充分な電子デバイス特性が得ることのできる高品質な基板用ＧａＮ系半導体自立基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなる自立基板であって、前記自立基板の表面に直接Ｎｉを金属電極としてショットキーダイオードを形成した場合、電流−電圧特性における理想因子ｎ値が１以上１．３以下となることを特徴とする自立基板。好ましくは、前記ショットキーダイオードを形成した場合、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値が、熱電界放出モデルおよび熱電子放出モデルの計算値の和として計算した理論電流値の５０倍以下となることを特徴とする自立基板。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の成長方向における不純物濃度またはキャリア濃度の分布をより均一にした半導体結晶および半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶中における最低不純物濃度Ｃ₁minとＣ₁min≦Ｃ₁≦１．５Ｃ₁minの関係を満たす不純物濃度Ｃ₁である結晶部分が、固化率０．１〜０．８の範囲内における結晶部分の４／７以上を占める半導体結晶とその半導体結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコンブロックからウェーハを切り出す際や、切り出したウェーハに発電層を積層する際に、ウェーハが破損するのを防止するためのシリコンブロックの処理方法を提供する。
【解決手段】多結晶または単結晶のシリコンブロック１をスライスしてシリコンウェーハを形成する前に行うシリコンブロックの処理方法において、シリコンブロックは、矩形の端面を有する四角柱形状に形成されていて、シリコンブロックを端面に平行な方向にスライスしてシリコンウェーハとする前に、シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する加工歪み除去工程を実施する。前記加工歪み除去工程としては、例えば、粒径が５μｍ以下のダイヤモンド砥粒を含む研削砥石６を用いて前記シリコンブロック１の柱面３を研削して加工歪を除去する方法が用いられる。このほかに、エッチングによって前記シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する方法を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では製造の困難であった機能材料も製造することの可能な機能材料の製造方法およびその製造方法によって製造された機能材料を提供する。
【解決手段】互いに接触する固相材料２１，２２（図１には図示されていない）からなる試料２０をロータ１０の内部空間１０Ｂ内に配置（固定）する。次に、固相材料２１の温度が、固相材料２１の再結晶温度以上であって、かつ固相材料２１が固相状態を保つことの可能な温度以下となるように試料２０を加熱する。その状態で、ロータ１０を高速に回転駆動し、１万ｇ以上の遠心力を試料２０に対して印加する。これにより、比重相当量の大きな原子が遠心力方向に移動し、原子の沈降（重力誘起の拡散）が生じる。また、それに付随して、重力場下の原子レベルで与えられるボディフォースによる結晶歪みにより、原子空孔が固相材料２１内に多数発生し、固相材料２１内で原子空孔を介在した拡散が起こる。 （もっと読む）

【課題】オリエンテーションフラット面及びインデックスフラット面からのチッピング、クラックが発生しにくいIII−Ｖ族窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】オリエンテーションフラット２の面が、劈開面に対して角度θが５°以上〜５５°以下の範囲で傾いているものである。また、インデックスフラット３の面は、オリエンテーションフラット２の面に対して垂直である。なお、主面はＣ面（０００１）であり、その面を成長面とする。 （もっと読む）

【課題】残留応力を低減した炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇華法において用いる種結晶保持部材２２に固着された種結晶１３に炭化珪素単結晶４０を成長させた後、化学的方法を用いて種結晶保持部材２２を除去する。種結晶保持部材２２は、黒鉛、アモルファスカーボン、炭素繊維、有機化合物炭化物、金属炭化物のいずれかからなる。また、化学的方法は、種結晶保持部材２２を酸化性ガスと反応させる方法である。 （もっと読む）