【課題】半導体融液に板状半導体製造用下地板を浸漬し作製した板状半導体において、板状半導体作製時の割れを減少させ、板状半導体の反りを小さくする方法を提供する。
【解決手段】成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法に使用する半導体製造用下地板において、半導体製造用下地板の結晶成長面Ｓ１が浸漬方向前方部から後方部に延びる溝を有する。さらに、溝は浸漬方向と略平行である。 （もっと読む）

【課題】大きな厚みを有し、かつ高品質のＩＩＩ族窒化物結晶を成長するＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１３の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、（０００１）面から＜１−１００＞方向に傾斜した主表面１１ａを有する下地基板１１が準備される。そして、気相成長法により下地基板１１の主表面１１ａ上にＩＩＩ族窒化物結晶１３が成長される。下地基板１１の主表面１１ａは、｛０１−１０｝面から−５°以上５°以下傾斜した面であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】大きな厚みを有し、かつ高品質のＡｌＧａＮバルク結晶を製造するＡｌＧａＮバルク結晶の製造方法を提供する。高品質なＡｌＧａＮ基板を製造するＡｌＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＮバルク結晶の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、Ａｌ_aＧａ_(1-a)Ｎ（０＜ａ≦１）よりなる下地基板が準備される。そして、下地基板上に、主表面を有し、Ａｌ_bＧａ_(1-b)Ｎ（０＜ｂ＜１）よりなるバルク結晶が成長される。下地基板のＡｌの組成比ａは、バルク結晶のＡｌの組成比ｂよりも大きい。ＡｌＧａＮ基板の製造方法は、バルク結晶から１枚以上のＡｌ_bＧａ_(1-b)Ｎよりなる基板を切り出す。 （もっと読む）

【課題】 これまで実在しなかった窒化ガリウムの自立した円形ウエハを実用的な形にして初めて提供すること。
【解決手段】 １０^１６ｃｍ^−３〜１０^２０ｃｍ^−３の濃度で酸素ドープされた六方晶系で｛０００１｝面方位の窒化ガリウム単結晶よりなり透明であって独立し自立した円形のウエハであって方位を指定するフラット部を一つあるいは方位と表裏を示すフラット部を二つ付ける。周辺部を面取りすることも有用である。ｎ型の導電性をしめす。 （もっと読む）

【課題】主面がｍ面とわずかなオフ角を有するIII族窒化物系化合物半導体の製造。
【解決手段】サファイア基板１０に凹凸を設けて、ｃ面又はｃ面と成す角が２０度以下の側面のうちの法線ベクトルの向きが同じ面１０ｃ−１のみを露出させ、他の面はＳｉＯ₂から成るエピ成長マスク２０で覆う（３．Ａ）。ＧａＮ層３０が成長を開始してから（３．Ｂ）、溝部を埋める迄（３．Ｃ）は、常圧で、Ｖ／III比を高く保った。溝部が埋まり、凸部の上面がほぼ覆われて平坦化する（３．Ｄ）までは、減圧で、Ｖ／III比を低く（アンモニアの供給量を１／５と）した。凸部の上面がほぼ覆われて平坦化した後（３．Ｅ）は、常圧で、Ｖ／III比を高くした（アンモニアの供給量を元に戻した）。こうして、主面が、ｍ面とわずかなオフ角を成す平坦な面であるＧａＮ膜が形成できた。 （もっと読む）

【課題】ピンセット等による基板のハンドリング位置を基板周縁部のごく限られた一部分に制限でき、もって基板ハンドリングに伴う汚染等の領域を大幅に抑制可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用の基板１であって、エピタキシャル成長を行う基板１の表面１ａとは反対の裏面１ｂ側に、部分的に面取り部３がある。基板１の直径をｘ［ｍｍ］とするとき、基板１の裏面１ｂ側に施した面取り部３の長さＬが２ｍｍ以上０.１５
ｘ［ｍｍ］以下がよい。また、基板１を平坦面Ｐ上に表面１ａを上にして置いたとき、基板１と平坦面Ｐとの間にできる隙間の高さｈ１、奥行きｄ１が０.２ｍｍ以上がよい。 （もっと読む）

【課題】反りやクラックの抑制された窒化ガリウム層を有する半導体基板を、低コスト、高効率で製造することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】面方位が（１１１）のシリコン基板１０を準備する工程と、シリコン基板１０の両面に窒化ガリウム層１２をエピタキシャル成長させる工程と、窒化ガリウム層１２がエピタキシャル成長されたシリコン基板１０を、エピタキシャル成長面と平行にスライスして２分割するスライス工程とを含み、１枚のシリコン基板１０から２枚の窒化ガリウム層１２が形成された半導体基板１３を製造する。 （もっと読む）

シートを形成する方法および装置が開示される。融液を冷却して、融液上にシートを形成する。このシートは第１の厚みを有する。シートはその後、第１の厚みから第２の厚みに、例えばヒータまたは融液を利用して、厚みを低減させられる。冷却は、シートにおける一定の領域に溶質を捕捉するよう構成されてよく、この特定のシートの厚みを低減させて溶質を取り除く。溶質は例えば、シリコン、シリコンとゲルマニウムとの組み合わせ、ガリウム、および窒化ガリウムであってよい。 （もっと読む）

【課題】従来にない平均短径が細いロッド状又はチューブ状の棒状結晶を基板上に立設してなり、表面積を大きくすることができるので、高感度のセンサーとして有用な金属酸化物構造体、及び該金属酸化物構造体を効率よく、低コストで製造することができる金属酸化物構造体の製造方法の提供。
【解決手段】基板と、該基板上に種晶を介して棒状結晶が立設してなり、前記種晶が第１の金属酸化物からなり、前記棒状結晶が第２の金属酸化物からなり、該棒状結晶の平均短径が５０ｎｍ以下であることを特徴とする金属酸化物構造体である。 （もっと読む）

【課題】表面のオフ角を制御したＡｌＮ基板を歩留まりを向上して製造するＡｌＮ基板の製造方法およびＡｌＮ基板を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ基板１０の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、ＡｌＮ結晶を成長させる。そして、ＡｌＮ結晶から、第１の領域１２と、第１の領域１２を取り囲む第２の領域１３とを有する表面１１を含むＡｌＮ基板１０を切り出す。この切り出す工程では、表面１１に直交する軸と、ｃ軸とのなすオフ角が、第２の領域１３の第１の点１３ａで最小値をとるようにＡｌＮ基板１０を切り出す。 （もっと読む）