【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＯＳＦ領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整する。
【解決手段】ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。顕在化した突起発生領域４６に基づいて、後続の育成工程における育成条件を、エッチング工程にて突起が発生する領域の面積がシリコンウェーハの面積の１％以上５％以下となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】グラフェンリボンの幅を揃えることを可能にすると共に、幅の揃ったグラフェンリボンを基板全面に備えることが出来る、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法、及び、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板を提供する。
【解決手段】単結晶絶縁性基板を用意し、基板表面にグラフェンを固定し、コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、コア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、当該基板から当該材料層を剥離できるようにすること。
【解決手段】基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。重畳する照射領域におけるそれぞれのレーザ光の大きさを、材料層２を基板１から剥離させるに必要な分解閾値を超えるエネルギーとなるような大きさとすることで、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物単結晶基板を短時間かつ高精度で製造することが可能なＩＩＩ族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】固定砥粒ワイヤを用いたワイヤソーによってインゴットを切断して、ＩＩＩ族窒化物単結晶基板を前記インゴットから切り出す、基板切り出し工程を含むＩＩＩ族窒化物単結晶基板の製造方法において、基板切り出し工程を、インゴットの切断方向とインゴットの劈開容易面の法線とのなす角度が２°以下になるようにして行うように構成する。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセス中にかかる応力によって割れることがないシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットから切り出されたウェーハをラッピングする工程と、ラッピングされたウェーハの裏面に深さ１０μｍ以上のレーザマークを印字する工程と、レーザマークが印字された前記ウェーハをエッチングする工程を有している。エッチング工程では、レーザマークの深さｘ（μｍ）がｘ≦６０のときｙ≧４を満たし、ｘ＞６０のときｙ≧０．００１ｘ^２−０．１１８６ｘ＋８．０６４３を満たすようにそのエッチング量ｙ（μｍ）が制御される。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶半導体基板の裏面を簡単にかつ均一に粗化することができるＩＩＩ族窒化物結晶半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶半導体基板の製造方法において、１）ＩＩＩ族窒化物結晶のＮ面を研削及び／又は研磨する工程と、２）該Ｎ面に不揮発性有機物を付着させた後にエッチングを行う裏面処理工程とを含む。これにより、ＩＩＩ族窒化物結晶半導体基板はＮ面に多角錐が均一に形成され、その高さもおおよそ揃っており、マクロ的に見るとＮ面が均一に粗化されるので、ＩＩＩ族窒化物結晶半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる際の基板とサセプタと密着度が良好で、温度分布が均一になりやすく、エピタキシャル層を均一に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】高性能なフィルターを低コストで容易に製造する。
【解決手段】フィルター２０は、複数の孔６が形成されたシリコン単結晶を有し、孔６の開口部が、シリコン単結晶の（１１０）面に形成され、貫通孔６を形成する面６ｂ１，６ｂ２，６ｂ３，６ｂ４が、シリコン単結晶の（１１１）面である。 （もっと読む）

【課題】変形により平面度がレーザ光の焦点位置に対して許容範囲を超えた基材について、簡単な構造の装置により、効率的なスクライブ加工或いは分断加工を可能とするレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】照射部２の下方の２ヶ所に突設された脚部７において、ローラＲ１、Ｒ２を回動可能に支持するようにした。このローラＲ１、Ｒ２間の中間位置は、レーザ光５の集光部６と一致するように配置されている。そして、照射部２の移動と共にローラＲ１、Ｒ２を転動させて、ローラＲ１、Ｒ２の間にある基材８を載置面９に押し付けるようにした。 （もっと読む）

【解決手段】基板間のベベルエッチング再現性を改善するために、基板のベベルエッチングに関連して実行される方法を開示する。方法は、光学装置を提供するステップと、前記基板のベベルエッジの少なくとも１つのベベルエッジ特性を確認するステップと、を含む。方法は、更に、前記少なくとも１つのベベルエッジ特性から、ベベルエッチング処理パラメータの調節に関係する少なくとも１つの補正要素を導出するステップを含む。方法は、更に、前記少なくとも１つの補正要素を利用して、前記ベベルエッチングを実行するステップを含む。 （もっと読む）