【課題】 チャンバに向けて基板を搬送するときに、簡易な構成で、基板の表面に付着した酸素などのチャンバ外部の気体がチャンバ内に持ち込まれるのを防止することができる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 基板９表面に結晶を成長させる空間となるチャンバ２と、チャンバ２に向けて基板９が搬出されるリフター室３との間には、基板９がリフター室３からチャンバ２に向けて搬送される通路となる搬送路形成部４が形成される。そして、搬送路形成部４内には、基板９が搬送される搬送方向に平行に延びる筒状であり、基板９が通過可能な案内管５が形成される。そして、気体供給手段６から供給されてチャンバ２内に充填される不活性ガスが、案内管５を通過して搬送される基板９の表面に沿うように接触して流れる。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド本体に影響を与えることなく線状あるいは面状に加工切断可能なダイヤモンドの加工方法および装置を提供する。
【解決手段】 ＬＤ励起近赤外線レーザ１１からのレーザ光２１を高調波変換器１２により高調波変換して波長２６６ｎｍの波長変換レーザ光２２を得、この波長２６６ｎｍの波長変換レーザ光２２をガルバノスキャナ１４で走査レーザ光２３に変換し、円形ｆθレンズ１３で収束して収束レーザ光２４として集光する。収束レーザ光２４はダイヤモンド１５に入射され、ダイヤモンド１５に含有されている固溶窒素に吸収されて、ダイヤモンド１５はアブレーションや蒸発によって熱エネルギー加工される。 （もっと読む）

【課題】切断テーブルの隙間部分の段差に影響を受けず、インゴットの切り終わり部分の欠けを防止することで、前記切断テーブルの調整のためのメンテナンスをなくし、製品歩留りを向上させることができるインゴット切断装置およびそれを用いた切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】インゴット切断装置において、少なくとも、前記インゴットを前記ブレードで切断する位置にて前記インゴットの切り終わり部分を下方から支持するためのインゴット支えパッドと、前記インゴット支えパッドを下方から上昇させて前記インゴットに密着させるためのパッド上昇機構とを有するものであることを特徴とするインゴット切断装置。 （もっと読む）

【課題】シリコンスラリーが凝固して結晶塊になったあとの内部応力の発生を回避することができるシリコン結晶成長炉を提供する。
【解決手段】結晶成長炉内にヒータを有する支持台２は、台板２１および複数の支持ポストを含み、支持ポストは台板２１を支持し、それぞれヒータに電気的に接続される。各支持ポストは特に、グラファイト電極ポスト３１、金属電極ポスト４、および固着ベースを含む。支持ポストはそれぞれ、金属電極ポスト３１のナット部４１にねじ込まれるグラファイト電極ポスト３１を有し、金属電極ポスト３１は結晶成長炉の壁１２１に固定される。固着ベースは特にフランジ５１および弾性ワッシャ５５を含み、フランジ５１は炉壁１２１に溶接され、弾性ワッシャ５５の弾性調節の助けを借りて、支持台２は支持ポストからの負荷を均等に分散させることができる。支持台２の台板２１を薄くするとシリコンスラリーの均一な結晶成長を促進する。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコン粒子に対して、ｐｎ接合を形成するための不純物を含むシリコン層を均一に形成することができ、表面に不純物を含むシリコン層が形成された結晶シリコン粒子を容易に回収できる製造装置を提供すること。
【解決手段】 回転式拡散装置は、内部に第１導電型の結晶シリコン粒子１２を入れて回転して攪拌させながら酸素及び第２導電型の不純物を含む不純物ガスを導入することによって、結晶シリコン粒子１２の表面に第２導電型の不純物を拡散させて第２導電型のシリコン層を形成する横置き型の拡散管１１と、拡散管１１を傾斜させることによって第２導電型のシリコン層が表面に形成された結晶シリコン粒子１２を拡散管１１の一端部の開口から取り出す傾斜機構とを具備している。 （もっと読む）

【課題】搬送用トレー上で短いブロックが転倒、脱落、破損するといったことを防止でき、かつ、省力化、生産性向上が図れ、また新設設備によるコストや設備占有スペースの増加の抑制を図ることができるインゴット切断装置を提供する。
【解決手段】インゴット１を切断手段１６により切断してブロック１ａに切り分ける切断部１１と、切断用トレー１５を送出入するためのテーブル１８を有する送出入部１２と、該送出入部の動作を制御する制御部１３と、切断されたブロック１ａを搬送用トレー２に移載する移載部１４とを具備し、移載部１４は、アーム機構１９と、倒置機構２０とを具備し、長いブロック１ｂはアーム機構１９により搬送用トレー２に移載し、短いブロック１ｃは倒置機構２０により倒して搬送用トレー２に移載するものであるインゴット切断装置１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】下地基板に半導体膜が成膜されている構造体の下地基板から半導体膜を破損させることなく剥離させることができる剥離処理装置および方法を提供する。
【解決手段】剥離処理装置１００は、サファイア基板２１０が上側でＧａＮ膜２２０が下側の状態のサファイア／ＧａＮ構造体２００を基板支持部１２０で下面中央で下方から支持し、支持されたサファイア／ＧａＮ構造体２００を所定温度まで加熱し、加熱されているサファイア／ＧａＮ構造体２００に上方からレーザ光ＬＲを照射する。このため、加熱機構１３０の加熱によりサファイア／ＧａＮ構造体２００が下方に凹状に湾曲しても、その外縁部が処理装置本体１１０の内部底面に接触することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】複数の籠の出し入れを容易にすることができる籠収納用トレイ及び収納庫を提供する。
【解決手段】シリコン材料が収納される複数の籠１が一列に載置されるとともにその列方向に沿って各籠１をスライド自在に支持する支持レール２２と、該支持レール２２の長さ方向に沿って移動自在に設けられて該支持レール２２上の籠１をスライドさせるための操作ロッド２３とを具備し、前記操作ロッド２３は、その軸心を中心に回転自在とされるとともに、両端部に、その長さ方向に直交するレバー２５，２６が支持レール２２の上方に突出可能に設けられ、これらレバー２５，２６は、操作ロッド２３の両端部において相互に所定角度ずれた向きで配置されている。 （もっと読む）

【課題】酸素分圧を制御したガス（精製ガス）を不足させることとなく、試料作成室等の他の装置にクリーンな状態で精製ガスを供給でき、しかもコンパクト化を図ることが可能な酸素分圧制御装置を提供する。
【解決手段】０．２〜１０^−３０気圧の範囲で酸素分圧を制御したガスを精製するガス精製部２１と、タンク２０とを有する循環回路１９を備え、タンク２０に充填したガスをこの循環回路１９を循環させて、ガス精製部２１にて精製される精製ガスをタンク２０に貯める酸素分圧制御装置である。循環回路１９において、タンク２０を下方位置に配置するとともに、ガス流出口６１を上方位置に配置して、タンク２０内の精製ガスを他の装置にガス流出口６１を介して供給する。 （もっと読む）

少なくとも１つの結晶化核形成部位が配置された表面を有する基板を備える装置。この装置はさらに、第２の表面を有する第２の基板を備える。第２の表面は、結晶化開始材料をアモルファス状態または初期結晶状態で維持するように構成される。結晶化核形成部位は、結晶化開始材料にある性質を与えるように構成される。
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