【課題】このような坩堝底面コーン部における温度勾配の減少を無くし、底面に沿って温度勾配を一定に保ち、融点位置を種子単結晶から周辺方向へ徐々に移動して、大口径で高品質の単結晶を製造できる単結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】炉内に高温領域と低温領域とを有し、坩堝内に入れた結晶原料を高温領域で溶融した後、該坩堝を低温領域に移動させることにより下端から徐々に固化させて柱状の単結晶を育成する垂直ブリッジマン法による単結晶製造装置において、高温領域と低温領域との間に開口面積が可変な断熱手段を備える。 （もっと読む）

【課題】 対象物の温度を安定的に制御可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 熱処理装置は、熱処理の対象物１を収納するケース１００と、それぞれ該ケースの外周を囲むように、対象物よりも上方および下方に配置された上側ヒータ７および下側ヒータ８とを有する。上側ヒータの最下部ａから対象物の最上部ｂまでの上下方向距離および下側ヒータの最上部ｄから対象物の最下部ｃまでの上下方向距離がそれぞれ、ケースの内半径以上の距離に設定されている。 （もっと読む）

本発明は、タンタル酸リチウム結晶の製造方法であって、少なくとも、還元性雰囲気下キュリー点以上の温度Ｔ１’で熱処理したタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム若しくは水素を貯蔵した水素貯蔵金属を含む第一の元材を、単一分極化されたタンタル酸リチウム結晶と重ね合わせ、還元性雰囲気下キュリー点より低い温度Ｔ２’で熱処理することによって、前記単一分極化されたタンタル酸リチウム結晶の導電率を向上させることを特徴とするタンタル酸リチウム結晶の製造方法である。これによりタンタル酸リチウム結晶に温度変化を与えることで発生する表面電荷を、タンタル酸リチウム結晶の導電率を向上させることで、発生した表面電荷を蓄積させることなく消失させることが可能であるとともに、単一分極構造を維持して有効な圧電性を発揮できるタンタル酸リチウム結晶の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 フラックス法などのように、アルカリ金属と少なくとも窒素を含む物質が存在する環境下で使用される場合にも、劣化の少ない熱電対及び反応系及び結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 アルカリ金属と少なくとも窒素を含む物質が存在する環境で使用される場合にも熱電対芯線１０１が窒化することを抑制するシース１０２が、熱電対芯線１０１の外側に設けられていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 次世代の単結晶ＳｉＣの形成に好適な、圧力１０^-2Ｐａ以下又は予め圧力１０^-2Ｐａ以下に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下であっても短時間で１２００℃〜２,３００℃に加熱することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】 被処理物５を１２００℃〜２,３００℃に加熱する加熱室２を備える熱処理装置１を用い、前記被処理物５を密閉容器に収納した状態で、予め１２００℃〜２,３００℃に加熱された圧力１０^-2Ｐａ以下、又は予め圧力１０^-2Ｐａ以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下の前記加熱室２に移動することで、前記被処理物を１２００℃〜２,３００℃に加熱する。前記加熱室２の内部には加熱ヒータ１１が前記被処理物５（密閉容器）を覆うように設けられており、その加熱ヒータ１１の周囲には反射鏡１２が配置されている。 （もっと読む）

【目的】本発明は、半導体インゴット等の被加工物を切断してウエーハを形成するワイヤソー及びその切断方法に関し、ウエーハのうねりを低減することを目的とする。
【構成】ワイヤに対し被加工物を押し当てる方向へ被加工物を直線移動させる速度（切断速度）を、周期的に変化させる。 （もっと読む）