【課題】遷移金属窒化物を、低温、低圧において得ることができる遷移金属窒化物の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化タンタルと窒化リチウムを入れたグラファイトるつぼ１を圧力容器２に静置し、圧力容器２を電気炉３にセットする。次に、窒素ガス配管４に取付けられたバルブ４２を介して真空ホースを接続し、真空ポンプにより圧力容器２内を減圧後、バルブ４２を閉じ、バルブ４１を開いて圧力容器２にアンモニアガス５０を導入して加圧し、加熱反応させてリチウムアミドを生成させる。引き続き加熱反応させ、反応終了後、圧力容器２を冷却し、グラファイトるつぼ１の中の生成物６を取り出す。生成物６に１規定塩酸を加え未反応のリチウムアミドを溶解し、この溶液をろ紙によりろ過することにより固形生成物としてＴａＮを得る。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＧａ_xＡｌ_yＩｎ_1-x-yＮ種結晶１０ａを含む基板１０を準備する工程と、基板１０の主面１０ｍにＧａ融液３に窒素の溶解５がされた溶液７を接触させて、１０５０℃以上１２５０℃以下の雰囲気温度下、２μｍ／ｈｒ以下の結晶成長速度で、主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ結晶などの第１３族金属窒化物結晶を安定で継続的に成長させることができる方法を提供する。
【解決手段】第１３族金属窒化物結晶を成長させる液中の窒素元素と第１３族金属元素のモル比（Ｎ／第１３族金属）を３．５〜５０の範囲内に保持する。窒化物の添加は、第１３族金属窒化物結晶を成長させる液中に断続的に行ってもよいし、連続的に行ってもよいが、より安定で継続的な結晶成長を実現するためには、連続的に窒化物の添加を行うことが好ましい。窒化物の添加方法は特に制限されず、気相の窒化物、液相の窒化物、固相の窒化物のいずれを液中に添加してもよい。ＧａＮなどの第１３族金属窒化物を添加すれば、液中の窒素元素と第１３族金属元素のモル比も調整することができる。また、液中には、窒化物自体を添加せずに、窒化物を徐々に液中に供給することができる固体状の窒化物供給化合物を添加してもよい。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物を、低温、低圧において得ることができるIII族窒化物の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、III族金属と窒化リチウムとをアンモニア雰囲気中において加熱処理することによりIII族窒化物を得る、III族窒化物の製造方法にある。上記III族金属は、ガリウムであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】遷移金属窒化物を、低温、低圧において得ることができる遷移金属窒化物の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、遷移金属原料物質とリチウムアミドとを非酸素雰囲気中において反応させることにより遷移金属窒化物を得る、遷移金属窒化物の製造方法にある。上記非酸素雰囲気は、アンモニア雰囲気であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶育成において、雑晶の発生を抑制することができるIII族窒化物半導体結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体製造装置は、窒素溶解手段１０と、電磁ポンプ１１と、配管１２と、配管１２に連結接続し、種結晶１８が配置された育成用配管１３と、育成用配管１３の外側に配置された温度制御装置１４ａとを有している。窒素溶解手段１０により窒素を溶解させた混合融液１７は、電磁ポンプ１１により配管１２内を結晶しない温度、圧力で循環する。温度制御装置１４ａによる温度制御とバルブ１２ｖ１、ｖ２による圧力制御によって育成用配管１３内のみが結晶育成可能な状態にする。混合融液１７が軸方向に流動した状態でＧａＮ結晶が育成するため、雑晶の発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】光の吸収係数の小さいＩＩＩ族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】反応容器５１内にアルカリ金属元素含有物１と、ＩＩＩ族元素含有物２と、窒素元素含有物３とを導入する工程と、反応容器５１内に少なくともアルカリ金属元素、ＩＩＩ族元素および窒素元素を含有する融液５を形成する工程と、融液５からＩＩＩ族窒化物結晶６を成長させる工程とを含み、融液５からＩＩＩ族窒化物結晶６を成長させる工程において、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長温度を８８０℃以上とする。 （もっと読む）

【課題】フラックス法による結晶育成終了後の降温時において、低品質の結晶が成長しないIII族窒化物半導体結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体製造装置は、Ｓｉが混合されたＮａ融液を坩堝１１中の混合融液１４に供給する融液供給装置１７を有している。ＧａＮ結晶の育成終了後、融液供給装置１７によって混合融液１４にＳｉが混合されたＮａ融液を供給し、その後に降温する。ＳｉはＧａＮの結晶成長を阻害する効果があるため、混合融液１４にＳｉが導入された段階でＧａＮ結晶の成長が停止する。したがって、降温中に低品質の結晶が成長することが無くなる。 （もっと読む）

【課題】液相成長法において、種結晶の結晶成長面における多核成長およびインクルージョンの発生を抑制し、前記結晶成長面に結晶を層成長させることが可能であり、結晶の品質、厚みの均一性および成長レートが向上したＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素、アルカリ金属およびＩＩＩ族元素窒化物の種結晶２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、前記結晶成長容器内１８を加圧加熱し、前記ＩＩＩ族元素、前記アルカリ金属および前記窒素を含む融液２１中で前記ＩＩＩ族元素および前記窒素を反応させ、前記種結晶２０を核としてＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記融液２１を、前記結晶成長面２２に沿って一定方向に流動させた状態で、前記種結晶２０の結晶成長面２２にＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】積層方向に圧電効果の生じない半導体素子を形成するための、主面がｃ面でないIII族窒化物系化合物半導体厚膜結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属を用いたフラックス法によるIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、種結晶として、主面の法線ベクトルが、ｍ軸から＋ｃ軸方向に０．２度以上５度以下回転した方向であるIII族窒化物系化合物半導体基板１０を用いて、その上にフラックス法によりIII族窒化物系化合物半導体の結晶成長部１１を形成させることにより、主面の法線が、ｍ軸から＋ｃ軸方向に０．２度以上５度以下回転した方向であるIII族窒化物系化合物半導体の厚膜結晶１００が得られる。III族窒化物系化合物半導体基板１０の代わりに、異種基板上に形成した、主面の法線ベクトルが、ｍ軸から＋ｃ軸方向に０．２度以上５度以下回転した方向であるIII族窒化物系化合物半導体膜を用いてもよい。 （もっと読む）