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国際特許分類[C30B9/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長 (156)

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【課題】高品質のIII族窒化物結晶を安定して成長させることができるIII族窒化物結晶の成長装置および成長方法を提供する。
【解決手段】液相法によるIII族窒化物結晶の成長装置は、III族金属とアルカリ金属とを含む溶媒132を収容する反応容器120と、反応容器120を収容する耐圧容器110と、反応容器120および耐圧容器110に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給装置180と、窒素含有ガス供給装置180から耐圧容器110に窒素含有ガスを導入する第1配管122と、第1配管122の途中の第1部分122sから反応容器120に窒素含有ガスを導入する第2配管124とを、備える。III族窒化物結晶の成長工程においては、III族窒化物結晶の成長により消費された量の窒素含有ガスを供給し、窒素含有ガスにより、圧力調整器116pとガス流量調整器122fとを用いて、反応容器の内圧および耐圧容器の内圧を制御する。 (もっと読む)


【課題】液相法において結晶成長中の転位の増殖が抑制されるIII族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】下地基板1を準備する工程と、下地基板1の主面1mに、III族金属とアルカリ金属とIII族窒化物結晶の結晶成長速度を低減する金属とを含む溶媒3に窒素含有ガス5を溶解させた溶液を接触させて、主面1m上にIII族窒化物結晶10を成長させる工程と、を備えるIII族窒化物結晶の成長方法であって、前記III族窒化物結晶の結晶成長速度は、前記III族窒化物結晶の転位が増殖を始める臨界結晶成長速度未満であり、前記アルカリ金属は、NaおよびLiの少なくともいずれかを含み、また、前記III族窒化物結晶の結晶成長速度を低減する金属は、遷移金属、Ge、Sn、PbおよびBiからなる群から選ばれる少なくとも1種類の金属を含む。 (もっと読む)


【課題】{0001}面を除いて任意に特定される{hkil}面に対して面方位のばらつきが小さな主面を有するIII族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】(a){0001}面を除いて任意に特定される{hkil}面に対して結晶片10の主面10mの任意の点における面方位のずれが0.5°以下である複数の結晶片10を調製し、(b){hkil}面に対して複数の結晶片10の主面10mの全面10aの任意の点における面方位のずれが0.5°以下になるようにかつ結晶片10の主面10mの少なくとも一部が露出するように複数の結晶片10を配置して、(c)複数の結晶片10の主面10mの露出部分上に、第2のIII族窒化物結晶20を成長させる。 (もっと読む)


【課題】GaN単結晶の製造において、実時間で結晶の成長状況を把握して成長条件の最適化を図ることのできる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】供給量を可変するバルブを備えた窒素源13から供給される窒素をフローライン3aにより結晶成長容器2が内蔵された耐圧容器1に流し込みIII族窒化物結晶を製造するIII族窒化物結晶製造装置であって、前記結耐圧容器1に前記窒素が流入する側の前記フローライン3aに設けられた前記窒素の流量を検出するための第1の流量計6aと、前記耐圧容器1に前記窒素が流出する側の前記フローライン3bに設けられた流量を検出するとともに流出量を可変するバルブとを備えた第2の流量計6bと、前記第1と第2の流量計6a、6bとの流量差を予め与えた値と一致するように前記窒素源13と前記第2の流量計6bのバルブを操作する圧力制御手段とを備えたIII族窒化物結晶の製造装置。 (もっと読む)


【課題】フラックス法により、基板上に生成する単結晶の膜厚を種結晶全面に対して均一化することが可能な窒化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成容器1の底壁部10に、相対的に高温の高温部10bと相対的に低温の低温部10aとを設け、融液2内に種結晶基板5を浸漬し、種結晶基板5が高温部10b上に位置するように固定した状態で育成を開始する。高温部10b付近から矢印6のように種結晶基板の育成面5a(あるいは5b)に添って上昇流が生じ、次いで気液界面の近くでは育成容器の外側へと向かって流れ、次いで矢印8のように育成容器の内壁面に添って下降流が生じる。このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。 (もっと読む)


【課題】種結晶を用いることなく、結晶性の良い、高品質なIII族元素窒化物結晶を成長させることができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】アニール炉20において、サファイア基板7を1,050℃、アンモニア雰囲気下で、5分間アニールすることによって窒化処理する。次に、窒化処理されたサファイア基板7の上において、原料金属であるGaと、フラックスであるNaからなる原料液8と原料ガスである窒素とを接触させて、GaN結晶を成長させる。 (もっと読む)


【課題】III 族窒化物の育成後にフラックスを安全に除去できるフラックス処理装置を提供する。
【解決手段】フラックス法にてIII族窒化物結晶を育成した後に、その反応容器107を処理溶液218に浸漬してフラックスを除去する処理を行うフラックス処理装置を、処理溶液218を入れる処理容器301と、同処理溶液218についての温度センサー219および温度調整器221とを有し、温度センサー219による測定結果をもとに温度調整器221を介して処理溶液218の温度を所定の温度領域に制御するように構成する。 (もっと読む)


【課題】簡易に転位密度の小さな結晶を再現性良く製造することができる結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】液面に対して傾斜させて配置した基板18に液体原料及び気体原料を供給し、液体原料及び気体原料のうち、それぞれ少なくとも1元素同士から構成される結晶原料を、液体原料及び気体原料からなる融液層19から結晶化させることによって結晶を得る方法において、基板18表面近傍における、融液層19中の気体原料の濃度に差が生じるように、記融液層19中の気体原料の濃度を制御して結晶成長を行う。 (もっと読む)


【課題】成長結晶表面の平坦性を向上し得る結晶成長方法、結晶成長装置、及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】反応容器4内の原料液L中に基板6を浸漬し、反応容器4に原料ガスGを供給することにより原料液Lと原料ガスGとを反応させ、反応による原料液Lと原料ガスGとの化合物の結晶7を基板6上に成長させる。結晶成長が進むにつれて、基板6の表面近傍における原料液L中の原料ガス濃度を減少させる原料ガス濃度減少手段としての例えば、下降する基板台21が設けられている。 (もっと読む)


【課題】結晶品質の良いIII族窒化物単結晶の自立基板を製造する方法を提供することである。
【解決手段】III族窒化物からなる下地膜2を基板1上に気相成長法により形成する。下地膜2上に、フラックス法で育成されたIII族窒化物単結晶6よりも硬度の低い中間層3を気相成長法で形成する。中間層3上に、III族窒化物単結晶からなる種結晶膜5を気相成長法によって形成する。III族窒化物単結晶6を種結晶膜5上にフラックス法によって育成する。III族窒化物単結晶6を基板1から剥離させることによって自立基板を得る。 (もっと読む)


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