【課題】品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供することである。
【解決手段】非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。下地膜２上に、細長い開口部４を輪郭づけるマスク３を形成する。次いで、非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜６を気相成長法によって形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物１０を種結晶膜６上にフラックス法によって育成する。種結晶膜のｃ軸と開口部の長手方向とがなす角度が３０°以上である。 （もっと読む）

【課題】品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供することである。
【解決手段】非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２Ａを基板１上に気相成長法により形成する。下地膜上に、ストライプ状の開口部４を輪郭づけるマスク３を形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜６をマスクを被覆するように気相成長法によって形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物８を種結晶膜６上にフラックス法によって育成する。種結晶膜６のｃ軸と開口部４の長手方向Ｚとがなす角度θが４０°以上、９０°以下である。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く不純物濃度の低いＩＩＩ族窒化物結晶をその結晶を破損させることなく製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器７のＧａ−Ｎａ−Ｌｉ融液２に窒素ガス（窒素含有ガス３）を溶解させて、ＧａＮ下地基板１の主面１ｍ上に厚さ１００μｍのＧａＮ結晶を成長させた（ａ）。つづいて、反応容器７に金属Ｎａをいれ、加熱により結晶処理用液体４であるＮａ融液を形成した後、窒素ガス（窒素含有ガス３）を溶解させて、ＧａＮ結晶（ＩＩＩ族窒化物結晶１０）の熱処理を行なった。この結果、結晶の表面に荒れが起こったものの、結晶の破損には至らず、またＧａＮ結晶（ＩＩＩ族窒化物結晶１０）およびＧａＮ下地基板１の不純物濃度は、Ｎａ濃度が５×１０15ｃｍ-3と熱処理前のＮａ濃度と同様であったのに対し、Ｌｉ濃度が３×１０16ｃｍ-3と熱処理前のＬｉ濃度に比べて大幅に低減した。 （もっと読む）

【課題】圧力容器内部に反応容器を有する二重容器を用いた、Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体製造装置において、Ｎａが酸化しないように圧力容器内に反応容器を設置できるIII 族窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】III 族窒化物半導体製造装置１は、圧力容器１０１と、圧力容器１０１の内部に設置された反応容器１０２と、圧力容器１０１の内部に設置され、反応容器１０２を加熱する加熱装置１０４ａ、ｂと、内部がアルゴンガスによって満たされたグローブボックスとで構成されている。圧力容器１０１とグローブボックスは、ゲートバルブ１０５を介して接続されている。これにより、大型で再利用可能な反応容器を、Ｎａを酸化させることなく圧力容器内に設置できる。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物を、低温、低圧において得ることができるIII族窒化物の製造方法、及び、遷移金属窒化物を、低温、低圧において得ることができる遷移金属窒化物の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の発明は、III族金属とリチウムアミドとを非酸素雰囲気中において反応させることによりIII族窒化物を得る、III族窒化物の製造方法。第２の発明は、III族金属と窒化リチウムとをアンモニア雰囲気中において加熱処理することによりIII族窒化物を得る、III族窒化物の製造方法。第３の発明は、遷移金属原料物質とリチウムアミドとを非酸素雰囲気中において反応させることにより遷移金属窒化物を得る、遷移金属窒化物の製造方法。第４の発明は、遷移金属原料物質と窒化リチウムとをアンモニア雰囲気中において加熱処理することにより遷移金属窒化物を得る、遷移金属窒化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】転位密度の低減が可能なＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法により、下地基板１０の主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる方法であって、下地基板１０は少なくとも主面側にＩＩＩ族窒化物結晶層１０ａを含み、主面１０ｍの法線１０ｍｖはＩＩＩ族窒化物結晶層１０ａの＜０００１＞方向１０ｃｖに対して０．５°以上１０°以下の傾き角を有し、ＩＩＩ族窒化物結晶２０の成長の際に、ＩＩＩ族窒化物結晶２０に残留する転位の少なくとも一部を｛０００１｝面２０ｃに対して実質的に平行な方向に伝搬させてＩＩＩ族窒化物結晶の外周部に排出させる。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体製造装置において、Ｎａが蒸発して排出管側に拡散することによる排出管の詰まりや窒素の流れの妨げを防ぐこと。
【解決手段】III 族窒化物半導体製造装置は、圧力容器１０の内部に反応容器１１を有する構成である。反応容器１１には、窒素を供給する供給管１４、反応容器１１からの排気のための排出管１５が接続している。排出管１５にはトラップ１６を設けられている。トラップ１６は、Ｎａ蒸気を冷却により凝縮させて除去するためのものである。ここで、排出管１５はトラップ１６に向かう下り傾斜を有している。そのため、Ｎａを効率的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】外部容器内の部品が大気に晒されるのを防止するとともに、内部容器等の取り外しを回避してＩＩＩ族窒化物結晶を製造する。
【解決手段】アルカリ金属とＩＩＩ族金属とを含む混合融液を保持する坩堝１０と、坩堝１０がその内部に収容される反応容器２０と、反応容器２０を介して坩堝１０を加熱する加熱装置（５０，６０）と、反応容器２０及び加熱装置（５０，６０）がその内部に収容され、開閉可能な本体部３０１を有する保持容器３００と、保持容器３００がその内部に収容され、密閉状態で保持容器の本体部３０１を開閉し、坩堝１０への原料の投入及び製造されたＩＩＩ族窒化物結晶の取り出しを行うための操作手段を有し、その内部が不活性ガス雰囲気又は窒素ガス雰囲気とされている密閉容器４００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】雑結晶の生成を抑制可能なＩＩＩ族窒化物結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０，１１は、ＮａとＧａとを含む混合融液２７０を保持する。坩堝１０は、ＢＮからなり、坩堝１１は、混合融液２７０に対する濡れ性がＢＮよりも悪いＷからなる。支持装置４０は、種結晶５が混合融液２７０中に浸漬されるように一方端に種結晶５を保持する。加熱装置５０，６０は、坩堝１０，１１および反応容器２０を結晶成長温度（＝８００℃）に加熱し、圧力調整器１２０は、反応容器２０の窒素ガス圧が１．０１ＭＰａになるようにガス供給管９０およびバルブ１１０を介して窒素ガスを反応容器２０へ供給する。このようなＩＩＩ族窒化物結晶製造装置において、濡れ性が異なる２つの材質で坩堝を作製するという構成を採用することによって、混合融液２７０中にマランゴニ対流を発生させ、雑結晶の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】テンプレート基板の種結晶膜上にIII 族金属窒化物単結晶を育成するのに際して、III 族金属窒化物単結晶のクラックや反りを抑制し、その生産性を向上させることである。
【解決手段】単結晶基板９と、この単結晶基板９の表面９ａに形成された種結晶膜１０とを備えているテンプレート基板８に、III 族金属窒化物単結晶を育成する方法を提供する。単結晶基板９の背面９ｂに、種結晶膜１０の劈開面に平行な方向と異なる方向Ａ（またはＢ）に向かって延びる凹部１１（または１２）を形成する。次いでIII 族金属窒化物単結晶を育成する。 （もっと読む）