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国際特許分類[C30B9/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長 (156)

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【課題】水素ガスを容易に燃料電池に供給して電力を発電する電力供給システムを提供する。
【解決手段】電力供給システム400は、ガス発生器300と、燃料電池410と、ガス供給管420,430と、電力供給器440とを備える。ガス発生器300は、III族窒化物結晶からなる陽極電極と、Ptからなる陰極電極とを塩酸水溶液中に浸漬し、陽極電極および陰極電極間に直流電圧を印加して酸素ガスおよび水素ガスを発生する。そして、ガス発生器300は、発生した酸素ガスおよび水素ガスをガス供給管420,430を介して燃料電池410へ供給し、燃料電池410は、ガス発生器300からの酸素ガスおよび水素ガスを用いて直流電力を発電する。電力供給器440は、燃料電池410が発電した直流電力を電気負荷へ供給する。 (もっと読む)


【課題】フラックス法において、半導体結晶の結晶性及びその均一性をより向上させると共に、その収率を従来よりも効果的に向上させること。
【解決手段】GaN単結晶層を有する種結晶10のc軸は水平方向(y軸方向)に配向され、種結晶10の1つのa軸は鉛直方向に配向され、1つのm軸はx軸方向に配向される。このため、挟持具T上の点p1,p2,p3は、何れも種結晶のm面と接する。即ち、この挟持具Tは、挟持部材T1,T2を有しており、両方とも鉛直方向に延びているが、挟持部材T1は、育成原料溶液の上面αに対して30°傾斜した端部T1aを有している。この様に、種結晶をm面で支持する理由は、m面がa面よりも結晶成長速度が遅いことと、所望のc面成長を阻害させないためである。なお、種結晶10及び挟持具Tは、それぞれy軸方向に複数周期的に配列されている。 (もっと読む)


【課題】フラックス法に基づいた結晶成長処理によって、バルク状の高品質な半導体結晶を容易に低コストで生産すること。
【解決手段】フラックス法に基づいて、3.7MPa、870℃の窒素(N2 )雰囲気下において、略同温のGa,Na及びLiの混合フラックスの中で、GaN単結晶20を種結晶(GaN層13)の結晶成長面から成長させる。この時、テンプレート10の裏面は、サファイア基板11のR面であるので、テンプレート10は混合フラックスの中で裏面から溶解または腐食し易い。このため、テンプレート10は、裏面側から徐々に溶解または腐食しつつ、徐々に分離又は消失されていく。GaN単結晶20が例えば約500μm以上の十分な膜厚にまで成長したら、引き続き坩堝の温度を850℃以上880℃以下に維持して、サファイア基板11を混合フラックス中にて全て溶解させる。 (もっと読む)


【課題】均質で高品質な塊状のIII族窒化物結晶を安価に製造する。
【解決手段】製造装置1000は、結晶作製装置100と結晶成長装置500を備えている。結晶作製装置100は、金属Naと金属Gaとを含む混合融液に窒素ガスを供給して第1のGaN結晶を作製する。この第1のGaN結晶は、転位密度が小さく(≦10cm−2)高品質である。第1のGaN結晶は、スライス及び研磨され、GaNウエハが作製される。結晶成長装置500は、作製されたGaNウエハを基板として、HVPE法によって基板上に第2のGaN結晶を結晶成長させ、塊状のGaN結晶を製造する。 (もっと読む)


【課題】工業的に利用可能な方法で、効率良く高品質のGa含有窒化物を均一に結晶成長させること。
【解決手段】少なくとも、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素とGa金属とを含む合金と、窒化物原料とを粉砕して混合した混合物を加熱し、Ga含有窒化物を結晶成長させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ナトリウムフラックス法を用いて窒化ガリウムの単結晶を育成するにあたって、成長速度および収率を増大させる方法を提供する。
【解決手段】ナトリウムに対して、ストロンチウム材料を、金属ストロンチウム換算で3mol%未満添加する。すなわち、金属ストロンチウムベースのmol%で、0<X<3となる微量のXmol%だけ添加する。これによって、GaN系単結晶のc軸方向の成長速度が、Naのみの場合(a)と比較すると、0.05mol%の添加で約3倍以上に増加し、また収率も0.03mol%の添加(b)で約21倍になる。こうして、微量のストロンチウムをナトリウムフラックスに添加することで、GaN系単結晶の収率を大幅に増加することができる。 (もっと読む)


【課題】従来技術の複雑な工程を必要とせず、低コストで高品質なIII族窒化物結晶、その製造方法及びそれを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】反応容器101内には、III族金属としてのGaとフラックスとしてのNaの混合融液102があり、結晶成長可能な温度に制御できるように加熱装置106が具備され、窒素原料としては窒素ガスを用いている。窒素ガスは窒素供給管104を通して、反応容器101外から反応容器101内の空間103に供給することができ、この時、窒素圧力を調整するために、圧力調整機構105が備えられている。これにより、III族窒化物の薄膜結晶成長用の基板となるIII族窒化物結晶が得られる。 (もっと読む)


【課題】高性能の発光ダイオードやLD等の光デバイスや電子デバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】原料104を含む反応容器101と、原料104と反応して結晶を形成させる気体を反応容器101に供給する供給管108と、反応容器101の周囲に設けられた加熱用ヒーター110、111と、加熱用ヒーター110、111および反応容器101を覆う外側容器112とを備える。 (もっと読む)


【課題】アルカリ金属とIII族金属との混合比の変動を抑制してIII族窒化物結晶を製造する結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝10は、金属Naと金属Gaとの混合融液270を保持する。反応容器20は、融液溜め部23を有し、坩堝10の周囲を覆う。融液溜め部23は、アルカリ金属融液280を保持する。ガス供給管90は、ガスボンベ130からの窒素ガスをアルカリ金属融液290を介して反応容器20内へ供給する。支持装置40は、種結晶5を混合融液270に接触させる。種結晶5からのGaN結晶の結晶成長中、加熱装置50,60は、坩堝10を結晶成長温度に加熱し、加熱/冷却器70は、金属融液280から蒸発する金属Naの蒸気圧が混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧に略一致する温度に融液溜め部23を加熱し、加熱/冷却器80は、アルカリ金属融液290を凝集温度に加熱する。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス(発光デバイス,電子デバイス等)に使用可能な、不純物濃度が低い窒化ガリウム(GaN)結晶を安定して作製する。
【解決手段】ガリウム(Ga)と他の金属を合金化した融液に、気相から窒素(N)を供給することによってGaN結晶を成長させる、所謂フラックス法において、フラックスとして金(Au)を用いることにより、不純物濃度が低いGaN結晶を安定して作製する。また、融液に少量添加物としてIIa族元素(アルカリ土類金属元素)を添加することにより結晶形態の制御性や結晶成長速度を改善することが可能である。 (もっと読む)


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