【課題】フラックス法による窒化ガリウムの製造において、易酸化性、易吸湿性物質である金属ナトリウムなどのフラックス成分を、反応段階まで、酸素や湿気から遮蔽して不要な酸化、吸湿を防止する方法を提供する。
【解決手段】易酸化性または易吸湿性物質である金属ナトリウム３、および金属リチウム５などのフラックス成分と金属ガリウムからなる原料２０の全体を金属箔２で隙間なく被覆し、種結晶基板６上に載置する。この状態で容器を結晶育成装置内に設置し、窒素で加圧しながら加熱することにより、原料２０および金属箔２が溶融し、種結晶基板６上に窒化ガリウム単結晶膜が成長する。 （もっと読む）

【課題】フラックスを用いてIII族窒化物単結晶を育成する方法において、育成された単結晶中への自然核発生により生じた雑晶の付着や混入を防止することである。
【解決手段】 フラックスを含む育成原料融液５に種結晶３を浸漬してIII族窒化物単結晶４を育成する。フラックスを含む育成原料融液５の気液界面５Ａと種結晶３との間に、自然核発生により生じた雑晶２の種結晶３への付着を防止する付着防止手段６を設ける。付着防止手段６は例えば網、穴開き板、多孔質体である。 （もっと読む）

【課題】 工程を複雑化させることなく、高価な反応容器を用いることなく、かつ、結晶の大きさが小さくなることなく、高性能の発光ダイオードやＬＤ等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 第１の反応容器１０１内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む混合融液１０２と第１の反応容器１０１の外部から導入される窒素原料とを用いて、III族窒化物結晶を成長させるときに、アルカリ金属蒸気を第１の反応容器１０１内に閉じ込める。 （もっと読む）

【課題】結晶成長速度を向上させた溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ１０内のＳｉ融液Ｍ内に内部から融液面Ｓに向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面Ｓの直下に保持したＳｉＣ種結晶１４を起点としてＳｉＣ単結晶を成長させる方法において、るつぼ１０内の融液Ｍに、るつぼ１０底部から融液面Ｓへ向かう上向きの縦磁場Ｆを印加する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ結晶を安定して製造する製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、Ａｒガス雰囲気中で金属Ｎａおよび金属Ｇａを相互の反応を防止して坩堝内に設置する第１の工程と、坩堝を内部に含む内部反応容器を内部反応容器の内部空間を外部と遮断しながら結晶成長装置に設置するとともに、窒素ガスのガス供給源と内部反応容器とを連結する第２の工程と、内部反応容器の内部空間を外部と遮断しながらガス供給源と内部反応容器との間をパージする第３の工程と、内部反応容器内の第１の圧力と外部反応容器内の第２の圧力との圧力差を第１の基準値以下に保持しながら内部反応容器内および外部反応容器内に窒素原料ガスを充填する第４の工程と、混合融液中における金属Ｎａと金属Ｇａとの混合比を略一定に保持してＧａＮ結晶を結晶成長する第５の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】溶液法による、窒素をドーピングした炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉとＣを含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法において、ドーパントとしての窒素を、前記ＳｉとＣを含む原料を収容している多孔質ルツボの気孔中に吸着している窒素を供給源として前記融液に供給し、炭化珪素単結晶成長中に窒素をドープする。 （もっと読む）

【課題】結晶サイズが大きいＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】反応容器１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２９０を保持する。外部反応容器２０は、反応容器１０の周囲を覆う。配管３０は、反応容器１０の下側において外部反応容器２０に連結される。抑制／導入栓６０は、反応容器１０と外部反応容器２０との連結部よりも下側の配管３０内に固定される。ガスボンベ１４０は、圧力調整器１３０を介して窒素ガスを配管３０へ供給する。抑制／導入栓６０および金属融液１９０は、混合融液２９０から蒸発した金属Ｎａ蒸気の配管３０内への拡散を防止するとともに、空間２３内の圧力と空間３１内の圧力との差圧によって配管３０内の窒素ガスを空間２３内へ供給する。支持装置５０は、種結晶５を混合融液２９０に常時接触させる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属をフラックスとして用いた結晶成長方法によって貫通転位を低減したＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶は、下地体５と、ＧａＮ結晶５３０，５５０とを備える。下地体５は、サファイア基板５０１と、ＧａＮ膜５０２とからなる。ＧａＮ膜５０２は、貫通転位５０２１を有する。ＧａＮ結晶５３０は、下地体５のＧａＮ膜５０２上に結晶成長され、各々が斜めファセット５２１を有する複数のドメイン５２０からなる。ＧａＮ結晶５５０は、ＧａＮ結晶５３０上に形成され、複数のドメイン５４０からなる。 （もっと読む）

【課題】温度をほぼ一定に保持してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２９０を保持する。反応容器２０は、坩堝１０の周囲を覆う。配管３０は、坩堝１０の下側において反応容器２０に連結される。抑制／導入栓５０は、坩堝１０と反応容器２０との連結部よりも下側の配管３０内に固定され、ガスボンベ１４０から圧力調整器１３０を介して配管３０へ供給された窒素ガスを金属融液１９０を介して空間２３内へ供給する。支持装置２１０は、種結晶５を混合融液２９０に接触させる。詰め物２５０は、ヒーター６０，７０の外側に配置される。金属部材２６０は、反応容器２０、ヒーター６０，７０および詰め物２５０を囲む。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属の外部への拡散を確実に防止できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２９０を保持する。反応容器２０は、坩堝１０の周囲を覆う。配管３０は、坩堝１０の下側において反応容器２０に連結される。抑制／導入栓６０は、坩堝１０と反応容器２０との連結部よりも下側の配管３０内に固定される。ガスボンベ１４０は、圧力調整器１３０を介して窒素ガスを配管３０へ供給する。金属融液１９０（＝液体Ｎａ）は、融点以上の温度において坩堝１０と反応容器２０との間および配管３０内に液体として存在する。抑制／導入栓６０および金属融液１９０は、混合融液２９０から蒸発した金属Ｎａ蒸気の配管３０の空間３１内への拡散を防止するとともに、空間２３内の圧力と空間３１内の圧力との差圧によって空間３１内の窒素ガスを空間２３内へ供給する。 （もっと読む）