【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供する。
【解決手段】１３族窒化物結晶の製造方法は、ｃ軸方向の長さＬが９．７ｍｍ以上であり、前記長さＬとｃ面における結晶径ｄとの比Ｌ／ｄが、０．８１３より大きい六方晶構造の窒化ガリウム結晶２５を種結晶として、六方晶構造の１３族窒化物の結晶を成長させて１３族窒化物結晶２７を製造する結晶成長工程を含み、前記結晶成長工程は、結晶側面に、｛１０−１０｝面を含む外周面と、｛１０−１１｝面を含む外周面とを形成し、結晶底面に、｛０００１｝面を含む外周面を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、高品質な高電子濃度のｎ型半導体結晶を製造できるようにすること。
【解決手段】少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、ｎ型の半導体結晶を得る。ガリウムに対するゲルマニウムのモル比を０．０５ｍｏｌ％以上、０．５ｍｏｌ％以下であり、炭素のナトリウムに対するモル比を０．１ ｍｏｌ％以上、３．０ｍｏｌ％以下とした。 （もっと読む）

【課題】大口径かつ反りが少ない１３族窒化物結晶の製造方法、１３族窒化物結晶基板の製造方法、１３族窒化物結晶および１３族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】下地基板の主面上において、三角格子の格子点位置となるよう１３族窒化物結晶の成長開始領域１０５を配置する第１の工程と、前記各成長開始領域１０５から結晶方位を揃えて前記１３族窒化物結晶１０６を成長させる第２の工程と、結晶成長を継続させて、隣り合う前記成長開始領域から結晶成長した複数の前記１３族窒化物結晶１３を連結させて、前記下地基板の主面上に１３族窒化物結晶層１１００を形成する第３の工程と、前記１３族窒化物結晶層１１００の冷却過程において、前記１３族窒化物結晶層１１００と前記下地基板とを剥離させる第４の工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液相成長により、単結晶の窒化アルミニウム材料を製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、種結晶の存在下に、窒化アルミニウム粉末を、窒化リチウムまたは窒化リチウムとアルミニウムの混合物とともに、常圧不活性ガス雰囲気下に加熱する工程を含む窒化アルミニウムの単結晶を製造する方法であって、前記加熱工程において、前記窒化リチウムまたは窒化リチウムとアルミニウムの混合物の組成が（液体＋Li₃AlN₂）相内にあり、且つ、前記窒化アルミニウム粉末に前記窒化リチウムまたは窒化リチウムとアルミニウムの混合物を合わせた全組成が（液体＋窒化アルミニウム＋Li₃AlN₂）相内にあるような温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】融液を攪拌する駆動軸の軸受の摩耗を抑制し、大型で高品質の結晶を得る結晶成長装置の提供。
【解決手段】加熱加圧雰囲気下で原料ガスと融液とを反応させて該融液に浸漬された種基板上に結晶を成長させる反応容器１０と、反応容器１０に挿通して設けられた駆動軸を軸周りに回転させて上記融液を攪拌する攪拌装置と、を備え、上記駆動軸は、反応容器１０を挿通する軸体４１ｂ１に、軸方向で反応容器１０に係止可能な係止部４１ｂ２を設けた第２駆動軸４１Ｂを有しており、第２駆動軸４１Ｂと反応容器１０との間に設けられ、軸方向において、係止部４１ｂ２と対向するすべり面７２ａ及び反応容器１０と対向するすべり面７２ｂの少なくともいずれか一方がセラミックス材から形成されたすべり軸受７０Ｂを有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ供給配管内にＧａＮ（雑晶）が形成されることを抑制し、Ｇａ供給配管の閉塞を抑制することが可能な結晶成長装置を提供する。
【解決手段】加熱加圧雰囲気下で第１原料と、第２原料及びフラックスからなる融液１２と、を反応させて融液１２に浸漬された種基板１１上に結晶を成長させる反応容器１０と、第１原料を反応容器１０に供給する第１供給配管６１と、第１供給配管６１に第１原料を供給する第１供給源６０と、第２原料を反応容器１０に供給する第２供給配管５１と、第２供給配管５１に第２原料を供給する第２供給源５０と、不活性ガスを反応容器１０に供給する第３供給配管６１と、第３供給配管６１に不活性ガスを供給する第３供給源６０と、を備え、第３供給源６０は、融液１２から蒸発したフラックスのガスが第２供給配管５１に流入しないよう第３供給配管６１を介して不活性ガスを反応容器１０に供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 大型化しても、比較的簡単な構成で、坩堝内の融液を均一に撹拌することができる結晶育成用坩堝を提供する。
【解決手段】 結晶育成用坩堝（５）は、結晶を育成する融液を収容するための坩堝本体（２０）と、該坩堝本体（２０）に取り付けられて、融液を撹拌する撹拌部材（２１）とを有する。撹拌部材（２１）は、坩堝本体（２０）の内壁から該坩堝本体の内側に向かって突出する突出部（２３）を有する。突出部（２３）は、表面全体が融液に接触するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物結晶をフラックス法で育成する場合に、結晶の酸素取り込みによる着色を低減することが可能な窒化物結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】育成装置は、フラックスおよび原料を収容するためのルツボ９、ルツボ９を収容する反応容器１、反応容器１を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器３０であって、反応容器１を収容する収容空間１５を形成する本体１１、本体１１の開口を閉塞する蓋１３、および反応容器１を加熱する発熱体１２を備えている圧力容器３０、および、蓋１３を本体１１から離して収容空間１５に反応容器１を収容するときに、本体１１と蓋１３との間の空隙に乾燥気体Ｃを流す気体供給手段２０を備えている。前記製造装置において、除湿された乾燥大気をエアーカーテンのように供給管２０から噴出させることにより、圧力容器３０中の炉材であるセラミックス等の大気暴露による水分の吸着を防止する。 （もっと読む）

【課題】保持基板上に成長したＩＩＩ族窒化物結晶を、結晶品質を劣化させることなく剥離することができる
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）保持基板２０上の表側主面に、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２２を形成する工程と、（ｂ）前記保持基板２０裏側主面からレーザ光を照射して、前記第1のＩＩＩ窒化物結晶層２２の裏面側をレーザ加工する工程と、（ｃ）前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面に第２のＩＩＩ族窒化物結晶層２４を成長する工程と、（ｄ）前記保持基板２０と前記第1のＩＩＩ族窒化物層２２の界面から分離する工程とを備え、（ｅ）前記工程（ｂ）において、前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面にレーザ加工時に発生する分解ガスを放出するガス放出構造体を設ける。これにより、レーザ加工部の基板全体に対する面積を大きくすることができるので、剥離の際の応力による結晶のクラックを低減できる。 （もっと読む）