【課題】
入射電子線により試料上の観察領域内のパターン寸法を計測する方法において、これまで実現困難であった高精度でかつ低ダメージの計測を可能とするパターン寸法計測技術を提供する。
【解決手段】
試料上の観察領域を走査される入射電子線に対して発生する反射電子または二次電子強度の情報から前記観察領域内のパターンの寸法を計測する方法において、前記試料上の複数の観察領域に電子線を照射することで得られる複数の電子顕微鏡像を重ね合わせることにより一つの画像を作成し、重ね合わせた前記一つの画像の強度情報からパターンの寸法を計測することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試験構造を有する基板上のダブルパターニング・オーバレイ誤差の計算の信頼性を改良する。
【解決手段】基板上の第一構造と第二構造の間のオーバレイを測定する方法が提供される。構造は、平行線などの等距離要素を備え、第一及び第二構造の等距離要素が交互になる。本発明によれば、第一構造の要素の設計幅ＣＤ₁は、第二構造の要素の設計幅ＣＤ₂と異なる。設計幅の差を使用して、不適切に測定されたオーバレイ誤差を有する測定点を識別することができる。 （もっと読む）

【課題】エッジ部分のコントラストが希薄であってもラインプロファイルに基づくエッジを適切に判定し、パターンの測長を実行することのできるパターン寸法測定方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明は荷電粒子線の走査によって試料上に形成されたパターンの寸法を測定するパターン寸法測定方法及び装置に関する。当該方法及び装置では、荷電粒子線の走査によって、試料上の画像を形成し、形成された画像の一部の領域を選択し、選択された画像の一部の領域を他の像に置換し、画像の一部が他の像に置換された画像を用いて、パターンの寸法測定を行うようにしている。 （もっと読む）

【課題】わずかな間隔の違いを拡大して表現するモアレ法を、特に微細な領域での測定を得意とする電子線モアレ法を用い、容易に走査照射装置の走査精度を検定する方法を提供する。
【解決手段】検定試料として、グリッドを形成する材料と基板とが粒子線又はエネルギー線に対する透過性又は反射特性又は電子やイオンの発生特性が異なるようにして、前記基板にグリッドが形成された基準板に対して、平行にあるいは鋭角な角度を持って前記粒子線又はエネルギー線を走査状に照射して画像を得る。広範囲における倍率を検定できるよう、基準となるグリッドを校正すべき装置の能力に見合うように作製し、これを用いてモアレ縞を発生させ、このモアレ縞の形状より、走査幅の不均一や不正確さを検定校正する。 （もっと読む）

【課題】
外乱等の影響に依らず、焦点等の調整が行われた高画質画像に基づく測定が可能な試料
の検査，測定方法を提供すること。
【解決手段】
焦点調整が行われた電子ビームを走査して、前記パターンを測定するための画像、或いは測定のための位置合わせを行うための画像を形成し、当該画像の評価値と、予め取得された参照画像の画像評価値を比較し、当該参照画像との比較によって、前記形成された画像が所定の条件を満たさないと判断される場合に、前記電子ビームの焦点調整を再度実行する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ランスと溶銑の液面との距離を、処理ガスの吹き付け中であっても正確に計測でき、処理ガスとの反応特性を改善できるランス装置を提供する。
【解決手段】ランスにマイクロ波距離計を組み込み、該マイクロ波距離計によりランスと溶融金属の液面との距離を検出し、検出した位置情報を基にランスの位置を制御するランスの位置制御方法、並びに炉内の溶融金属に処理ガスを吹き付けるための噴射口を備えるランスと、前記ランスに組み込まれ、該ランスから溶融金属の表面までの距離を測定するためのマイクロ波距離計とを備えるランス装置。 （もっと読む）

【課題】探索画像中にテンプレートと類似したパターンが存在する場合でも正確なマッチング位置を出力する検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】画像探索部にテンプレート選択画像におけるテンプレートの相対位置と探索画像における現在探索中の場所の相対位置を比較してその位置ずれ量を出力する相対位置比較部を有し、マッチング位置決定部において探索画像類似度分布情報のみならず、前記位置ずれ量をも考慮しマッチング位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】寸法検査工程において、回路パターンまたはＱＣパターンの活性化領域上のゲート電極寸法を高精度に計測し、半導体装置を安定して製造する。
【解決手段】測定対象の画像データから、配線幅プロファイルを取得し、設計データベースから活性化領域の幅やピッチなどの下層レイヤの寸法を取得し、活性上解析領域を幅、およびピッチで設定し、画像の端からの位置をｘとする。活性上解析領域の配線幅の平均値をＡＥＩ＿Ａ（ｘ）として計算する。位置ｘを０からＴまで移動すると、配線幅の平均値ＡＥＩ＿Ａ（ｘ）は下層レイヤのピッチ構造に応じて変動する。下層レイヤの活性化領域と活性上解析領域が一致した場合、配線幅の平均値ＡＥＩ＿Ａ（ｘ）は最大値をとる。この極値を活性領域上のゲート電極寸法の計測結果とし、半導体装置の製造工程を管理する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズがあるパターン画像から算出されるパターンの寸法やエッジの凹凸（エッジラフネス）を算出する際に、より真の値に近い値を得る。
【解決手段】画像内のエッジ近傍を表す帯状領域のうち、幅が狭い部分・広い部分でのエッジ位置の画像処理パラメータ依存性、あるいは、エッジ点がラインの外側にある部分・内側にある部分でのエッジ点位置の画像処理パラメータ依存性を算出し、計測値が真の値に十分近くなる画像処理条件を算出するか、あるいは、真の値を推定する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク及びウェハー上に形成された測定対象パターンの測定領域を設定し、測定領域の測定位置を自動的に特定し、パターン計測できるパターン計測装置及びパターン計測方法を提供することを目的とする。
【解決手段】計測機能を有する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等のパターン観察・計測手段１０と、パターン描画データより測定対象パターンの設計図形パターンを取り出す描画データ抽出・変換手段２０と、測定対象パターンに設計図形パターンの形状を合わせ込むパターン形状合わせ込み手段３０と、測定対象パターンの測定領域を設定する測定領域設定手段４０と、測定対象パターンの前記測定領域内のパターン計測を行うパターン計測手段５０と、計測データを処理して、最適のパターン計測値を判定する判定手段６０と、装置全体の制御をつかさどる制御手段７０と、から構成されているパターン計測装置である。 （もっと読む）