【課題】走査型電子顕微鏡で得られるパターンを撮像した画像から、フォトマスクのＯＰＣパターンの寸法を精度良く且つ容易に測定することができるパターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、フォトマスクのＯＰＣパターンのうち、所望の範囲のパターンを包含する一回り大きい測定対象領域を設定し、測定対象領域のパターンの寸法を微小な領域毎に測定し、寸法の測定値を統計的に処理したものを曲線で近似し、近似曲線で表れるデータ群のうち、所望の範囲のパターン寸法に相当するデータ群の平均値を、所望の範囲のパターン寸法として推定する。 （もっと読む）

【課題】低段差試料や帯電試料の観察、測定等において、反射荷電粒子信号に基づく画像を形成する際にも、倍率変動や測長誤差によらずに正確な画像を取得する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】二次荷電粒子信号を検出する第１の検出条件と、反射荷電粒子信号を検出する第２の検出条件との間で、荷電粒子線の走査偏向量を補正するように偏向器を制御する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。このような構成によれば、検出する荷電粒子信号の変更による倍率変動や測長誤差を補正することが可能となるため、反射荷電粒子信号に基づく画像を正確に取得することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】所定の設備内の監視対象について、計測センサによる測定と目視による観測（監視）を同時に行うことができる設備監視装置を提供すること。
【解決手段】設備Ｅ内の監視対象を観察する設備監視装置に、監視対象を観察するために用いられる可視光とマイクロ波との共通の経路Ｌ上に設けられ、可視光及びマイクロ波のいずれか一方を透過させると共に、他方を該透過方向とは異なる方向に向けて反射させる分離器２２と、分離器２２によるマイクロ波の透過方向又は反射方向に設けられ、マイクロ波に基づいて監視対象の状態を検出するマイクロ波検出部２４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】無線装置に電波を放射した際に、より大きい発熱量を急峻に得られるようにする。
【解決手段】ＩＣタグ１００において、比較器１３６は、受信電力が所定の大きさ以上であると判定すると、アンテナ１０１とコンデンサ１２１とを接続するようにスイッチ１０２を制御する。この状態において、アンテナ１０１がＩＣタグリーダから送信される電波を受信することで、アンテナ１０１が発熱する。この状態では、ＲＦ回路１１１がアンテナ１０１から切り離されているので、ＩＣタグリーダが強い電波を送信してアンテナ１０１の発熱量を大きくすることができ、より大きい発熱量を急峻に得られる。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト構造であっても、パターン底部の寸法を高精度に計測できる荷電粒子線装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】 アスペクト比の高いパターンが形成された試料のパターン寸法底部を計測する方法において、試料の同一領域に荷電粒子線を第１方向及び第１方向とは逆の第２方向に走査させたときにそれぞれ発生する信号荷電粒子に基づく第１走査像と第２走査像とを比較し、走査像の信号強度が小さい方を真値とし、走査像を再構築し、再構築した走査像を用いて試料に形成されたパターン底部の寸法を計測する。また、その方法を実現する荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の形状を、非破壊、非接触にて検査する技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置１００は貫通ビアＷＨ（凹部）が形成されている基板Ｗを検査する。基板検査装置１００は、ポンプ光の照射に応じて、基板Ｗに向けてテラヘルツ波を照射する照射部１２と、プローブ光の照射に応じて、基板Ｗを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部１３と、テラヘルツ波が基板Ｗの貫通ビア形成領域を透過する透過時間と平坦領域を透過する透過時間との時間差を取得する時間差取得部２４と、該時間差に基づいて貫通ビアＷＨの深度を算出するビア深度算出部２６とを備える。また、基板検査装置１００は、ビア深度算出部２６により算出した貫通ビアＷＨの算出深度と、干渉法を利用する深度測定装置１６によって測定した貫通ビアＷＨの実測深度とに基づいて、貫通ビアＷＨの形状を示す形状指標値を取得する形状指標取得部２７を備える。 （もっと読む）

【課題】物体から放射される電磁波を利用して路面上にある凹凸を検出することのできる路面凹凸検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の路面凹凸検出装置１は、物体から放射される電磁波を検知するアンテナ２と、電磁波の受信電力の変化が所定値以内となる領域を路面領域として検出し、路面領域の受信電力に基づいて基準レベルを設定する基準レベル設定部３と、電磁波の受信電力が基準レベルから所定値以上まで増加してから基準レベルまで減少する領域を増減領域として検出する増減領域検出部４と、受信電力の振幅に基づいて凹凸の高さを検出する凹凸高検出部５と、増減領域における水平方向の幅に基づいて凹凸の幅を検出する凹凸幅検出部６と、路面領域の間に増減領域が存在している場合に増減領域を路面上の凹凸として検出する凹凸検出部７とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターンのエッジの幅及び傾斜角を高精度に測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを試料表面の観察領域で走査させ、電子ビームの照射によって試料の表面から放出された二次電子を、電子ビームの光軸の周りに配置された複数の電子検出器で検出するパターン測定装置において、パターン６１の延在方向に直交し、かつ光軸を挟んで対向する２方向からの画像を取得する。そして、それらの画像から、エッジと直交するライン上のプロファイルＬ６，Ｌ７を抽出し、それらの差分を取った差分プロファイルＬ８を求める。その差分プロファイルＬ８の立下り部分Ｒ２，Ｒ３に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの上端を検出し、ラインプロファイルＬ６、Ｌ７の立ち上がり部分Ｒ１又は立下り部分Ｒ４に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの下端の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波エレメントへの物体の近接を検出するために使用されるセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】少なくとも１つのマイクロ波信号を発生するように構成された信号発生器１０４と、信号発生器１０４に接続された結合器１０６と、結合器１０６に結合されたマイクロ波エレメント１０８と、結合器１０６に接続された処理モジュール１１２が含まれている。マイクロ波エレメント１０８は、少なくとも１つのマイクロ波信号の関数として電磁界を発生するように構成されている。マイクロ波エレメント１０８は、物体１０２が電磁界と相互作用すると、装荷信号を結合器１０６へ反射するように構造化されている。処理モジュール１１２は、基準信号を使用して装荷信号を処理し、マイクロ波エレメント１０８への物体の近接を表すデータ信号を生成するように構成されている。データ信号はサブ−マイクロ波周波数を画定する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ製造分野の局所領域ナビゲーション用の改良された高精度ビーム配置法を提供すること。
【解決手段】例えばメモリ・アレイまたは類似の構造内の個々のビット・セルの欠陥を特徴づけまたは補正するために、本発明の好ましい実施形態を使用して、メモリ・アレイまたは類似の構造内の単一のビット・セルへ迅速にナビゲートすることができる。アレイの（Ｘ軸またはＹ軸に沿った）１つのエッジのセルの「ストリップ」を走査するために高解像度走査を使用して、所望のセルを含む列の位置を特定し、続いて、位置が特定された列に沿って（もう一方の方向に）、所望のセル位置に到達するまで同様に高速走査する。これによって、アレイ全体を画像化するのにかかる時間の大きな消費なしに、パターン認識ツールを使用して、所望のセルへナビゲートするのに必要なセルを自動的に「数える」ことが可能になる。 （もっと読む）