【課題】
試料上の欠陥を，画像取得手段を用いて短時間に多数の欠陥観察を行う方法において，第１の倍率で撮像した画像から誤検出なく欠陥位置を特定し，第２の倍率での撮像を可能とする。
【解決手段】
試料上の欠陥を観察する方法において，画像取得手段を用いて第１の倍率で前記欠陥を含む欠陥画像を撮像し，欠陥画像から欠陥を含まない参照画像を合成し，取得した欠陥画像と合成した参照画像とを比較して欠陥候補を検出し，該欠陥候補を欠陥と正常部に識別する処理を行い，欠陥と識別された部位のみを第２の倍率で撮像するように装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体パターンの検査において、レシピの良不良診断および最適化の作業を自動的に行なう機能を備えた方法を提供する。
【解決手段】半導体パターン上に設定された測定点を含む領域について低倍率のＳＥＭ画像を取得する。次に、予めレシピとして登録されたアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定する。所定の推奨条件を満たさないと判定されたとき、ＳＥＭ画像上より、最適なアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンを選択する。 （もっと読む）

【課題】対象物の断層像にアーチファクトがあっても、それに伴う誤差を生じることなく、正確にポリゴンデータを作成して対象物の３次元画像を正しく表示することのできる３次元画像化方法を提供する。
【解決手段】ＣＴ撮影等により得られた対象物の３次元濃度データを、あらかじめ設定されている一律のしきい値Ｓｔを用いてポリゴンデータを生成する前に、以下の修正を加えることで、アーチファクト等の影響をなくす。３次元濃度データから、仮のしきい値を用いて輪郭（境界）を抽出してその輪郭上の画素ａを順次選択し、その画素ａを通り対象物像の略法線方向の軸に沿い、その軸の周辺所定領域の画素の濃度値を積算して得られるプロファイルを作成して微分することによって当該プロファイルのピーク値を求め、そのピーク位置の濃度値Ｓｐと上記しきい値Ｓｔとの差を算出し、選択された画素ａと周辺の画素の濃度値を、しきい値Ｓｔに近づくように修正する。 （もっと読む）

本方法は機械的ワーク（１０）を断層撮影法によって測定するのに役立つ。本方法では前記ワーク（１０）と前記ワーク（１０）を透過する放射線（２４）とが徐々に相対移動される。前記ワーク（１０）と前記放射線（２４）との相互作用から前記ワーク（１０、１０’）の各移動位置において前記ワーク（１０、１０’）の２次元像（５０、５０’）が結像平面に生成され、前記２次元像（５０、５０’）から前記ワーク（１０）の３次元実像が算出される。前記ワーク（１０、１０’）の内部に存在する規則的な実構造体（１２、１２’）の、２つの異なる移動位置において生成される少なくとも２つの前記２次元像（５０、５０’）から前記２次元像（５０、５０’）内の高コントラストの移行部で点（５２ａ、５２ａ’、５２ｂ、５２ｂ’、５２ｃ、５２ｃ’）が検出され、前記点（５２ａ、５２ａ’、５２ｂ、５２ｂ’、５２ｃ、５２ｃ’）の位置から３次元等価体（６４）が判定され、前記等価体が所定の公称構造体と比較される。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的はパターンエッジの傾斜を評価するのに好適な試料測定方法、及び試料測定装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下にパターンエッジについて、複数の輪郭線を形成し、その輪郭線間の寸法を評価する方法、及び装置を提案する。このように複数の輪郭線を形成することによって、パターンのエッジ部分の傾斜の程度を評価することが可能となる。また、エッジ部分の傾斜の程度の評価値を、面内分布表示することによって、テーパーが形成される要因を特定することが容易になる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、複数のパターンを含むテンプレートを用いたマッチングの際に、一部のパターンの変形や、テンプレートとＳＥＭ画像間に倍率誤差がある場合であっても、高精度なマッチングが可能な方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】
上記課題を解決するための一手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を選択的に用いてマッチングを行う方法、及びそれを実現するための装置を提案する。また、上記課題を解決するための他の手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンに基づく第１のマッチングを行った後、前記所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を用いて第２のマッチングを行う方法、及びそれを実現する装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】耐ノイズ性が高く，僅かな解像力の差異が抽出可能な静電潜像評価方法、静電潜像評価装置、画像形成装置を得る。
【解決手段】静電潜像パターンが形成された光導電性試料の面を荷電粒子ビームにより走査し，パターンによる電気的影響を受けた荷電粒子を捕獲して強度信号を検出し，強度信号から潜像パターンを含む断面プロファイルを抽出し，露光部，非露光部の強度信号から基準量，特徴量を抽出し，光導電性試料の潜像解像力を算出する。空間周波数の異なる複数の静電潜像パターンを光導電性試料の面に形成し，それらの断面プロファイルにおける露光部，非露光部の強度信号のうち，最も空間周波数の低いパターンの露光部における強度信号値，パターン外の非露光部における強度信号値を基準量として，各空間周波数において潜像の解像力を算出し，潜像のレスポンス関数を算出する。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路パターンの欠陥検査において、欠陥検査回数を制限しつつ、致命欠陥の管理を容易にする。
【解決手段】
半導体集積回路の設計者が設計したパターン設計情報５に加え、パターンの重要度をその設計意図に応じて順位付けした設計意図情報６を記憶する。また、露光装置を介して、設計された回路パターンをウエハ上に露光転写する際に、露光装置の特性等によってシステマティックに発生する欠陥を、あらかじめシミュレーションによって予測し、ホットスポット情報７として記憶する。これら設計意図情報６とホットスポット情報７を組み合わせることによって、半導体集積回路の特性に対して、システマティックな欠陥が発生可能性の高い検査場所を限定し、欠陥検査時間を大幅に短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線ＣＴ装置を用いることなく、Ｘ線透視を行うことにより、アルミダイキャスト部品のボイド等の欠陥をはじめとして、透視対象物内部の特異部位の３次元位置情報を正確に知ることができ、加えて３次元の概略形状を知ることのできるＸ線透視を用いた３次元観測方法と、その方法を用いたＸ線透視装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１とＸ線検出器２の対と透視対象物Ｗとの相対位置を変化させ張ることにより、透視方向を少なくとも３方向に相違させた透視対象物Ｗの透視像を取得し、その各透視像上で特異部位の像を抽出し、各透視方向の透視像上で抽出された特異部位の像対応付けした後、各透視方向の透視像上の特異部位の像と、これらの各透視像を得たときのＸ線源１とＸ線検出器２の透視対象物Ｗに対する相対的な３次元位置情報を用いて、特異部位の３次元位置および／または３次元形状を算出し、表示する。 （もっと読む）

【課題】
設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】
本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）