【課題】強度としては弱いものの、物質透過性が高い水平ミュオンを用いて精度よく構造物の内部構造情報を得る方法を提供する。
【解決手段】位置敏感検出手段１は、第１および第２前方位置敏感検出器複合体２，３と鉄等の金属部材４と後方位置敏感検出器複合体５とを具え、前記ミュオンのうち、天頂角50〜90°の範囲で地表に降り注ぐ水平ミュオンを用い、前記構造物の測定対象部を貫通して第１前方位置敏感検出器複合体２に到達する前方水平ミュオンによって、前方水平ミュオンが貫通する前記測定対象部内の経路を特定し、金属部材４を透過して後方位置敏感検出器複合体５に到達した前方水平ミュオンのうち、低エネルギー前方水平ミュオンだけをデータとして収集し、後方水平ミュオンの強度を測定した上で、前記低エネルギー前方水平ミュオンの強度と前記後方水平ミュオンの強度の比から、構造物の内部構造情報を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターン照合方法およびパターン照合装置に関し、平坦試料上で電子光学系の焦点深度を超えた歪みがある場合などに再フォーカス合わせによる電子光学系のパラメータの変化による影響を受けることなく平坦試料の全面に渡って高精度にパターンマッチングしてパターンの位置およびパターン測長を正確に行うことを目的とする。
【解決手段】フォーカスしたときの焦点位置Ｚ０を取得して記憶するステップと、フォーカスしたときの焦点位置Ｚ１を取得するステップと、焦点位置Ｚ０と焦点位置Ｚ１との差ΔＺをもとに、テーブルを参照して回転量ΔＲ１および拡縮倍率ΔＭ１を算出するステップと、回転量ΔＲ１および拡縮倍率ΔＭ１した設計データパターンを生成するステップと、生成した設計データパターンと、他の場所にフォーカスして取得した画像上のパターンとを照合し、パターンの位置および寸法のうちの必要なものを測長するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク又はウェハのホール及びドットパターン形状のラフネスを計測する際に、測定者が計測する箇所を指定する必要がなく、迅速かつ高精度なラフネス計測が可能となるパターン形状計測装置及びパターン形状計測方法を提供する。
【解決手段】計測対象パターンを入力する計測対象パターン入力部１１と、計測対象パターンの輪郭線を抽出する輪郭線抽出部１２と、輪郭線の重心を算出する重心算出部１３を有する。また、輪郭線と重心との距離を算出する距離算出部１４と、計測対象パターンと比較するためのリファレンスパターンの輪郭線とそのリファレンスパターンの輪郭線の重心との距離を算出する距離算出部１５と、距離算出部１４が算出した距離と距離算出部１５が算出した距離との差分を算出する差分算出部１６と、差分からラフネス値を算出するラフネス値算出部１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、設計データ内の凹凸情報を特定するのに好適な方法，プログラム及び装置の提供に係り、一例として同じような部分が羅列するようなパターンであっても、設計データと、画像形成装置等で取得された画像との間のパターンマッチングを高精度に行い得る方法，プログラム及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために、設計データ上のパターンの凹部及び／又は凸部、或いはパターン部及び／又は非パターン部に関する情報を用いて、設計データ上のパターンと、前記画像上のパターンとのパターンマッチングを行うことを特徴とするパターンマッチング方法、及びそのためのプログラムを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の主たる目的の１つは、複雑化・多層化された素子を測長するのに好適な試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によれば、上記目的を達成するために、半導体素子のデザインデータを用いて、試料像上のパターンの寸法を測定するに当たり、試料像、或いは測定対象の半導体素子の状況に応じて、測定条件を変化させる方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、試料像の状態や試料上に形成されている素子の状態に応じて、適切な測定条件を選択することができるため、測定効率の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】高分解能を維持しつつ、短い撮影時間で欠陥の画像情報を取得する荷電粒子ビーム検査方法および装置を実現する。
【解決手段】第１の撮影領域および第１の照射条件を用いた低倍率の第１の欠陥画像情報８６および参照画像情報８７を、すべての欠陥位置で求め、これらの画像から欠陥の高精度欠陥位置情報求め、この高精度欠陥位置情報に基づいて、高倍率の第２の撮影領域および第２の照射条件を設定し、すべての第２の欠陥画像情報８８を取得することとしているので、第１および第２の照射条件を一度切り替えるだけで、すべての撮影を終了し、かつ第２の照射条件を電流の小さいものとして分解能の低下を防止し、高分解能を維持したまま撮影時間を短いものとすることを実現させる。 （もっと読む）

【課題】レシピ作成及び欠陥確認の使い勝手がよく、かつ明確に行うことのできる回路パターンの検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】レシピ作成及び欠陥確認において、対話形式の操作機能を搭載する。レシピ作成の各項目（コントラスト、キャリブレーション等）で必要な入力及び入力目的を明確にする。あわせて、欠陥確認での各項目（クラスタリング、フィルタリング等）で必要な入力及び入力目的を明確にする。これら入力されて得られた結果はレシピに登録する。 （もっと読む）

【課題】
欠陥の特徴を的確に提示することが可能な欠陥画像表示画面を提供する。
【解決手段】
欠陥のサムネイル表示画面において、検査情報や欠陥種類等から、欠陥毎にその欠陥の特徴を最も顕著に表すような画像を決定し、表示する。また、欠陥の詳細表示画面において、検査情報や欠陥種類等を基に、その欠陥の特徴を顕著に表すように表示する画像やその画像の表示順序を定め、表示する。さらに、欠陥画像撮像中または欠陥画像撮像後に、予め指定した規則に基づいて別の欠陥画像取得装置や別の撮像条件により表示用の画像を撮像するためのステップを撮像シーケンスに追加する。 （もっと読む）

【課題】測長ＳＥＭの装置特性を電子線シミュレーションに反映させることで、電子線シミュレーションを用いた計測手法の安定化、高速化、高精度化をはかる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、予め、装置特性と画像取得条件とを反映した電子線シミュレーションを様々な対象パターン形状について行ってＳＥＭ模擬波形を生成し、該生成されたＳＥＭ模擬波形に対応するパターン形状情報との組合せをライブラリとして記憶しておくライブラリ作成過程と、取得した実電子顕微鏡画像と前記ＳＥＭ模擬波形とを比較して前記実電子顕微鏡画像と最も一致度の高い前記ＳＥＭ模擬波形を選択し、該選択されたＳＥＭ模擬波形に対応するパターン形状情報から計測対象パターンの形状を推定する計測過程とを有する測長ＳＥＭを用いた計測対象パターンの計測方法。 （もっと読む）

【課題】基板上の積層構造上のパターンの欠陥を、良好な精度で検出する基板検査装置、および基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板上の第１の層上に該第１の層と組成の異なる第２の層が積層された積層構造上に、該第２の層が一部露出するように形成されたパターンの欠陥を検査する基板検査装置であって、前記基板上に１次電子を照射する電子放出手段と、前記１次電子の照射により生成される２次電子を検出する電子検出手段と、前記電子検出手段で検出された２次電子のデータを処理するデータ処理手段と、前記１次電子の加速電圧を制御する、電圧制御手段と、を有し、前記電圧制御手段は、前記１次電子が、前記第２の層が露出した部分で前記第１の層と前記第２の層の界面近傍以外の、前記第１の層または前記第２の層の中に到達するように加速電圧を制御することを特徴とする基板検査装置。 （もっと読む）