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国際特許分類[G01B15/04]の内容

国際特許分類[G01B15/04]に分類される特許

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【課題】デジタル画像上で測定を実施する。
【解決手段】 共通座標系内の第一の画像内の対応する構造上に第二の画像の構造を写像するために、第二画像に幾何学的変換を用いることにより、第一及び第二の画像を共通座標系内で表示する。初期値から出発して、費用関数の評価結果を考慮して幾何学的変換のパラメーターを更新する。測定は共通座標系内で行なわれる。 (もっと読む)


【課題】計測されるべき対象物(210)をマイクロ波放射線を使用して計測する解決策を提供する。
【解決手段】フィードバック結合された能動ユニット(100)によって発振エネルギを発生する。この解決策は、少なくとも一つの発振器で共振を発生することを含む。各発振器は、少なくとも一つの開放共振器(200)を含み、各共振器は、計測されるべき対象物(210)を共振器の機能的部分として使用することによって、少なくとも一つの能動ユニット(100)に連結され、計測されるべき対象物(210)により、計測されるべき対象物(210)の表面(212)の位置に応じた共振周波数を各発振器で発生する。計測部分(420)は、計測されるべき対象物(210)の少なくとも一つの特性を各発振器の共振周波数に基づいて決定する。 (もっと読む)


【課題】走査型顕微鏡を用いた半導体装置検査工程においてパターンのラインエッジ形状を高精度で広範囲に渡って抽出するための各種パラメータを簡便に最適化する。
【解決手段】走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から画像処理工程で必要になる各種パラメータのうち操作者に理解しやすいものを入力すると、残りのパラメータが自動的に最適化されるようにする。必要な走査線の本数が装置側の可能な値を超えた場合は複数の画像データに分けて走査し取得した画像を重ね合わせて1枚の画像とする。 (もっと読む)


【課題】 潜像担持体の表面に形成された潜像を正確に測定できる静電潜像測定装置並びにこれを用いた潜像担持体の評価方法及び装置を提供する。
【解決手段】 感光体試料50を帯電させる試料設置部30と、帯電した感光体試料50の試料面に光を照射して静電潜像を形成する露光部20と、静電潜像が形成された光導電性試料の試料面に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子照射部10と、荷電粒子ビームが照射されることによって感光体試料50の試料面から放出された二次荷電粒子を検出する二次電子検出部40と、二次電子検出部の検出結果に基づいて感光体試料50の試料面における電荷の分布状態を測定する電荷分布状態測定手段と、感光体試料50の試料面の電界強度のバイアス成分を変える試料バイアス成分変更手段とを有する静電潜像測定装置であって、試料バイアス成分変更手段は、感光体試料の試料面上に配置された透明導電性部材60を含む。 (もっと読む)


【課題】農作物の等級をより正確に判別する。
【解決手段】農作物Aの内側の良否と農作物Aの外側の良否とを総合して等級を判別する。 (もっと読む)


【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、ウエハ上面からの観察のみで入射電子線に対して影になる部分やウエハ内に埋設された構造の検査および定量評価を行い、三次元構造の表示を行なう検査装置および方法を提供する。
【解決手段】ウエハ表面の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分に到達し得るエネルギーを有する電子ビームを照射して、二次的に発生する信号による走査像を取得し(40)、パターンの立体モデルを生成する工程(41)と、得られた二次信号からパターンのエッジの位置情報を検出する工程(44)と信号強度を検出する工程(45)と、検出した情報から被検査パターンの特徴量を算出する工程(46)と、算出したパターンの特徴量から立体構造を構築し、パターンの三次元構造を表示する(47)工程により三次元構造を評価する。 (もっと読む)


【課題】 正確かつ容易にパターンを評価する。
【解決手段】 評価対象であるパターンの画像を取得し、この画像からパターンの輪郭点を検出し、検出された輪郭点を制御点としてパラメータ曲線を作成し、作成されたパラメータ曲線に基づいてパターンを評価する。 (もっと読む)


【課題】微細ラインパターン上のエッジラフネスのうち、デバイスの作成上あるいは材料やプロセスの解析上特に評価が必要となる空間周波数の成分を抽出し、指標で表す。
【解決手段】エッジラフネスのデータは十分長い領域に渡って取得し、パワースペクトル上で操作者が設定した空間周波数領域に対応する成分を積算し、測長SEM上で表示する。または、十分長い領域のエッジラフネスデータを分割し、統計処理と理論計算によるフィッティングを行って、任意の検査領域に対応する長周期ラフネスと短周期ラフネスを算出し測長SEM上で表示する。 (もっと読む)


【課題】
SEMの2次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたSEMによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、被計測対象パターンにおいて傾斜角変化に対して感度が低い領域(平坦部領域)a、c1については、チルト像取得部1521で観察方向φ(2)からチルト像(チルト2次電子画像)I(2)を取得し、形状計測部1523,1524で取得されるチルト像を用いて勾配(表面傾斜角)を推定し、該推定された勾配推定値(表面傾斜角推定値)を積分することによって立体形状S2a、S2cの計測を行うことで、高精度な3次元プロファイル(立体形状)の計測を可能にすることにある。 (もっと読む)


CSCTでは、多色性一次放射線に対して、各ボクセルの散乱機能の正確な再構築を行う方法は、知られていない。本発明の一実施例では、再構築の前に、ビーム硬化補正が行われ、等価水厚さから得られた一次放射線平均減衰データに基づいて、見かけ上正確な再構築を実施することが可能となる。等価水厚さから、エネルギーシフトが算定され、これを用いて、散乱放射線の初期の平均エネルギーが補正される。また、CT再構築は、CSCT再構築の前に実施され、ビーム硬化補正が可能となる。これにより、改良された画質を得ることができ、散乱機能の分解能が向上するという利点が得られる。
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