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国際特許分類[G01B15/04]の内容

国際特許分類[G01B15/04]に分類される特許

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【課題】鉄鋼石やコークスの堆積プロフィール測定をシュータの一旋回毎に行うことで、実際の堆積プロフィールを理論堆積プロフィールにより近づけて最適な高炉の操業を行う。
【解決手段】高炉の内部に鉄鋼石やコークス等の装入物を装入し、堆積させる方法であって、シュータの旋回中、もしくは一回の旋回毎に、検出媒体で堆積物の表面を走査して堆積プロフィールを測定しながら装入物を装入する。また、測定した堆積プロフィールを、予め求めた理論堆積プロフィールと比較し、理論堆積プロフィールからの誤差を修正するようにシュータを制御して新たな装入物を装入する。そして、このような装入方法を用いて高炉を操業する。 (もっと読む)


【課題】半導体回路原版として用いるマスクのパターン寸法を計測する際に、パターンの寸法とともに側壁角度も同時に計測する。
【解決手段】基板表面から放出された二次電子を計数する機構に含まれる波高弁別器9において、一定時間間隔内に検出器に入った電子の個数の計数量を制限することによって、SEM画像のパターン側壁に生じるホワイトバンドの幅とパターン側壁角度の相関関係を強調することができ、予め求めたパターン側壁角度とホワイトバンドの幅の相関関係からパターン側壁角度を非破壊で計測することができる。 (もっと読む)


【課題】高速かつ高感度で微小欠陥を検出する。
【解決手段】実施形態のパターン欠陥検査装置は、検査対象パターンに関する第1のデータに基づいて、前記検査対象パターンに対する電子ビームの照射点の軌道に関するデータを含み前記電子ビームの走査を制御するためのデータである電子ビーム照射点軌道データを生成する電子ビーム照射点軌道データ生成手段と、前記電子ビーム照射点軌道データに従って前記検査対象パターンに電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記電子ビームの照射により前記検査対象パターンから発生する二次電子を検出する二次電子検出手段と、前記二次電子検出手段の出力信号から前記二次電子の信号強度に関する第2のデータを取得する信号強度取得手段と、前記第2のデータから異常点を検出して前記検査対象パターンの欠陥として出力する欠陥検出手段と、を持つ。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の電位コントラスト像から配線のコントラストを簡便かつ正確に認識し、抽出することのできる半導体装置のコントラスト画像処理方法、処理装置、処理プログラムを提供する。
【解決手段】解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像をコントラスト像に合わせて自動的に減色する減色処理と、減色されたコントラスト像に含まれる画素をあらかじめ設定したコントラスト閾値を基準に分類し、複数のコントラストに分別された配線パターンを抽出する配線コントラスト抽出処理と、配線パターンの輪郭部分に含まれるノイズを輪郭部分のシフトにより除去するシフト処理と、を含み、解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像に含まれる配線パターンを所定のコントラストに区分して抽出する。 (もっと読む)


【課題】感光体表面に生じている静電潜像をミクロンオーダーで高精度に計測する静電潜像計測装置および静電潜像計測方法を提供する。
【解決手段】電子銃11と、光源100と、音響光学偏向素子103と、ポリゴンミラー105と、2次電子検出器24と、音響光学偏向素子103の駆動周波数の変化が回折に与える影響を補正する補正手段と、を備えた静電潜像計測装置。1次元方向への走査は音響光学偏向素子103による回折、他の1次元方向への走査はポリゴンミラー105による偏向により行うことで2次元方向への走査を行う。 (もっと読む)


【課題】本発明は、設計データと輪郭線、或いは輪郭線間のマッチングを行うに当たり、両者の対応点を正確に特定する画像処理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、第1の線分によって形成される第1のパターンと、第2の線分によって形成される第2のパターン間の位置合わせを行うときに、第1の線分と第2の線分上にそれぞれ第1の対応点と、第2の対応点を設定し、第1の対応点と第2の対応点間の距離に基づいて、第1のパターンと第2のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出すると共に、第1の線分と第2の線分の形状差に応じて、第1の対応点、及び/又は第2の対応点の位置を変化させる。 (もっと読む)


【課題】電子ビーム装置を用いたパターンの寸法計測または、形状観察において、高スループット化を可能にする。
【解決手段】試料の表面に走査電子顕微鏡(SEM)の収束させた電子ビームを照射し走査して試料から発生する二次電子または反射電子を検出して試料のSEM画像を取得し、取得したSEM画像を処理して画像取得条件を設定し、設定した画像取得条件に基づいて走査電子顕微鏡で試料のSEM画像を取得し、設定した画像取得条件に基づいて取得したSEM画像を処理する走査電子顕微鏡(SEM)を用いて試料を撮像して得たSEM画像を処理する走査電子顕微鏡装置及びその画像取得方法において、画像取得条件を設定するためのSEM画像を取得するときの電子ビームの走査条件と、画像取得条件を設定するためのSEM画像を取得するときの電子ビームの走査条件を変えてSEM画像を取得するようにした。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の2本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の2本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、2本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 (もっと読む)


【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを1枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 (もっと読む)


【課題】パターンの輝度の影響を受けることなく、ラインパターンとスペースパターンを容易に識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。
【解決手段】パターン測定装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、電子ビームの光軸を挟んで設置された第1の電子検出手段及び第2の電子検出手段と、パターンの画像データを生成する画像処理手段と、パターンのラインプロファイルを作成するラインプロファイル作成手段と、第1の電子検出手段で検出された信号と第2の電子検出手段で検出された信号との差分に対応する電子量を基に画像処理手段にパターンの画像データを生成させる制御手段を有する。制御手段は、第1の電子検出手段で検出された信号と第2の電子検出手段で検出された信号との差分を基に作成されたラインプロファイルによりパターンの立下り又は立上りを判定し、ラインの線幅を測定するようにしてもよい。 (もっと読む)


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