【課題】微細パターン中の微小なオープン欠陥やショート欠陥を検出する手法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された基板に電子線を照射し、基板から発生する低エネルギーの二次電子および高エネルギーの反射電子を検出してそれぞれの電子から第１および第２のＳＥＭ像を生成する。第２のＳＥＭ像から輪郭を抽出してパターンの輪郭データを取得し、該輪郭データを第１のＳＥＭ像に適用して検査領域を決定し、該検査領域に対して二値化処理を行うことにより、パターンまたは基板の欠陥を検出する。 （もっと読む）

パターン化された構造の少なくとも１つのパラメータの測定で使用するための方法およびシステムが提供される。方法は：構造の異なる位置上の測定に対応する複数の測定された信号を含む測定されたデータと、理論的信号と測定された信号との間の関係は、構造の少なくとも１つのパラメータを示す理論的信号を示すデータとを含む入力データを提供する過程と；構造の少なくとも１つの性質を特徴付ける少なくとも１つの選択されたグローバルパラメータに基づきペナルティ関数を提供する過程と；フィッティングプロシージャの前記実行は、理論的信号と測定された信号との間の最適化された関係を決定するために前記ペナルティ関数を使用することと、構造の前記少なくとも１つのパラメータを決定するために最適化された関係を使用することとを含む、理論的信号と測定された信号との間のフィッティングプロシージャを実行する過程と；からなる。
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【課題】良品と不良品の形状差異が小さい不ヌレ不良が発生した場合にも、高精度に半田付け状態の良否判定を行う。
【解決手段】基板側半田量を測定する基板側半田量測定ステップと、部品側半田量を測定する部品側半田量測定ステップと、基板側半田量と部品側半田量とに基づいて、半田付け後の良品の半田径を算出する基準半田径算出ステップと、基板にＸ線を照射するＸ線照射ステップと、基板を透過したＸ線を検出するＸ線検出ステップと、検出したＸ線に基づいて、半田付け後の半田の水平断面画像もしくは透過画像を生成する画像生成ステップと、生成した水平断面画像もしくは透過画像から半田径を測定する半田径測定ステップと、基準半田径算出ステップにおいて算出した半田径と、半田径測定ステップにおいて測定した半田径とを比較して、半田付け状態を判定する比較判定ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】十分な強度を有してタイヤに負荷を与える負荷部材によりＸ線が吸収され難く、負荷状態にあるタイヤの鮮明な断面画像を得ることができるタイヤ用ＣＴ装置を供する。
【解決手段】タイヤＴを保持するタイヤ保持装置10と、タイヤ保持装置10により保持されたタイヤＴの外周踏面に負荷部材21を押圧するタイヤ負荷装置20と、タイヤＴにＸ線を照射し透過Ｘ線を検出してタイヤＴの断面画像を得るＸ線ＣＴ装置30とを備えるタイヤ用ＣＴ装置において、負荷部材21は、タイヤＴの外周踏面に対向して接する木板からなる踏面板22がアルミニウム製またはカーボン複合材からなる薄い板材26を加工して形成された薄板構造体25に固着されて構成されるタイヤ用ＣＴ装置。 （もっと読む）

【課題】被測定対象物上のパターンの線幅あるいは線間隔などを測定した測定値の良否を判定する測定値の判定方法に関し、画像撮影時の焦点合わせの不良による画像の不明瞭、更にチャージによる画像ドリフトによる画像の不明瞭などによる、パターンの線幅などの測定不良を自動判定する。
【解決手段】被測定対象物上のパターンの信号強度分布を取得するステップと、取得した信号強度分布からパターンのエッジ位置を検出するステップと、エッジ位置の検出に用いたと同一の信号強度分布からパターンのエッジ部分のスロープ値を検出するステップと、検出したスロープ値が予め設定した所定範囲内のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が正しいと判定し、一方、所定範囲外のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が不良と判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、機構部が高炉内の熱や高濃度粉塵等の影響を受けずに、高精度なプロフィル測定を行うことができる高炉内装入物のプロフィル測定装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波発信器１８と、マイクロ波を放射するアンテナ１１と、 マイクロ波発信器１８とアンテナ１１とを連結する導波管１７と、マイクロ波を反射する反射板１２と、反射板駆動装置２１と、反射板１２と反射板駆動装置２１とを連結する駆動軸２２と、を有し、アンテナ１１、導波管１７のアンテナ１１側の端部１７ａ、反射板１２、駆動軸２２の反射板１２側の端部２２ａが、高炉２の炉頂部に設置され高炉２の炉内に向けた開口部１３を有する耐圧容器１０内に収納され、マイクロ波発信器１８および反射板駆動装置２１が、耐圧容器１０の外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で高精度かつ迅速にパターン形状を評価する。
【解決手段】被評価パターンＰ２の輪郭を検出し、許容値Ｌが予め与えられた基準パターンであってパターンＰ２の評価基準となる基準パターンＲＰ２の輪郭を検出し、基準パターンＲＰ２の輪郭と許容値Ｌに基づいてパターンＰ２の許容範囲ＡＳ２を生成し、検出されたパターンＰ２の輪郭と許容範囲ＡＳ２との相対位置関係を求めることによりパターンＰ２の輪郭と前記許容範囲との包含関係を判定し、さらに、その判定結果に基づいてパターンＰ２の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】評価対象パターンの画像を高速で処理するとともに、コンピュータ資源の効率を向上させる。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ３００により撮像された評価対象パターンの一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｉの時間で取り込む画像取込装置１０と、一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｐの時間で処理して評価対象パターンの評価結果を出力するクラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭと、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭが接続されてこれらを制御するメインノードＭＮを備える分散コンピューティングシステム１において、時間ＴｉおよびＴｐを測定して一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎの取得時間とその処理時間とが一致するように、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮｍ（ｍ≦Ｍ）を推定して一連の画像処理に割り当てる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳＡＤＰのような複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高精度且つ高いスループットにて実現することを目的とする。特に、ギャップ判定が困難な試料であっても、適切にその判定を可能とするパターン測定装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する複数種類の特徴量を抽出し、当該複数種類の特徴量の内、適切な種類の特徴量について、前記パターンの一端側と他端側の特徴量を比較し、当該比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】従来の技術においては、設計データを用いることにより、ウェーハ上の配線等の構成物との相対関係を考慮し、欠陥の重要度の判定は可能であるが、設計データが無い場合は、判定ができなかったので、設計データが入手できない場合についても欠陥検出の実施を可能とする方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスにおいて、製造するための設計データの代わりに、実際のウェーハ上の画像を取得することにより、半導体デバイス上の構成物との相対位置を検出し、欠陥の重要度を判定することを可能とする。 （もっと読む）