【課題】ＦＥＭウェーハを自動測長する場合、測長対象の大きさは登録時と異なっていることが多いだけでなく、測長対象のパターンも崩れていることが多い。このため、測長の可否を自動的に判断することが困難である。
【解決手段】半導体検査システムにおいて、(1) 参照画像から算出される距離画像を利用し、検査画像の輪郭線の位置を特定する処理、(2) 特定された距離画像に対する輪郭線の位置に基づいて欠陥大きさ画像を算出し、当該欠陥大きさ画像から欠陥候補を検出する処理、(3-1) 欠陥候補が検出された場合、検出された欠陥候補の大きさを算出する処理、又は(3-2) 第１及び第２の輪郭線の相違部分を欠陥候補として検出する処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】検査データから解析対象箇所を選択する場合、全体の中で重要性の高い欠陥が解析対象にならなかった。また、欠陥に対してマーキングを一定の位置で行うと、欠陥の形状や大きさにより、欠陥自体に影響を与え、後段の解析装置での解析に支障をきたすという問題があった。更に、ノンパターンウェーハの場合には、ＳＥＭで欠陥が見えない場合、マーキングができなかった。
【解決手段】重要性の高い欠陥が解析対象を選択するため、レビューＳＥＭの自動分類結果を用いて、解析対象欠陥を選択する。また、欠陥自体に影響を与えないため、欠陥毎に距離を変えてマーキングを行う。このため、ＡＤＲまたはＡＤＣで欠陥の形状，サイズを認識して、影響範囲を考慮した距離を追加した距離にマーキングする。更に、ＳＥＭで観察できない欠陥の場合、光学顕微鏡での観察結果を用いてマーキングする。 （もっと読む）

【課題】ｎｍオーダーの表面傷の観察が可能な技術を提供することである。
【解決手段】基体の表面特性を観察する方法であって、基体の表面に、該基体表面を構成する材料の仕事関数と異なる仕事関数を有する材料で構成される膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程において設けられた前記基体表面に存する凹部を埋めた該膜の構成材料が残存するように該基体表面に設けられた膜を除去する膜除去工程と、前記膜除去工程後の基体の表面を電子顕微鏡で観察する観察工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスやデバイスシステムの欠陥箇所や不良箇所を、３次元の電流像を用いて特定することができる３次元像測定装置を提供する。
【解決手段】３次元像測定装置１００は、走査信号を走査ミラー２３に出力する走査回路２４と、第２の対物レンズ２５を光軸に沿って移動させ、光軸方向における試料２００及び第２の対物レンズ２５間の相対距離を変化させる光軸方向移動機構２６と、制御信号を光軸方向移動機構２６に出力する光軸方向移動制御回路２７と、試料２００に流れる誘起電流を出力する導電性プローブ３１と、走査回路２４からの走査信号及び導電性プローブ３１からの電流値に基づいて試料２００の２次元電流像を構築し、光軸方向移動機構２６による各相対距離における各２次元電流像を重ね合わせた３次元電流像を構築する演算部４３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクなどに形成されたホールパターンのラフネスを定量化する際に定量化すべき箇所を人為的に指定したりすることなくラフネスを迅速かつ正確に定量化することのできるホールラフネス定量化装置及びホールラフネス定量化方法を提供する。
【解決手段】計測対象パターンとリファレンスパターンの輪郭線から計測対象パターンのラフネスを定量化する際に、計測対象パターンの輪郭線上に位置する複数点の位置座標とリファレンスパターンの輪郭線上に位置する複数点の位置座標との差分距離を算出し、算出された差分距離に基づいて計測対象パターンのラフネス値を算出する。 （もっと読む）

【課題】原子炉構造物での亀裂の検出等、表面形状の解析が、クラッド等で覆われた場合であってもより高い精度で行える放射線検査装置を提供する。
【解決手段】対向する検査部位６からの放射線の強度を検出位置と対応させて検出する二次元放射線検出器２と、この二次元放射線検出器２の出力信号から放射線強度の二次元位置分布を算出する信号処理部３と、この信号処理部３での処理結果を記憶する情報記憶部４と、この情報記憶部４に記憶された情報に基づく解析を行い検査部位６の表面形状についての解析結果を出力する演算解析部５を備えるもので、信号処理部３が、放射線の強度を放射線の個数に換算する演算手段を備えており、演算された放射線個数による放射線強度の二次元位置分布を算出するものである。 （もっと読む）

【課題】従来技術では極めて困難であった、感光体の表面に生じている電荷分布あるいは電位分布をミクロンオーダーで高分解能の計測を可能にする方法及び装置を提供する。
【解決手段】感光体試料１７に対して、荷電粒子ビームを照射する照射手段２と、該照射によって得られる荷電粒子の信号を検出する検出手段５と、感光体試料１７の電荷分布の状態を測定する測定手段としての画像処理手段５１と、感光体試料１７に複数の潜像パターンを形成するための露光手段３と、露光手段３の光源の発光を制御する発光制御手段としてのＬＤ駆動部２１及び制御手段２０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】人為的判断が入らず、条件により値が変わるなどの不正確さがなく、かつ磁性塗膜以外も適用可能な層厚さ測定方法及び層の界面平滑度の測定方法を提供する。
【解決手段】元素組成の異なる層を有する構造物における層厚さ測定方法であって、前記構造物の断面を作製する断面作製工程１と、前記断面の断面画像を取得する画像取得工程２と、前記取得した断面画像から画像輝度データを得る画像輝度データ取得工程３とを備えており、前記断面画像の厚さ方向において、前記断面画像の前記画像輝度データの変化率が極値となる位置を前記層の界面位置とし、前記界面位置に基づいて前記層の厚さを求める。 （もっと読む）

【課題】規則的な配列パターンのピッチがより微細化するフォトニック結晶やピクセルアレーなどの材料やディバイスなどにおける配列の乱れをより簡便に、正確に、短い時間で、所望の範囲にわたって検出、測定することができる、微小な規則的パターンの配列の乱れを検出測定する方法を提供する。
【解決手段】微小な規則的パターンを有する被検出対象物上に、エネルギー線を所定の走査パターンで照射し、エネルギー線を照射したときに生ずる二次電子発生量、反射粒子量、二次イオン発生量あるいはＸ線量の違いによりモアレ縞を形成させて、そのモアレ縞に基づいて被検出対象物が有する規則的パターンの変形の様子を一度に所定範囲で観察し、局部的な配列の乱れを検出または測定する。 （もっと読む）

【課題】標準試料を使用することなく正確に測定可能な走査型電子顕微鏡及びそれを用いる測定方法を提供すること。
【解決手段】試料６に対して走査する電子線（入射線）を断続的に照射し、該電子線が試料６に照射されたときに発生する後方散乱電子を後方散乱電子検出器２２で検出し、時間差検出部５３により、試料６に照射される電子線と後方散乱電子検出器２２で検出した後方散乱電子との時間差を比較計測し、試料表面の形状を測定する。 （もっと読む）