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国際特許分類[G01B21/30]の内容

国際特許分類[G01B21/30]に分類される特許

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【課題】 本体部を確実に固定して、カンチレバーの振動状態に影響を与えないこと。
【解決手段】 先端に探針3を有すると共に基端側が平板状の本体部4に片持ち状態に支持されたカンチレバー5を、着脱自在に固定するものであって、本体部4を所定位置に位置決めした状態で載置する載置部11を有するベース部材12と、本体部4を載置部11に載置した状態で該本体部4の表面4aに少なくとも接触可能とされ、カンチレバー5の長手方向(軸線A方向)に略直交する方向に延びた押さえ部材13と、該押さえ部材13の両端をベース部材12に向けて所定の圧力で押圧し、押さえ部材13を介して本体部4を載置部11に固定すると共に、押圧を解いて押さえ部材13を本体部4の表面4aから離間可能な押圧手段14とを備え、押さえ部材13が、樹脂性材料から形成されているカンチレバーホルダ2を提供する。 (もっと読む)


【課題】 タイヤ加硫成形装置のプレスで型閉しめされた実際の稼働状態における金型内周面の真円度を測定できる装置を提供する。
【解決手段】 タイヤ加硫成形装置10のプレス11、12で型閉じされるコンテナ13内に、割り金型の上部サイドプレート14、下部サイドプレート15、トレッドセグメント16が組み込まれ、該割り金型に囲まれた内部空間の中央部に、環状に整列されたトレッドセグメント16からなる金型内周面の真円度測定装置20がセットされ、真円度測定装置20は、下端開口の筒状本体21と、該筒状本体21の下端外周面より突出して下部サイドプレート15の中央開口周縁の嵌合部15aに嵌合保持される取付部22と、筒状本体21の空洞に装備される駆動手段25と、該駆動手段25により筒状本体21の外周面に沿って回転移動される非接触変位測定器26を備えている。
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【解決課題】 軽装備な検出機構とすることにより、高精度に3次元的な形状を計測することができるようにする。
【解決手段】 走査型プローブ顕微鏡10は、XY試料ステージ14と、一端が走査機構22に片持ち支持され、開放された他端には探針24が固設されているカンチレバー16と、カンチレバー16をX方向、Y方向、Z方向の各々へ移動させる圧電素子18X、圧電素子18Y、圧電素子18Zを備えた走査機構22と、走査制御回路20とを備えている。また、カンチレバー16の片持ち支持されている側には、発振器26からの高周波信号により駆動されてカンチレバー16を加振する加振用圧電素子28が固設され、また、カンチレバー16には、自己検知型のセンサである歪み抵抗素子30が埋め込まれている。 (もっと読む)


【課題】 大気中で安定的な表面を有し、保管方法が簡便で寿命の長いAFM標準試料を提供すること。
【解決手段】 被検体の垂直方向の測定値を10−10〜10−8mの分解能で直接的に校正する為に用いられるAFM標準試料であって、
主面として(0001)面、または(0001)面から10度以内のオフ角度を持った面を有する単結晶サファイヤ基板からなり、該凹部の内側の面にステップ構造を有することを特徴とするAFM標準試料及びその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 測定系の特性の影響を低減すると共に測定に要する時間の短縮化が図れ、より高精度に試料の物性を測定すること。
【解決手段】 試料を載置する載置面を有するステージ3と、このステージ3を支持するとともに試料表面に垂直な方向に振動自在に構成された支持手段5と、支持装置5を所定の振動用周波数及び振動用振幅で振動させる加振手段7と、支持装置5における垂直方向の移動を制御する移動制御手段6と、先端が試料表面に接触するように配置されたプローブ10と、プローブ先端が試料表面2aに接触した状態でそのプローブ10の振動状態を測定する第1の振動状態測定手段11と、加振手段7を動作させた時に、載置面3aの振動状態を測定する第2の振動状態測定手段13と、第2の振動状態測定手段13によって測定した振動状態の波形と、第1の振動状態測定手段11によって測定した振動状態の波形とを比較することで試料の物性を測定する測定処理手段12とを備えてなるプローブ顕微鏡を提供する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエーハ表面のマイクロラフネス(表面粗さ)を正確に評価する半導体ウエーハの評価方法及び評価装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる2つの測定条件で測定し、該測定した各表面形状のデータをパワースペクトルにそれぞれ変換し、該各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、該判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去してから評価を行なう半導体ウエーハの評価方法及び少なくとも、表面形状測定手段と、パワースペクトル変換手段と、ノイズ成分判別除去手段とを具備する半導体ウエーハの評価装置。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエーハの製造時における研磨や洗浄を効果的に行なうために半導体ウエーハ表面のマイクロラフネスを定量的に評価する半導体ウエーハの評価方法及び前記評価方法を用いた半導体ウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハの評価方法であって、少なくとも、半導体ウエーハの表面形状を測定し、該測定したウエーハの表面形状をパワースペクトルに変換し、該パワースペクトルにおいて、空間波長1μmでのパワースペクトル密度及び/又は空間波長0.1μmでのパワースペクトル密度を求め、該求めたパワースペクトル密度によって前記半導体ウエーハ表面のマイクロラフネスを評価することを特徴とする半導体ウエーハの評価方法及び前記方法により前記ウエーハ表面のマイクロラフネスを評価し、該評価結果に応じて、研磨条件及び/又は洗浄条件を調整することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】電圧依存性カーブの異常時には、不正確な接触電位像を表していた恐れがあったという点である。また、SKPMを用いると専用の構成部品が必要となりコストアップに繋がるという点である。
【解決手段】 試料に対向する導電性探針と、前記探針を加振する加振手段と、前記試料と前記探針を相対的に2次元走査すると共に、前記試料と前記探針との間の距離を変化させるスキャナと、前記試料と前記探針間にバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記バイアス電圧を掃引するバイアス電圧掃引手段と、前記探針からの静電気に関する信号を検出する静電気信号検出手段と、を備えた走査形プローブ顕微鏡であって、前記バイアス電圧を掃引して得られた静電気に関する信号に基づく接触電位差を得ることを特徴とした走査形プローブ顕微鏡。 (もっと読む)


【課題】原子スケールの空間分解能により元素を同定することを可能にする。
【解決手段】測定対象に対してビーム径が1mmよりも小径な高輝度単色X線を照射するX線照射手段と、上記測定対象に対向して配置される探針と、上記探針を介してトンネル電流を検出して処理する処理手段と、測定対象と上記探針と上記測定対象に対する高輝度単色X線の入射位置とを相対的に移動するための走査手段とを備える走査型プローブ顕微鏡とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエーハの製造時における研磨や洗浄を効果的に行なうために半導体ウエーハ表面のマイクロラフネスを短時間で簡易的に評価する半導体ウエーハの評価方法及び前記評価方法を用いた半導体ウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】予め半導体ウエーハ表面の垂直照射・高角度受光のヘイズ値及び/又は斜角照射・低角度受光のヘイズ値を測定すると共に、該ウエーハの表面形状を測定し、該測定したウエーハの表面形状のデータをパワースペクトルに変換し、該パワースペクトルにおいて、空間波長1μmでのパワースペクトル密度と垂直照射・高角度受光ヘイズ値との相関関係及び/又は空間波長0.1μmでのパワースペクトル密度と斜角照射・低角度受光ヘイズ値との相関関係を求めておく半導体ウエーハの評価方法、及び前記方法によりウエーハの表面形状を評価し、該評価結果に応じて研磨条件及び/又は洗浄条件を調整する半導体ウエーハの製造方法。 (もっと読む)


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