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国際特許分類[G01B21/30]の内容

国際特許分類[G01B21/30]に分類される特許

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【課題】測定位置にかかわりなく一定圧の安定した微小接触圧を創成でき、それにより、傾斜部分でも誤差の少ない正確な精密測定を実現することができ、しかも構造が簡単で安価に実施できる極低測定圧接触式測長装置を提供する。
【解決手段】被測定物に測定端子を接触させて測長する形式の測定装置において、測定端子を並進させるための駆動シリンダを有し、かつ、前記駆動シリンダが、微小圧力創成用のために内部に吹き込まれる駆動用気体の一部を流出させる気体流出機構を備えている。 (もっと読む)


【課題】対象物を容易かつ迅速に観察することができる顕微鏡システム、顕微鏡システムを用いた観察条件調整方法および観察条件調整プログラムを提供する。
【解決手段】CPUは、カンチレバーのたわみ量を初期値に設定し(ステップS21)、そのたわみ量を保つように試料の表面にカンチレバーを往復走査させる(ステップS22)。CPUは、表示装置における同一のピクセルに対応する往路高さデータと復路高さデータとを1ピクセル毎に比較し、それらの差分の絶対値(差分値)を算出し、さらに算出された複数の差分値の総和を算出し(ステップS23)、算出された差分値の総和が予め定められたしきい値以下であるか否かを判別する(ステップS24)。CPUは、総和がしきい値以下である場合に現在のたわみ量を基準たわみ量として設定し(ステップS25)、総和がしきい値以下でない場合にたわみ量を再設定する(ステップS26)。 (もっと読む)


【課題】広範囲に渡る試料の観察を容易に行うことができるとともに、迅速かつ正確な観察を行うことが可能な顕微鏡システム、観察方法および観察プログラムを提供する。
【解決手段】試料上の走査単位領域および観察対象領域を設定する。CPUは観察対象領域内の走査単位領域の個数および位置を設定し、各走査単位領域の形状情報を取得する(ステップS21)。CPUは、取得した形状情報に基づいて全ての走査単位領域の上面視画像を表示装置に表示させる(ステップS22)。複数の走査単位領域の上面視画像を使用者が手動で連結する場合、CPUは選択された上面視画像に対するオフセット処理を行う(ステップS27)。オフセット処理は、隣接する走査単位領域の上面視画像の重複領域の画像のピクセルの階調がほぼ等しくなるように一方の上面視画像のピクセルの階調をオフセットすることにより行われる。 (もっと読む)


【課題】基板上の試料の位置特定を容易にし、様々なSPMの規格や、AFMによる液中観察等にも適切な形状を有する、使い勝手に優れたSPM用の基板を提供すること。
【解決手段】基本形状を円形とした、表面が極めて平坦なガラスや雲母等の薄板の弧の1部に角を形成した基板の裏面に、1格子の1辺が数nmから数mmの格子を配設して、その格子を特定するために文字、記号を格子に表記することを特徴とする、汎用性に優れたSPM用基板。 (もっと読む)


【課題】 SPM装置で使用する探針において、観察や加工などで探針先端に付着した物質を、SPM装置内で除去し、探針先端を洗浄することを課題とする。
【解決手段】 異物4が付着した探針1を、サンプル3に押しつける。この時カンチレバー側のスキャナー5とサンプル台6の間で、相対的に水平振動10と垂直振動11を発生させる。探針先端への適切な摩擦を発生することにより、探針1の先端をに付着した異物4を取り除き、洗浄することができる。 (もっと読む)


【課題】
探針アプローチ時間を短縮してインライン装置としてのスループットを向上させた原子間力顕微鏡等の走査型プローブ顕微鏡を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、試料の表面の形状を計測する走査型プローブ顕微鏡であって、試料の表面の高さを探針計測位置から距離L離れた高さ計測位置において計測する高さセンサ116と、高さ計測位置Cでの試料の表面の高さ情報hCを前記高さセンサ116で計測した結果を用いて試料ステージ104を上昇させて、前記高さ計測位置での試料の表面の高さと探針計測位置での試料の表面の高さとの間の高さずれ情報ΔZ又は段差情報(RhC−RhA)に基づき前記探針計測位置における試料の表面と前記探針の先端との間の間隔が所望の範囲(hg)になるように前記試料の表面を前記探針の先端に接近させる制御手段とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 電界集中によりプラズマから受けるダメージを減少させて探針基体の先端部にカーボンナノチューブをプラズマCVD法によって成長させることができるプローブ顕微鏡用探針の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 先端部10aを露出させてタングステン探針10を保持するホルダー26を容器21内に配し、該容器21内に導入した炭素系ガスをプラズマ化し、該プラズマ化した炭素系ガスに先端部10aを曝すことにより、当該先端部10aにカーボンナノチューブ31を成長させる。タングステン探針10の先端部10aには触媒金属が蒸着されている。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、表面粗さ測定が適正に行える形状測定機を提供することにある。
【解決手段】ワーク22の評価対象面の断面形状情報を含む測定データを出力する粗さセンサー14と、該ワーク22上の該粗さセンサー14位置を該評価対象面に沿って相対移動させ、その相対移動量を移動分解能Δθピッチでインデックス移動量情報として出力する相対移動機構12と、該粗さセンサー14からの測定データを、該相対移動機構12が移動分解能Δθ移動するのに要する時間よりも短い一定時間間隔tでサンプリングするタイマーサンプリング手段16と、該相対移動機構12からのインデックス移動量情報に基づき該タイマーサンプリング手段16からの一定時間間隔tの測定データを間隔定ピッチの測定データとし、該間隔定ピッチの測定データに基づきワーク22の表面粗さを評価するデータ処理機構18と、を備えたことを特徴とする形状測定機10。 (もっと読む)


【課題】測定対象の移動距離、或いは測定対象が小さい場合でも測定を可能とする。
【解決手段】測定基準物1及び測定基準物1に沿って一定の測定間隔d1で直線移動及び停止可能なステージ3と、測定基準物1及びステージ3の表面形状及び運動軌跡間の相対変位を検出する変位センサ7とを備え、ステージ3上の2点につき測定間隔d1毎に相対変位を測定した結果に基づき測定基準物1及びステージ3の形状誤差、運動誤差を求める真直度測定装置において、相対変位の測定間隔d1毎の測定を、ステージ3の2点についてステージ3の移動を繰り返し変位センサ7を各別に配置して行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】AFMを用いることで表面が金薄膜104で覆われた尖鋭部103と被測定試料
201との間の距離をトンネル電流が流れる距離にまで近接させることが出来るようにな
り、印加電圧−トンネル電流の関係の面内分布が測れるようになった。しかし、尖鋭部1
03からの電界により被測定試料201中のバンド構造が歪められ、精密に測定を行うこ
とが困難であった。そこで、被測定試料201中のバンド構造をより精密に測定するため
の探針を提供する。
【解決手段】尖鋭部103を覆うように形成された金薄膜104を、さらに酸化シリコン
等からなるトンネル絶縁膜105で覆う。AFMの接触モードで尖鋭部103と被測定試
料201との距離が極めて近くなった場合でも、尖鋭部103を覆う金薄膜104と被測
定試料201との間にはトンネル絶縁膜105分の絶縁物が介在するため、被測定試料2
01のバンド構造を乱さずに測定することができる。 (もっと読む)


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