【課題】 出力飽和を抑制しつつ、正確な測距が可能な測距装置を提供する。
【解決手段】 測距装置は、変調した光を対象物Ｈに照射し、対象物Ｈで反射された光の入射に応答して発生したキャリアを時分割で振り分け、振り分けられたキャリアの電荷量に基づいて、対象物Ｈまでの距離ｄを求める測距装置において、振り分けられたキャリアをそれぞれ蓄積する複数のキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂと、キャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１，Ｖ_ＯＵＴ２のいずれかが、閾値Ｖｔｈを超えたかどうかを判定する比較器ＣＯＭＰ１，ＣＯＭＰ２と、出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１，Ｖ_ＯＵＴ２のいずれかが、閾値Ｖｔｈを超えた旨を、比較器ＣＯＭＰ１，ＣＯＭＰ２が示す場合には、それぞれのキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂの入力側端子Ｐ１，Ｐ３を、それぞれのキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂの蓄積電荷量が減少するよう、一定電位Ｖ_Ａに接続するスイッチＱａ，Ｑｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】 正確な測距を行うことが可能な測距センサ及び測距装置を提供する。
【解決手段】 光感応領域１G内でイオン化された不純物によるポテンシャルφ_PGと、第１及び第２半導体領域ＦＤ１、ＦＤ２内でイオン化された不純物によるポテンシャルφ_ＦＤ１，φ_ＦＤ２の差は、光感応領域と第1及び第2半導体領域で導電型が異なるので、これらの導電型が同一の場合よりも、大きくなる。このようにポテンシャルの差がある状態で、光感応領域１Ｇの導電型を半導体基板１Ａ，１Ａ’と同一のＰ型とし、その不純物濃度を低下させると、光感応領域１Ｇにおけるポテンシャルの横方向分布が、一方向のみに傾斜しやすくなる。光感応領域１Ｇ内で発生したキャリアが第1半導体領域ＦＤ１及び第2半導体領域ＦＤ２内に確実に流れ込みやすくなり、光感応領域１Ｇ内におけるキャリアの残留を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 出力飽和を抑制しつつ、正確な測距が可能な測距装置を提供する。
【解決手段】 複数のキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂは、それぞれ半導体領域ＦＤ１、ＦＤ２に振り分けられたキャリアをそれぞれ蓄積している。また、判定手段としての比較器ＣＯＭＰ１，ＣＯＭＰ２及び論理積回路ＡＮＤは、キャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する値（出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１，Ｖ_ＯＵＴ２）が、全て閾値Ｖｔｈを超えたかどうかを判定している。キャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する値（出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１，Ｖ_ＯＵＴ２）が、全て閾値Ｖｔｈを超えた旨を、判定手段が示す場合には、減算手段としてのスイッチＳＷ１ａ，ＳＷ２ａ及び電荷引き抜き用キャパシタＣ１ａ，Ｃ２ａは、それぞれのキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂに蓄積されたキャリアの電荷量から、一定の電荷量を減じている。 （もっと読む）

【課題】被写体までの距離の計測の精度が悪くなるのを抑制することが可能なセンサを提供する。
【解決手段】このセンサ１００は、ＬＥＤ２から照射されて被写体により反射された反射光を検出することにより被写体までの距離を計測するための画素４２を備え、画素４２は、画素４２に蓄積される信号電荷を衝突電離させて増加するための高電界領域４２２ａを含む。 （もっと読む）

【課題】測距対象物までの距離に比例する出力が正確に得られる位置検出誤差の少ない位置検出用受光素子を提供する。
【解決手段】Ｎ型基板１と、Ｎ型基板１表面に形成されたＰ型抵抗層８と、Ｐ型抵抗層８の両端側にそれぞれ接続された２つの第１アノ−ド電極４と第２アノ−ド電極５とを備える。Ｎ型基板１とＰ型抵抗層８とから受光部９を構成し、受光部９に入射する入射光位置に応じた光電流が第１アノ−ド電極４と第２アノ−ド電極５から出力される。Ｐ型抵抗層８は、第２アノ−ド電極５から第１アノ−ド電極４に向かって不純物濃度が高くなるよう配置された５個の異なる不純物濃度の抵抗部８a〜８eからなり、抵抗部８a〜８eの隣り合う境界部分は、不純物濃度の高い側の抵抗部の不純物濃度以下で、かつ、不純物濃度の低い側の抵抗部の不純物濃度以上である。 （もっと読む）