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国際特許分類[G01J5/20]の内容

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【課題】 磁界中において渦電流の発生を低減して発熱による検出誤差を低減可能な赤外線センサ及びこれを備えた電磁加熱調理器を提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム2と、絶縁性フィルム2に設けられ一対の端子電極を有する感熱素子3と、絶縁性フィルム2にパターン形成され一対の端子電極に接続された導電性の一対の配線パターン4とを備え、一対の配線パターン4が、線状に形成され、感熱素子3を中心にして該感熱素子3から半径方向外方に向けて放射状に延在する複数の放射状パターン4aを有している。 (もっと読む)


【課題】量子井戸型の温度センサにおいて、高い障壁高さを実現できる量子障壁層と量子井戸層とを、フェルミ準位の上昇およびトンネル効果が生じにくい膜厚を持って形成する。
【解決手段】この量子井戸型温度センサは、基体の表面上に量子井戸構造体を備え、量子井戸構造体は、基体に隣接して形成された第1電極層と、第1電極層上に形成されたサーミスタ層と、サーミスタ層上に形成された第2電極層とを有している。サーミスタ層は、量子井戸層を少なくとも一層含み、複数の量子障壁層を有するとともに、第1電極層、サーミスタ層、第2電極層の積層方向に沿って量子井戸層と量子障壁層とが交互に配置されてなる。
そして、量子井戸層および量子障壁層は、これらの層により形成される量子井戸の障壁高さが0.34eVより大きい材料からなり、第1電極層の結晶格子に対する格子不整合率が、それぞれ、4%以下および0.9%以下の材料からなる。 (もっと読む)


【課題】赤外線サーマルディテクタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】赤外線サーマルディテクタ10は、基板20と、検知部30と、サーマルレッグ50とを含む。検知部30は、基板20から離隔され、入射される赤外線光を、局部的な表面プラズモン共鳴を介して吸収し、吸収された赤外線による温度変化によって、抵抗値が変わるように設けられサーマルレッグ50は、検知部30からの信号を基板20に伝達する。 (もっと読む)


【課題】 設置環境に応じて熱バランスの補正が容易にでき、ネジ等を用いずに低コストである赤外線センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム2と、該絶縁性フィルム2の一方の面に互いに離間させて設けられた第1の感熱素子3A及び第2の感熱素子3Bと、絶縁性フィルム2の一方の面に形成され第1の感熱素子3Aに接続された導電性の第1の配線膜4A及び第2の感熱素子3Bに接続された導電性の第2の配線膜4Bと、第2の感熱素子3Bに対向して絶縁性フィルム2の他方の面に設けられた赤外線反射膜とを備え、絶縁性フィルム3の第1の感熱素子3A及び第2の感熱素子3Bの周囲に、複数の孔部Hが並んで形成されている。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能で、かつ感度特性に優れた赤外線温度センサを提供する。
【解決手段】本発明に係わる赤外線温度センサ100は、メンブレン構造を持つ第1感熱素子21によって形成された赤外線検知用素子21と、メンブレン構造を持つ第2感熱素子22によって形成された温度補償用素子22と、前記赤外線検知用素子及び前記温度補償用素子とを支持する基板と、前記赤外線検知用素子上に形成された赤外線吸収膜30と、前記温度補償用素子上に形成されると共に、前記赤外線吸収膜と同一材料にて形成された赤外線放熱膜40を備え、前記赤外線吸収膜は前記第1感熱素子のメンブレン構造上にのみ形成され、前記赤外線放熱膜は前記第2感熱素子のメンブレン構造を跨いで成膜されている。 (もっと読む)


【課題】赤外線撮像素子の熱応答速度によらず高い応答速度で熱画像を表示することの出来る熱画像撮像方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の熱画像撮像方法によれば、『「第一検出値と第二検出値との差」と、「赤外線撮像素子の熱応答速度」とから赤外線検出値を推定すること』とのことから、1スキャンタイム前と現スキャンタイムとの赤外線撮像素子の検出値の変化速度から現スキャンタイム時の赤外線撮像素子の赤外線検出値を推定し、現スキャンタイム時の対象物の温度を推定することが出来る。よって、赤外線撮像素子の熱応答速度によらずスキャンタイム毎に対象物の温度を推定することが出来、熱画像を高い応答速度で撮像することができる。 (もっと読む)


【課題】 熱型検出素子を基体から熱分離する空洞部の深さを規定するスペーサー部材を配線構造として兼用し、かつ、その配線構造により、確実に熱分離できる空洞部の深さを確保することができる熱型検出器、熱型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 熱型検出器は、基体100と、基体100より突出するスペーサー部材104と、スペーサー部材104に支持される支持部材210と、支持部材に支持される熱型検出素子220と、基体内に配置されて熱型検出素子と接続される検出回路510,520と、熱型検出素子と検出回路とを接続する配線部と、を有する。配線部は、基体内に配置された少なくとも一層の第1導電層LIA,LIBと、スペーサー部材内に配置された少なくとも一層の第2導電層LIC,LIDと、支持部材に支持された第3導電層214,238と、第1,第2及び第3導電層の隣接層同士を接続する複数のプラグHLA〜HLDとを含む。 (もっと読む)


【課題】 赤外線検知用と温度補償用との感熱素子間で高い温度差分が得られると共に小型化が可能で、安価な構造を有している赤外線センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム2と、該絶縁性フィルム2の一方の面に互いに離間させて設けられた第1の感熱素子3A及び第2の感熱素子3Bと、絶縁性フィルム2の一方の面に形成され第1の感熱素子3A及び第2の感熱素子3Bに別々に接続された複数対の導電性の配線膜4と、第1の感熱素子3Aに対向して絶縁性フィルム2の他方の面に設けられた赤外線吸収膜5と、第2の感熱素子3Bに対向して絶縁性フィルム2の他方の面に設けられた赤外線反射膜6と、を備え、赤外線吸収膜5が、ITO膜である。 (もっと読む)


【課題】画素のSN比を改良するために読み取り回路によりもたらされるノイズを低減する。
【解決手段】少なくとも1つの抵抗式熱検出器(102)にバイアスをかけて読み取るための電子回路(100)であって、抵抗式熱検出器の電気抵抗に変動があると、抵抗式熱検出器に一定値のバイアス電流を流すことによって抵抗式熱検出器にバイアスをかけることができるバイアス手段と、抵抗式熱検出器(102)の端子で電圧を電流に変換することができ、抵抗式熱検出器の端子の一つにゲートが電気的に接続させる少なくとも1つのMOS型トランジスタ(106)を備える変換手段と、変換手段のMOS型トランジスタのソースに電気的に接続されるベースクリップ電圧生成手段とを備える電子回路を提供する。 (もっと読む)


【課題】 赤外線を効率的に吸収して高精度に検出可能であると共に複数点測定では簡単な温度検出回路で構成可能な赤外線センサおよび温度センサ装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム2と、該絶縁性フィルム2の一方の面に設けられた感熱素子3と、絶縁性フィルム2の一方の面に形成され感熱素子3に接続された一対の金属配線膜4と、を備え、金属配線膜4が、感熱素子3の周囲に該感熱素子3を囲うように配されている。また、温度センサ装置として、基板と、該基板に実装された一つの基準感熱素子と、基板に実装された複数の上記赤外線センサ1と、を備えている。 (もっと読む)


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