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国際特許分類[G01K11/30]の内容

国際特許分類[G01K11/30]に分類される特許

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【課題】排ガス中のガス成分計測装置を備えたエンジンシステムを提供する。
【解決手段】排ガス中のガス成分計測装置を備えたエンジンシステム200Aは、ディーゼルエンジン100と、前記ディーゼルエンジン100からの排ガス201を排出する排気管202と、前記排気管202中の排ガス201の粒子状物質(粒子状物質(PM)等)の濃度を計測するガス成分計測装置10A(10B)とを具備し、ディーゼルエンジン運転中において、排ガス性状を計測することで、例えば燃料噴射圧、噴射タイミングの制御を的確に行うことができる。 (もっと読む)


【課題】 荷電粒子光学装置において試料キャリアの温度を決定する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、荷電粒子光学装置において試料キャリアの温度を決定する方法に関し、該方法は、荷電粒子のビームを用いた試料キャリアの観測を含み、その観測は、その試料キャリアの温度に関する情報を与える。本発明は、TEM、STEM、SEM又はFIBなどの荷電粒子光学装置が、試料キャリアの温度に関する変化を観測するために使用することができるという見識に基づく。その変化は、力学的変化(例えば、二次金属)、結晶学的変化(例えば、ぺロブスカイトの)、及び発光変化(強度又は減衰期間)であってよい。望ましい実施形態において、異なる熱膨張係数を持つ金属(208、210)を示す2つの二次金属(210a、210b)を示し、反対方向に湾曲する。その2つの二次金属間の距離は、温度計として使用され得る。 (もっと読む)


【課題】微小な試料の温度を精度良く測定すること。
【解決手段】電子銃10から放出された電子の試料1への衝突によって試料表面から放出された二次電子および熱電子をシンチレータ20によって光子に変換し、光電子倍増管30で光子数を増加させるとともに電気信号に変換し、光電子倍増管30が出力する電気信号を電気信号増幅器40が増幅し、温度変換器50が電気信号増幅器40によって増幅された電気信号と校正曲線と基づいて試料1の温度を算出するよう構成する。 (もっと読む)


【課題】圧延銅箔からなる負極集電体の熱履歴を測定する適切な方法を提案する。
【解決手段】この熱履歴測定方法は、検査対象となる圧延銅箔について、X線回析(XRD:X-ray diffraction)によって得られる200面と220面とのピーク強度比を求める(ピーク強度比測定工程)。そして、予め求められた圧延銅箔について得られたピーク強度比と熱履歴との相関関係に基づいて、検査対象となる圧延銅箔の熱履歴を求めている(熱履歴算出工程)。 (もっと読む)


【課題】試料台の面内の温度分布を高い分解能で測定する。
【解決手段】非接触温度測定装置1は、試料台の温度分布を測定する装置であり、試料台上20に載置される試料ベース10と、電子線を照射する電子線源2と、電子線照射によって誘起される二次電子を検出する二次電子検出器3と、検出した二次電子に基づいて温度分布を測定する温度測定部(信号処理部7)とを備える。試料ベース10は温度係数を異にする抵抗体の組みを1次元又は2次元に複数配列して構成される。抵抗体の各組みに所定電圧を印加して、各抵抗体の温度に応じた分圧電圧を発生させ、電子線照射によって誘起される二次電子を検出し、検出した二次電子線に基づいて、試料台の温度分布を測定する。 (もっと読む)


【課題】真空加熱装置において、加熱された基板の温度、基板の温度分布を測定する。
【解決手段】真空室と加熱装置とを備える真空加熱装置において、電子ビームを照射によって基板から得られる二次電子を検出する二次電子検出器3と、前記二次電子検出器の検出信号に基づいて、真空室20内に配置される基板の温度を計測する温度計測部10とを備える。温度計測部10は、検出信号から二次電子強度を測定する強度測定部と、二次電子検出器で検出した二次電子強度を温度に変換する温度変換部とを備え、温度変換部は、予め求めておいた二次電子強度と温度との相関関係に基づいて、強度測定部が測定した二次電子強度を温度に変換する。 (もっと読む)


【課題】微小な試料の温度を精度良く測定すること。
【解決手段】電子銃10から放出された電子の試料1への衝突によって試料表面から放出された二次電子および熱電子をシンチレータ20によって光子に変換し、光電子増幅管30で光子数を増加させるとともに電気信号に変換し、光電子倍増管30が出力する電気信号を電気信号増幅器40が増幅し、温度変換器50が電気信号増幅器40によって増幅された電気信号と校正曲線と基づいて試料1の温度を算出するよう構成する。 (もっと読む)


【課題】 マイクロ波を用いて被測定体の温度を測定することができる温度測定装置を提供する。
【解決手段】 被測定体Wに測定波を照射して表面から反射する第1の反射波M1と裏面から反射する第2の反射波M2との伝搬路差に基づいて温度を測定する温度測定装置において、マイクロ波を測定波S1と参照波R1とに分割する分割器50と、測定波を入力する方向性結合器52と、測定波を放射するアンテナ部44と、参照波の位相を変化させつつ出力する位相器54と、第1及び第2の反射波の干渉波と位相器からの位相が変化された参照波とを結合して干渉波を形成する結合器56と、この出力を検出する電力検出部58と、温度に対する伝搬路差の基準値を予め有すると共に、電力検出部の検出結果に基づいて被測定体の温度を求める温度演算部60とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体プロセスでの原位置・非接触温度測定のための改善された方法および装置を提供することである。
【解決手段】単結晶シリコンウェハをプロセスチャンバに配置し、第1と第2の入射X線源をそれぞれ、プロセスチャンバ内の前記ウェハとコミュニケートさせ、所定の第1の放射波長のX線を前記第1のX線源から選択し、所定の第2の放射波長のX線を前記第2のX線源から選択し、ここで第1の放射波長と第2の放射波長は相互に異なっており、選択されたX線を前記ウェハ上の測定スポットにフォーカスし、前記ウェハから反射された第1と第2のX線を受信し、受信された第1の波長の反射X線と第2の波長の反射X線に基づいて、温度測定中のウェハのシフト運動または撓みを考慮してウェハの格子定数を検出し、格子定数によって決定されたウェハの温度を求める。 (もっと読む)


【課題】 基板温度及び基板の温度分布の精度よい測定を、より単純な構成の温度測定装置によって実現すると共に、この温度測定装置を用いることで良質な半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 光源21から半導体基板2に光を照射し、その散乱光を光検出器22によって検出する。検出された散乱光についてスペクトル分析器24でスペクトル分析を行い、分析結果から得られる半導体基板2のバンドギャップの大きさに基づくことにより、温度演算部25aで半導体基板2の温度を演算する。 (もっと読む)


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