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国際特許分類[G01L1/18]の内容

物理学 (1,541,580) | 測定;試験 (294,940) | 力,応力,トルク,仕事,機械的動力,機械的効率,または流体圧力の測定 (8,098) | 力または応力の測定一般 (1,407) | 圧抵抗物質,すなわち加えられた力の大きさまたは方向の変化に応じてオーム抵抗が変化する物質,の特性を利用するもの (99)

国際特許分類[G01L1/18]に分類される特許

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【課題】弁装置に作用する力学的負荷を精度良く遠隔監視できる弁装置の監視システムを提供する。
【解決手段】複数の不純物拡散抵抗で構成されるブリッジ回路を有する半導体基板2を、弁装置の弁棒10,バルブヨーク9,トルクスプリング28、軸のうちの何れかに設け、弁の開閉の伴う状況を、IP変換モジュール19、インターネット網21を通じて遠隔監視センタ20に送信し、送信されたブリッジ回路の計測値からスラスト力とトルクを求め、弁装置の監視に供する。 (もっと読む)


【課題】温度依存性を小さくできるとともに、製造が容易なピエゾ抵抗体等を提供する。
【解決手段】半導体材料に外力が作用したときの抵抗値の変化を利用するピエゾ抵抗体である。半導体材料として、表面の終端の少なくとも一部が水素終端とされたp型半導体特性を持つダイヤモンドを用いることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの機械的な応力を検出するための応力センサにおいて、単純な方法で感度変動を保証する。
【解決手段】半導体チップ2の動作面3に4つの集積抵抗R〜Rを一体化して配置し、該集積抵抗R〜Rによりホートストンブリッジを形成し、該ホーイトストンブリッジにおいて、一方の対辺に配置された抵抗R及びRはp型抵抗であり、他方の対辺に配置された抵抗R及びRはn型抵抗であることを特徴とする応力センサを設ける。 (もっと読む)


【課題】半導体チップに部分的に大きな電流が流れるのを抑制する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、ゲート電極5を有する半導体チップ1と、半導体チップ1の表面に設けられ、当該表面にかかる応力を検出する応力検出用素子7とを備える。そして、半導体装置は、応力検出用素子7で検出された応力に基づいて、ゲート電極5に印加される制御信号を制御する。また、平面視において半導体チップ1の中央部にかかる応力を検出する応力検出用素子7が、第1応力検出用素子7−1として設けられ、平面視において半導体チップ1の外周部にかかる応力を検出する応力検出用素子7が、第2応力検出用素子7−2として設けられることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】縦続接続することが可能な感圧性増幅段を提供する。
【解決手段】感圧性増幅段10は、第1及び第2のユニポーラ型の圧力センサ用トランジスタ12,14,16、18を2組備えており、それぞれ圧電抵抗性の電流経路12d、14d、16d、18dを有し、2つのブリッジ部22,24を有する圧力測定ブリッジとして接続されている。該電流経路12d、14d、16d、18dは直列に接続されている。2つのユニポーラ型の制御トランジスタ26,28を更に備えられており、制御端子26a,28aと第1の端子26b,28b及び第2の端子26c,28cの間に配置された電流経路26d,28dとを有し、第1の端子26b,28b同士及び第2の端子26c,28c同士は互いに接続されており、制御端子26a,28aは、2つのブリッジ部における第1及び第2の圧力センサ用トランジスタの間の接続点22a,24aに夫々接続されている。 (もっと読む)


【課題】 特に、押圧部材と当接する受圧部表面の耐摩耗性を向上させた荷重センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態における荷重センサ1は、荷重を受けて厚さ方向に変位可能な変位部4と、前記変位部4での変位量を検出可能な素子部(ピエゾ抵抗素子6)と、を有し、前記変位部4の荷重を受ける側の面から突出するシリコンからなる突起部5と突起部5の表面5aに成膜された無機絶縁層30とからなる受圧部17が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】欠陥を制御されたナノチューブを含み、物理または化学量を検出するためのセンサの提供することにある。
【解決手段】典型的なナノチューブ・センサ19は、信号処理回路21と接続して使用され、この信号処理回路21は、電力を供給し、そしてセンサからの信号を処理して、検出された量に比例した出力を生成する。ナノチューブは、シリコン酸化物などからなるベース・フィルム23上に配置され、ナノチューブの各端に電極25を含む。信号処理回路21は、限定されるものではないがひずみ、圧力、湿度および光などの検出された量を示す出力信号27を供給する。 (もっと読む)


【課題】小型の触覚センサユニット1を提供する
【解決手段】触覚センサユニット1は、変形を検出するピエゾ抵抗層11Wが形成されたカンチレバー12を有する半導体基板11とカンチレバー12を内部に埋め込んだ弾性体13とピエゾ抵抗層11Wと接続されたバンプ14とを有するセンサチップ10と、接続パッド22と接続された配線層21とを有する配線板20と、を具備し、バンプ14と接続パッド22とを介して、センサチップ10が配線板20にフリップチップ実装されている。 (もっと読む)


【課題】フォースセンサの小型化に伴い、外部からの荷重により支持部に機械的強度を越える応力が発生し、支持部が破壊する問題が発生した。
【解決手段】センサ基板とベース基板との間にストッパを設け、センサ基板の撓みを制限し、支持部に機械的強度を越える応力が発生することを防止した。よって、前記ストッパを設けることで、支持部が破壊することなく荷重を計測できる小型なフォースセンサを提供する。 (もっと読む)


【課題】せん断応力及び接触圧力の直接同時測定に際し、生体へ適用可能で且つ接触圧力による影響を排除したせん断応力の測定ができるセンサ装置70を提供する。
【解決手段】圧力変換素子50はポリピロール薄膜を用い、電極材は銅張ポリイミドフィルムを用いた。せん断応力測定部30は片面側電極10における櫛型電極11aと対面側電極20における櫛形電極21aとの櫛部分を揃わせて対面させ、両電極の間に圧力変換素子50を挟み込む。接触圧力測定部40は片面側電極10における方形電極12aと対面側電極20における櫛形電極21cとを対面させ、両電極の間に圧力変換素子50を挟み込む。4ゲージ法ブリッジ回路60の抵抗変化量の関係に基づき、せん断応力測定部30等における抵抗変化量ΔRaから接触圧力の影響による抵抗変化量ΔRbを差し引きした出力を得ることにより、接触圧力による影響を排除したせん断応力の測定を行う。 (もっと読む)


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