【課題】被検体内対象組織で発生し伝播してきた超音波パルスに対して、対象組織内の被分析物濃度の非侵襲測定に対するバルク組織特性の影響を補償する。
【解決手段】被検体部位にレーザ源１５−１８から近赤外線レーザパルスを照射して対象組織に超音波パルスを発生させるステップａと、検出器３２で超音波パルスを検出して第１信号を発生するステップｂと、超音波パルスが吸光物質内で発生し組織を伝播して検出器で検出されるようにレーザー源と被検体部位の間に吸光物質を配置期間にステップｂと波長とエネルギーとが同じレーザパルスを用いて対象組織内に超音波パルスを発生させるステップｃと、吸光物質で発生した超音波パルスを検出して第２信号を発生するステップｄと、第１、第２信号の強度比を各波長ごとに算出するステップｅと、被分析物の吸光係数を強度比と吸光物質の光学特性とから算出するステップｆと、算出された吸光係数から被分析物の濃度を算出し被分析物のモル吸光係数を算出するステップｇとを備える。 （もっと読む）

【課題】時間とコストがかからない光学計測システムを提供する。
【解決手段】光計測モデルを用いて半導体ウエハ上に形成されたパターニングされた構造を検査する装置は第１製造システム計測プロセッサを有する。その第１製造システムは、第１製造クラスタ、第１計測クラスタ、光計測モデル最適化装置、及びリアルタイムプロファイル推定装置を有する。また、計測プロセッサは第１製造システムと結合する。計測データプロセッサは、材料の屈折率に関するパラメータ及び計測装置に関するパラメータのうちの少なくとも１についてのある範囲内にある一定値を、受け取り、処理し、保存し、かつ伝送するように備えられている。 （もっと読む）

【課題】終端検出を誤り難い光学式終端検出装置およびこれを用いた研磨機を得ること。
【解決手段】被研磨部材Ｓでの研磨の進行に伴う光学定数の変移量を基に終端検出を行う光学式終端検出装置５０を備え、この光学式終端検出装置により終端検出を行いながら研磨材１と被研磨部材とを相対的に移動させて被研磨部材を研磨する研磨機６０を構成するにあたり、被研磨部材での研磨の進行に伴う光学定数の変移パターンに応じた複数種の終端検出用アルゴリズムを予め光学式終端検出装置の記憶部３１に記憶させると共に、被研磨部材での上記の変移パターンを特定する情報を基に複数種の終端検出用アルゴリズムの中から所定の終端検出用アルゴリズムを選定して終端検出を行う終端検出部４５を光学式終端検出装置に設ける。 （もっと読む）

【課題】時間とコストがかからない光学計測システムを提供する。
【解決手段】 光計測モデルを用いて半導体ウエハ上に形成されたパターニングされた構造を検査するシステムは、第１製造クラスタ、計測クラスタ、光計測モデル最適化装置、及びリアルタイムプロファイル推定装置を有する。 （もっと読む）

【課題】動的な状態のキャリア移動度を短時間で且つ正確に測定することができる固体のキャリア移動度測定方法を提供する。
【解決手段】本発明の固体のキャリア移動度測定方法は、フォノンとプラズモンが結合しない測定対象である固体に対し、ポンプ−プローブ分光法を用いて、反射率変化又は透過率変化におけるプラズモンによる実時間振動構造を測定し、その測定データに対し、下記式（１）を用いて時間領域データのフィッティングを行うことにより、プラズモンの緩和時間τを求め、求めた緩和時間τの値を下記式（２）に代入することにより固体のキャリア移動度μを求めることを特徴とする。他に２つの手法がある。




（上記式中、Ａはプラズモンによる振動の振幅、τはプラズモンの緩和時間、ｔは時間、ω_Pはプラズモンの振動数、φはプラズモンの振動の初期位相、ｅは電子の電荷、ｍ^＊は
電子の有効質量である） （もっと読む）

【課題】スキャタロメータの光学システムにおいて、Ｐ偏光とＳ偏光との間で異なる透過損失の効果を最小化する。
【解決手段】基板Ｗの特性を測定するように構成されたインスペクション装置が提供され、このインスペクション装置は、基板Ｗ上に放射を投影するように構成された放射プロジェクタ２と、基板Ｗから反射された放射およびリファレンスミラー１４から反射された放射を検出するように構成されたディテクタ１８と、偏光子１７によって規定されるＰ偏光およびＳ偏光によって受ける透過損失を考慮することによって、検出された放射ビームを正規化するように構成されたデータ処理ユニットとを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単にキャリアの寿命や拡散長を求めるのではなく、直接的に半導体のキャリアの移動度等の電気特性を測定するものであって、高度な時間分解能や高度な演算機能を必要としない半導体電気特性の測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体電気特性の測定装置は、試料である半導体の表面に対して励起光によりキャリアを励起させるための励起光照射手段と、該励起光が照射された全範囲を含む領域に対して、その領域における電界の向きが一方向となるように電界を印加するための電界印加手段と、該励起光が照射された全範囲を含む領域、またはこの領域に相当する半導体の裏面に対して、観測光を照射するための観測光照射手段と、該観測光が該半導体により反射された反射光または透過された透過光を受光するための受光手段と、前記各手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光学ウェハ検査装置に関し、ウェハの回転、及び、ウェハの中心から外周縁までの半径方向の移動を組み合わせたプローブ光の走査機構に簡単な改良を加えることで、プローブ光がウェハを透過することを可能にした構成を実現し、ウェハの厚さ方向全域の検査を行うことを可能にして多くの情報を取得しようとする。
【解決手段】ウェハ１３の材料特性を光学的に検査する装置で、プローブ光１２がウェハ１３を透過可能なように外周縁近傍のみを支持し且つウェハ１３を回転させる機構と、プローブ光１２のウェハ１３への入射角を変える為に傾斜させる機構２２と、ウェハ１３の中心から外周縁までを半径方向にプローブ光１２で走査する為にウェハ１３を移動する機構と、ウェハ１３の一面側からプローブ光１２を入射させる光源１１とウェハ１３を透過して他面側から出射さる透過光１４を検出する検出器１６をもつ光学系とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る成分濃度測定装置は、体動による光音響発生源と音響検出器との設置の位置関係・押し付け圧力のズレ、音響ノイズ、音響検出器と被検体の空気による音波の反射の問題を解決し、かつ、装着中における脱落の可能性を軽減することで、正確な光音響信号を逐次測定することができる。
【解決手段】本発明の成分濃度測定装置１１は、被検体に吸着する吸着体１２と、吸着体１２の吸着面に向けて強度変調光を出射する光源１３と、光源１３の出射する強度変調光によって被検体５で発生した音波を検出する音響検出器１４と、を備え、吸着体１２の吸着によって音響検出器１４を被検体５に固定することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェハ、光学薄膜、ディスプレイスクリーンなどの基体における欠陥の物理的特性を決定して、特定して位置を定める方法に関する。方法は、基体を撮像するためにＰＣスキャナの使用を伴う。特に、透過モード撮像において用いられるＰＣスキャナは、基体の体積に関する情報を決定することを可能にする。方法は、干渉法技術の使用により、層厚、曲率および光学定数などの特性の決定を可能にし、偏光撮像の使用により、複屈折率および歪みの決定を可能にする。方法はまた、例えば、光ルミネセンスおよびエレクトロルミネセンスなどの基体におけるルミネセンスに刺激を与え、ルミネセンスマッピングのために刺激を与えた基体を走査することに関する。
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