国際特許分類[G01N21/01]の内容
物理学 (1,541,580) | 測定;試験 (294,940) | 材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析 (128,275) | 光学的手段,すなわち.赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析 (28,618) | 光学的調査を容易に行なうための配置または装置 (1,559)
国際特許分類[G01N21/01]の下位に属する分類
キュベット構造 (691)
キュベットへの充てんまたは排出 (52)
調査位置へのまたは調査位置からのキュベットまたは固体試料の移動 (26)
光学系構成要素の汚染防止または光路妨害の防止 (135)
国際特許分類[G01N21/01]に分類される特許
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被測定物の測定方法
【課題】凝集性のある被測定物を高感度に測定することのできる測定方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、金属からなり、複数の空隙部が少なくとも1つの配列方向に規則的に配列された空隙配置構造体の少なくとも一方の主面側に、凝集性を有する被測定物を保持し、上記空隙配置構造体に対して一方の主面側から電磁波を照射し、上記空隙配置構造体を透過した電磁波、または、上記空隙配置構造体で反射された電磁波を検出し、検出された電磁波の周波数特性から上記被測定物の物質量を測定する測定方法に関する。
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ガスセンサ
【課題】ガスを効率的に検出できるガスセンサを提供する。
【解決手段】 一態様に係るガスセンサは,1500nm以上,1600nm以下の少なくとも一部を含む第1の波長域の光を掃引発振する第1のレーザ光源と,1000nm以上,1100nm以下の第2の波長域の光を発振する第2のレーザ光源と,前記第1,第2のレーザ光源からの光を混合する混合器と,前記混合された光からの差周波発生により3200nm以上,3400nm以下の第3の波長域の光を生成する波長変換素子と,検査対象ガスが封入され,かつ前記生成された光が通過する内部空間を有する容器と,前記内部空間を通過した光を受光する光検出器と,前記光検出器からの信号に基づき,前記検査対象ガス中の所定のガスの量を算出する算出器と,を具備する。
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被測定物の特性を測定する測定装置および測定方法
【課題】フォトニック結晶のような周期構造部を有する装置を用いて、電磁波の周波数や装置構成を調節することが可能な測定装置を提供し、被測定物の測定を高感度に再現性良く行うこと。
【解決手段】平板状の周期的構造体11,12のギャップ部2に被測定物を保持し、上記周期的構造体を透過した電磁波を検出し、上記周期的構造体で分散した電磁波の周波数特性もしくは位相特性が上記被測定物の存在により変化することに基づいて被測定物の特性を測定する測定装置であって、上記周期的構造体は、平板形状の高屈折率層11a,12aと平板状の低屈折率層11b,12bとが交互に積層されてなることにより複素誘電率が周期的に変化する第1周期構造部11および第2周期構造部12が、被測定物を配置するためのギャップ部を介して平行に配置されている。
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分光測定装置、分光測定方法、及び分光測定プログラム
【課題】 発光材料の評価に好適に用いることが可能な分光測定装置、方法、及びプログラムを提供する。
【解決手段】 試料Sが内部に配置され、励起光を入射する入射開口部21及び試料Sからの被測定光を出射する出射開口部22を有する積分球20と、被測定光を分光して波長スペクトルを取得する分光分析装置30と、データ解析装置50とを備えて分光測定装置1Aを構成する。解析装置50は、波長スペクトルにおいて励起光に対応する第1対象領域、及び試料Sからの発光に対応する第2対象領域を設定する対象領域設定部と、第1、第2対象領域を用いて波長スペクトルを解析する試料情報解析部とを有し、試料情報解析部は、励起光スペクトルについて、参照波長スペクトルでの励起光ピークを、試料の波長スペクトルでの励起光ピークに合わせ、その状態でスペクトルの減算を行う。
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半導体光集積素子及び該半導体光集積素子を備えた光断層撮像装置
【課題】半導体層を積層して形成された同一層構成の積層面に、発光素子と受光素子とが配設された半導体光集積素子を構成するに当たり、発光素子の動作時には動作電流の増大による発熱や余計な発光を抑えることができ、受光素子の動作時には光の吸収効率を高くする半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】基板上に第1の導電型の第1のクラッド層、活性層、及び、第2の導電型の第2のクラッド層を少なくとも含んで積層されてなる発光素子、及び、受光素子が、同一基板上の面内に配置されて成る半導体光集積素子において、
活性層は、導電型の第2の活性領域と、アンドープの第1の活性領域とが積層された構造を備え、
第2の活性領域が、第2の活性領域に対し最も近い位置に積層されている第1もしくは第2のクラッド層と同じ導電型とされている。
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マイクロヒータ素子
【課題】メンブレン構造を有するマイクロヒータ素子の耐久性低下を抑制すること。
【解決手段】マイクロヒータ素子1は、両方の表面に複数の凹凸を有する支持膜2と、支持膜2の一方の表面に設けられる発熱体4と、支持膜2の周囲を支持し、かつ発熱体4と対向する部分が取り除かれた基板3と、含む。発熱体4は、所定の配線パターンが繰り返された構造である。発熱体4は、凹部2Vに形成される。このように、支持膜2は、凹部2Vに発熱体4を有し凸部2Mには発熱体4を有していない。
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光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置
【課題】テラヘルツ電磁波の検出または発生が効率良く行われ、S/N比を向上させることができる光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置を提供する。
【解決手段】基板3と、基板3上に積層された半導体積層群5と、を備え、半導体積層群5は、第1化合物半導体層51と、第1化合物半導体層51上に、第1化合物半導体層51と屈折率が異なると共に励起光の表面反射を低減できる層厚で成長させた第2化合物半導体層52と、を有している。
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ランプ駆動装置
【課題】 点灯状態か否かを正しく判定することができるとともに、点灯後に生じる余剰の電位差によって駆動回路で発生する発熱を抑えることができるランプ駆動装置を提供する。
【解決手段】 放電開始前のランプ1の電極に対し、電源回路7aから直流電圧を供給した状態でトリガ電圧を印加することにより、ランプ1を点灯させるとともに放電を持続させるランプ駆動装置Lであって、放電開始前後の電極電圧の変化量の閾値Tを記憶する基準変化量記憶部21と、放電開始後の電圧モニタ値Bと放電開始前の電圧モニタ値Aとの差分(A−B)を算出する差分算出部11と、差分(A−B)と閾値Tとを比較することにより点灯状態を判定する点灯判定部12とを備え、放電前後の電圧変化により判定を行う。
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光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置
【課題】キャリア寿命を短縮(制御)することで、テラヘルツ電磁波の発生または検出を効率良く行うことのできる光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の電磁波発生検出装置1は、基板3と、基板3上に成長させたバッファ層4と、バッファ層4上に成長させた半導体層5と、を備え、半導体層5は、光電効果が生じる領域内に転位を有した光伝導基板2を備え、半導体層5上に形成されたアンテナ6を備えている。
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省電力モード機能を備えた光学分析装置
【課題】省電力モードへの移行・解除動作の自動化を図ることが可能で、かつ、節電効果と光源の立ち上げ期間の短縮を同時に達成できる光学分析装置を提供すること。
【解決手段】光源11および光源以外の各機器12を有する光学分析手段1、電源供給手段2および制御手段3から構成される。電源供給手段2は、光源用スイッチ23および機器用スイッチ24を有する。制御手段3は、分析スケジュールに応じた予定時刻を記憶するメモリー31、タイマー32および各スイッチのオン・オフ指令を出すCPUを有する。光源用スイッチ23は、給電率が0%を超え100%未満である複数の省電力モードS1、S2に切換え可能である。CPUは、モード切換え時刻T1まで光源用スイッチ23を低いレベルの省電力モードS1に維持し、モード切換え時刻T1で高いレベルの省電力モードS2へ切換えて、立ち上げ開始時刻T2でオンにする。
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