【課題】表示パターンのフレームサンプリングから得られた撮像画像（シグナルイメージ）の収縮、膨張等のフレーム間の幅に不均等な部分が生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出し、液晶パネルのピクセル位置を正確に算出する。
【解決手段】表示パターンを撮像して得られる撮像画像（シグナルイメージ）において、実検出ラインの座標位置を検出した後、次に座標位置を検出する実検出ラインを求める際に、前の実検出ラインの信号強度パターンと比較することによってラインの良・不良の検出、および、不良ラインの収縮又は膨張の判定を行い、次の実検出ラインを求める。ラインの良・不良を検出し、不良ラインの収縮・膨張の判定することによって、ライン幅にばらつきが生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出する。 （もっと読む）

【課題】
ディスクブレーキやドラムブレーキに使用される摩擦材において、摩擦材内部の気孔の状態や亀裂による空隙の有無を迅速、正確、且つ容易に観察することができる摩擦材の分析方法を提供すること。
【解決手段】
摩擦材の成分に含まれず、且つＸ線に対する感度の高い元素である塩素を含む物質を含浸させ、Ｘ線分析装置を用いて摩擦材内部に侵入した塩素を検出し、検出した塩素の分布状態を分析する。
前記塩素を含む物質は、４,４’-メチレンビス（２-クロロアニリン）が好ましい。
摩擦材の内部構造を分析することにより、要求される摩擦特性や振動特性を得るための好適な製造条件を求めることができ、所望の特性の摩擦材を容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】自動欠陥分類機能では、装置毎に適切な処理パラメータが異なるが同一の工程において複数の装置が運用される場合でも、それぞれの分類レシピにおける分類クラスに差が発生しないようにする。
【解決手段】同一の工程で異なる画像撮像装置から得られた画像から同種の欠陥画像を特定する対応欠陥特定部２０９、同一の工程で異なる画像撮像装置から得られた画像を変換し、比較可能な類似した画像に変換する画像変換部２１２、同一の工程の分類レシピについて、同一の分類クラスを定義し、特定された同種の欠陥画像をそれぞれの対応する分類レシピ内の分類クラスに登録するレシピ更新部２１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線のエネルギーに依らず、微小領域における高効率・高感度分析が可能な荷電粒子線分析装置を提供する。
【解決手段】 真空容器（５、６）内で荷電粒子線１７を試料１４に照射し、試料１４から発生するＸ線３をＸ線検出器２８で検出して試料１４を分析する荷電粒子線分析装置４において、構成の異なるＸ線レンズ１（１ａ、１ｂ）を真空容器（５、６）内に２個以上備える。Ｘ線レンズ交換に伴う真空容器の大気開放や真空引きが不要になり、高効率・高感度分析が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 中性粒子ビームの強度を測定することができる、中性粒子ビーム形成装置、それを用いた表面分析装置、中性粒子ビーム形成方法、および表面分析方法を提供する。
【解決手段】 中性ガスを導入してイオンビームを該中性ガスにより中性化して中性粒子ビームに変換する中性化室３と、中性粒子ビームの強度をモニタする中性粒子ビーム強度モニタ機構とを備え、中性粒子ビーム強度モニタ機構は、中性ガスとイオンビームとの電荷交換反応によって中性ガスが帯電して生じる帯電粒子の電荷を計測する機構であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 反射電子像と光学像とを同時に取得することができる電子線分析装置の提供。
【解決手段】 試料表面上の分析位置に所定方向から電子線を照射する電子線源２０と、試料表面上の分析位置で反射した反射電子による信号を検出する反射電子検出器４０と、試料表面上の分析位置を含む領域に前記所定方向から可視光を照射する落射光用光源部６０と、試料表面上の分析位置を含む領域から前記所定方向と逆方向に反射した可視光が入射して、試料表面上の分析位置を含む領域の光学像を取得する画像取得部５１ｂ、７１と、試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、反射電子検出器４０で信号を収集し、信号の強度に基づいて試料表面上の一次元又は二次元範囲の反射電子像を取得する制御部５１とを備える電子線分析装置１であって、落射光用光源部６０は、赤色領域の光を出射しないものとする。 （もっと読む）

【課題】 正確で明るい偏光像を取得できる電子線分析装置の提供。
【解決手段】 電子線源２０と、落射光用光源部６０と、透過光用光源部８０と、可視光又は偏光光が検出面に入射して、試料表面上の分析位置を含む領域の光学像又は偏光像を取得する画像取得部５１ｂ、７１と、落射光用光源部６０からの可視光を所定方向に反射するとともに、所定方向と逆方向からの光を透過して画像取得部７１の検出面に導くハーフミラー９２とを備える電子線分析装置１であって、ハーフミラー９２は、落射光用光源部６０から可視光が出射された際には、落射光用光源部６０からの可視光を所定方向に反射するとともに、所定方向と逆方向からの光を透過して画像取得部７１の検出面に導く第一位置に配置され、一方、透過光用光源部８０から偏光光が出射された際には、所定方向と逆方向からの光が通過しない第二位置に配置されるように移動可能とする。 （もっと読む）

【課題】介在物を起点とする金属の破壊現象を解明するための介在物及び亀裂の３次元構造観察方法において、効率的で高精度な観察方法を提供する。
【解決手段】転動疲労を受けた部材の転動軌道直下において、転動体転がり方向Ｆに略平行な角度をなし、かつ転動面Ｐに略直角な角度をなす１次観察断面Ｐ１を切断・研磨して形成した後、この１次観察断面Ｐ１を観察して介在物３と亀裂４の位置を特定する１次観察工程と、更に収束イオンビームを用いて、前記転動体転がり方向Ｆに対して略直角な角度をなす２次観察断面Ｐ２を所定間隔で連続的に形成して、連続的な断層写真６を取得する２次観察工程と、前記断層写真６を３次元に再構築して３次元的な内部の介在物と亀裂の構造を評価する画像処理工程とを含む、介在物３及び亀裂４の３次元構造観察方法であって、前記２次観察断面Ｐ２を連続的に形成する所定間隔が０．０５〜０．５μｍ、前記収束イオンビームの加速電圧が２０〜３５ｋＶ、ビーム電流が０．５〜１０ｎＡの範囲であること。 （もっと読む）

【課題】正確な検査を短時間で行うことができる欠陥検出装置、欠陥検出方法、及び欠陥検出プログラムを提供する。
【解決手段】配線を有する試料３０に対して電荷を与えることで、与えられた電荷に応じて輝度が変化する画像を、試料３０の配線の方向における異なる箇所で取得する画像取得装置１０と、試料の画像から、欠陥箇所に対応する輝度の不連続点の位置を求める不連続点特定部２３と、複数枚の試料の画像中における輝度の不連続点の位置を比較して、複数枚の画像を取得した箇所の間に、欠陥が存在するか否かを判定する判定部２４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】サンプリング不良により生じる欠陥の誤検出を解消する。
【解決手段】ピクセルに対して異なる電圧の検査信号を二次元で互いに交互に印加する際に得られるピクセルの信号強度パターンの特徴を利用し、検査対象のピクセルに対してｙ方向で隣接するピクセルの信号強度と比較対照することによって、サンプリング不良によるｘ方向のサンプリング点の行が欠如した場合であっても、サンプリング行に含まれるピクセルについて欠陥検出を行う。検査対象のピクセルに対してｙ方向に隣接するピクセルの信号強度との比較対照において、検査対象のピクセルのサンプリング点の信号強度がｙ方向にずれたピクセルのサンプリング点の信号強度と異なる信号強度レベルであるときには正常なピクセルと判定し、検査対象のピクセルのサンプリング点の信号強度がｙ方向にずれたピクセルのサンプリング点の信号強度と同じ信号強度レベルであるときには正常なピクセルと判定する。 （もっと読む）