説明

国際特許分類[G01N23/225]の内容

国際特許分類[G01N23/225]に分類される特許

51 - 60 / 943


【課題】走査型電子顕微鏡により高分子材料の相分離構造、ラメラ構造および結晶の配向状態を解析することが可能な高分子材料の微細構造の観察方法を提供する。
【解決手段】本発明の高分子材料の微細構造の観察方法は、高分子材料を所定の大きさに成形して、観察用の試料とする工程Aと、前記試料を液状の透明樹脂で包埋する工程Bと、前記透明樹脂が硬化した後、クロスセクションポリッシャーにより、前記透明樹脂および前記試料を研磨し、前記試料の観察面の面出しを行う工程Cと、前記面出しされた観察面に、導電膜を形成する工程Dと、前記導電膜が形成された観察面を、走査型電子顕微鏡により観察する工程Eと、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】蛍光マーカーを付着させた標的タンパク質の位置の特定を、同時に多数行う事のできる顕微鏡システムを実現する。
【解決手段】試料306中の標的タンパク質に付与した蛍光マーカーを光324により励起し、蛍光マーカーからの光328を放物面鏡314により集光して光検出器360で検出すると共に、荷電粒子ビーム304を走査する事により蛍光マーカーを不活性にすることによって励起位置を特定する。同時に、放出される二次電子332を放物面鏡314の表面に印加された電界により二次電子検出器320へ向けて偏向させる事により検出して試料像を形成する。 (もっと読む)


【課題】集束イオンビームを利用する微細加工により、微細粒子の凝集体からなる膜の断面を、透過電子顕微鏡観察する目的の薄片化試料を作製する際、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止でき、また、薄片化された部位の大気暴露を防止可能な、薄片化試料の作製方法を提供する。
【解決手段】微細粒子の凝集体からなる膜から抽出した試料片に対し、その二つの断面に集束イオンビームを利用する微細加工を施し、薄片化を行う工程中、各断面に微細加工を施した後、微細加工端面を被覆する、均質な材料からなる薄膜をそれぞれ形成する。形成される均質な材料からなる薄膜は、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止し、また、微細加工端面の大気暴露を防止する、被覆膜として利用される。 (もっと読む)


【課題】 非導電性の物体の微細形状を、物体の形態を変化させることなく観察可能とすること
【解決手段】 観察する物体の表面に液晶を被覆した観察試料を電子顕微鏡内に配置し、前記観察試料を加熱することにより前記液晶の膜厚を変更するとともに、前記走査型電子顕微鏡により前記観察試料を観察する。これにより最適な液晶の膜厚における観察が可能となる。 (もっと読む)


【課題】3元系の酸化物の組成比を容易に測定することができる方法を提供する。
【解決手段】第1元素および第2元素の双方または何れか一方と酸素元素とからなる2元系または3元系の酸化物であって各々の組成比が既知であり互いに異なる複数の標準試料それぞれに対してEPMA測定を行って特性X線スペクトルを求め、これら複数の標準試料それぞれの特性X線スペクトルにおけるエネルギー範囲519〜522eV内のピーク位置に基づいて、このピーク位置と組成比との間の関係式を作成する。この関係式を用いることで、第1元素,第2元素および酸素元素からなる3元系の酸化物である対象物の特性X線スペクトルにおけるエネルギー範囲519〜522eV内のピーク位置から、該対象物の組成比を求める。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複数層を含むパターン画像のように、異種の特徴を持つ複数の領域が含まれる画像に対するパターンマッチングを高精度に行うパターンマッチング装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために本発明では、設計データ、或いは撮像画像に基づいて形成されたテンプレートを用いて、対象画像上でパターンマッチングを実行するパターンマッチング装置であって、異なる複数の対象パターンを含む第1のテンプレートを用いて、第1の対象画像に対するパターンマッチングを実行し、第1の対象画像から、特定パターンを含む領域の情報を除外して第2の対象画像を作成し、当該第2の対象画像と、前記特定パターン以外のパターン情報を含む第2のテンプレートとの間の類似度判定を行うパターンマッチング装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】nmオーダーの表面傷の観察が可能な技術を提供することである。
【解決手段】基体の表面特性を観察する方法であって、基体の表面に、該基体表面を構成する材料の仕事関数と異なる仕事関数を有する材料で構成される膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程において設けられた前記基体表面に存する凹部を埋めた該膜の構成材料が残存するように該基体表面に設けられた膜を除去する膜除去工程と、前記膜除去工程後の基体の表面を電子顕微鏡で観察する観察工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】
本発明は集積回路、磁気ヘッド、磁気ディスク、太陽電池、光モジュール、発光ダイオード、液晶表示パネルなど基板上に発生した欠陥や異物の画像を撮像し、欠陥や異物を種類ごとに分類する欠陥分類装置において、撮像した画像に写っている欠陥の重要度を定量的に計算し、重要度の高い欠陥が写っている画像だけをデータベースに保存することで、ネットワーク負荷やデータベース負荷を低減する。
【解決手段】
本発明は、欠陥座標データを入力し、画像撮像プログラム501にて画像を撮像し、特徴量抽出プログラム502にて撮像した画像から欠陥の特徴量を抽出し、欠陥分類プログラム503にて欠陥を種類別に分類し、重要度予測プログラム504にて欠陥毎に重要度を計算し、画像選別プログラム506にて重要度に基づいて画像をデータベースに伝送するか否かを判定する。 (もっと読む)


【課題】 TFTアレイ基板の欠陥検出において、ゲート方向の線欠陥でも明確に検出することができる線欠陥検出方法及び線欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】 電子ビームをTFTアレイ基板上に照射して、表面電位の走査画像を形成し、前記走査画像からTFTアレイの線欠陥を検出する線欠陥検出方法であって、TFTアレイ基板に電子ビームを照射することにより得られるTFTアレイ基板の表面電位の走査画像を形成する工程と、前記走査画像からTFTアレイが接続された一方向の各画素の画素値を積算する投影処理工程と、前記投影処理されたデータについて、差分処理を行いデータを取得する差分処理工程と、前記差分処理されたデータについて、第1の閾値を設定し、前記第1の閾値を超えた部分の特性値を算出する特性算出工程と、前記特性値について、第2の閾値を設定し、前記第2の閾値に基づいて線欠陥を検出する線欠陥検出工程を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】検査データと組み合わせて設計データを使用するためのさまざまな方法及びシステムが実現される。
【解決手段】設計データ空間における検査データの位置を決定するための一コンピュータ実施方法は、ウェハ上のアライメント部位に対する検査システムにより取り込まれたデータを所定のアライメント部位に対するデータにアラインさせることを含む。この方法は、さらに、設計データ空間における所定のアライメント部位の位置に基づいて設計データ空間におけるウェハ上のアライメント部位の位置を決定することを含む。それに加えて、この方法は、設計データ空間におけるウェハ上のアライメント部位の位置に基づいて設計データ空間における検査システムによりそのウェハについて取り込まれた検査データの位置を決定することを含む。一実施形態では、検査データの位置は、サブピクセル精度で決定される。 (もっと読む)


51 - 60 / 943