【課題】対象物をミリング加工及び検査する。
【解決手段】対象物の第一の表面のミリング加工期間中に、粒子ビームにより対象物の第一の表面をミリング加工する工程と、少なくとも第一の表面ミリング加工期間の大部分において、第一及び第二の表面の間に置かれた関心要素（ＥＯＩ）から構成されうる対象物を、電子検出器により対象物の第二の表面の画像を取得する工程と、対象物の第二の表面のミリング加工期間中に、粒子ビームにより対象物の第二の表面をミリング加工する工程と、少なくとも第二の表面ミリング加工期間の大部分において、電子検出器により対象物の第一の表面の画像を取得する工程とからなるシーケンスを、少なくとも一回反復する。 （もっと読む）

【課題】
複数条件の画像を同時に検出して統合する構成を用いた場合、高レートのデータ転送手段と大容量のメモリや記憶媒体が必要となる。
【解決手段】
複数の撮像条件にて試料の画像データを取得する工程と、前記複数の撮像条件にて取得した複数の画像データを画像記憶部へ格納する工程と、前記複数の画像データのそれぞれより欠陥候補を取得する工程と、前記画像記憶部に格納された、少なくとも２つの撮像条件の前記画像データから、前記複数の画像データのいずれかで検出した前記欠陥候補位置とその周辺を含む部分画像を切り出す工程と、前記欠陥候補に対応する少なくとも２つの撮像条件で取得した前記部分画像を統合処理することで、欠陥候補を分類する工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法である。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と１回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と２回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、１回目の露光の工程で形成されたパターンと２回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 （もっと読む）

【課題】迅速に欠陥レビューを行うことができる欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム３１を試料８の表面に照射し、試料８の表面の観察領域内で電子ビーム３１を走査させる電子鏡筒１と、電子ビーム３１の光軸周りに相互に９０°の角度を開けて配置された４つの電子検出器９ａ〜９ｄと、電子検出器９ａ〜９ｄの検出信号に基づいて、観察領域をそれぞれ異なる方向から写した複数の画像データを生成する信号処理部１１とを備えた欠陥レビュー装置１００において、観察領域のパターンがラインアンドスペースパターンである場合には、欠陥検査部１２によってラインパターンに平行であって電子ビーム３１を挟んで対抗する２方向からの画像データの差分をとった差分画像に基づいて、欠陥の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】パターン中の信号の小さい欠陥の視認性を向上する一方で、レビュー領域全体の情報を可能な限り失わない欠陥検査方法および欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態の欠陥検査方法は、被検査パターンが形成された試料に荷電粒子線を照射し、前記試料から生成される荷電粒子を検出し、得られる信号の時間に対するプロファイルを生成する工程と、前記被検査パターンの頂面に対応する試料の箇所からの荷電粒子により得られた信号の強度がさらに高まることを抑制しつつ前記被検査パターンの底面に対応する試料の箇所からの荷電粒子により得られた信号の強度を高めることにより、信号強度の高低差が縮められた荷電粒子像の撮像方法を、前記プロファイルを用いて決定する工程と、決定した撮像方法で前記被検査パターンの荷電粒子像を取得する工程と、取得した荷電粒子像から前記被検査パターンの欠陥を検査する工程と、を持つ。 （もっと読む）

【課題】高精度に試料の不純物濃度分布を測定する方法を提供する。
【解決手段】本発明の試料の不純物濃度分布を測定する方法は、走査工程、フィルタ工程、二次電子の強度を測定する強度測定工程、ハイパスフィルタ１７のカットオフエネルギー値Ｅｃを段階的にＮ−１回上昇させる工程、及び、二次電子の強度のエネルギー分布曲線ＲＬ、ＲＨを評価する工程とを備える。カットオフエネルギー値Ｅｃの各段階において、走査工程、フィルタ工程、及び、強度測定工程が行われる。ｍを１以上Ｎ以下の任意の整数、ｐを１以上Ｎ−１以下の任意の整数、ｍ段階目のカットオフエネルギー値ＥｃをＥ_ｍ、カットオフエネルギー値ＥｃがＥ_ｍである際に測定された二次電子の強度をＩ_ｍとしたとき、Ｉ_ｐ＋１−Ｉ_ｐの値を、Ｅ_ｐ以上Ｅ_ｐ＋１以下のエネルギーを有する二次電子の強度とみなす。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電気的な接続信頼性を向上させる。
【解決手段】（ａ）半導体基板の主面上に、主導体膜（下地膜）７Ａおよび主導体膜７Ａ上のストッパ絶縁膜（被測定膜）６ｓを積層する工程、（ｂ）ストッパ絶縁膜６ｓに開口部８を形成する工程、を含んでいる。また、（ｃ）開口部８に電子ビーム（励起線）ＥＢを照射して、特性Ｘ線を放出させる工程、および（ｄ）特性Ｘ線を検出し、特性Ｘ線の検出結果に基いて開口部８の底部８Ｂにおけるストッパ絶縁膜６ｓの有無または膜厚を判定する工程、を含んでいる。また、（ｄ）工程では、特性Ｘ線に含まれる複数の元素成分の比率により、ストッパ絶縁膜６ｓの有無または膜厚を判定する。 （もっと読む）

【課題】試料表面に１０ｎｍ以下の寸法のスポットサイズを有するイオンビームを発生することが可能な電界イオン源を有するシステムを提供する。
【解決手段】電子ビームを提供することが可能な走査電子顕微鏡と、気体と相互作用してイオンビームを発生させることが可能な気体電界イオン源と集束イオンビーム機器とを具えるシステムであって、走査電子顕微鏡と気体電界イオン源が、使用時に電子ビーム及びイオンビームを用いて試料を調査できるように位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡で画像を撮像するとき，焦点を合わせるために動作させるＺ座標の走査範囲を短くして，焦点を合わせる時間を短縮する。
【解決手段】
走査電子顕微鏡で試料上の複数の箇所のＳＥＭ画像を順次取得することを、最初の所定の数の箇所においては電子ビームの焦点位置を試料の表面の法線方向に所定の範囲走査して電子ビームの焦点を試料の表面に合わせてから試料を撮像し、最初の所定の数の箇所において試料の表面に合わせた電子ビームの焦点位置の情報を用いて試料の表面の曲面形状を推定し、最初の所定の数の箇所で撮像した後は、電子ビームの焦点を試料の表面に合わせるために電子ビームの焦点位置を法線方向へ走査する範囲を推定した曲面情報を用いて最初の所定の数の箇所において走査した所定の範囲よりも狭い範囲で走査して電子ビームの焦点を試料の表面に合わせて前記試料を撮像するようにした。 （もっと読む）

【課題】真空引きや大気圧への開放（リーク）に対して破損しにくく丈夫なＸ線検出器及びそれを備えた表面分析装置を提供する。
【解決手段】開口部１１ａとガス導入口１１ｂとガス排出口１１ｃとを有する検出器筐体１１と、開口部１４ａを有する窓枠１４と、検出器筐体１１と窓枠１４とで挟持されることにより、検出器筐体１１の開口部１１ａと窓枠１４の開口部１４ａとの間に配置され、特性Ｘ線を透過する樹脂製の平板形状の窓材１２と、検出器筐体１１の内部に配置され、電流を測定する芯線１３とを備え、真空引きと大気圧への開放とが可能な試料分析室の内部に配置されるＸ線検出器１０であって、特性Ｘ線を透過しない金属製の第一メッシュ１７ａ、第二メッシュ１７ｂとを備え、検出器筐体１１の開口部１１ａと窓枠１４の開口部１４ａとの間には、第一メッシュ１７ａと窓材１２と第二メッシュ１７ｂとをこの順で挟持されるように配置する。 （もっと読む）