【課題】一対の電極間に堆積する粒子状物質の量によって変化する電気的特性を検出して被測定ガス中に含まれる粒子状物質の量を検出する粒子状物質検出素子の不感時間の安定化を図り、信頼性の高い粒子状物質検出素子を提供する。
【解決手段】絶縁性耐熱材料を用いて検出部１１の所定の範囲を遮蔽層形成領域として覆う電界強度不均一領域遮蔽層１３０を設け、電界強度不均一領域遮蔽層１３０が、電気的特性を検出すべく検出電極１１０、１２０間に電圧を印加したときに検出部１１に形成される電界強度の均一な領域を被測定ガスに露出させ、電界強度の不均一な領域を被測定ガスから隔絶せしめる。 （もっと読む）

【課題】バイオセンサチップを提供する。
【解決手段】本発明は、バイオセンサチップに関し、ターゲット物質と感知物質との間の相互反応によって、前記ターゲット物質を検出するセンシング部と、前記センシング部と電気的に接続された基板回路部と、前記ターゲット物質を含む溶液性物質を前記センシング部に提供するチャンネル部と、前記基板回路部と結合して前記チャンネル部及びセンシング部を覆うカバーと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池の導電層の導電率分布をポリエチレン等の保護シートが貼り合わされた状態で検査することができる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による検査装置は、検査されるべきシート材料（１）をはさんで互いに対向する第１及び第２の平板電極（２ａ，２ｂ）と、第１の平板電極と第２の平板電極との間に接続され、リアクタンス素子とキャパシタ素子とを有する発振回路（４）と、発振回路に接続され、当該発振回路の発振周波数を検出する手段（５）と、シート材料と第１及び第２の平板電極とを２次元的に相対移動させる走査手段とを備える。本発明では、シート材料の導電性シートの導電率の変化を発振周波数の変化として検出する。 （もっと読む）

【課題】耐汚損性と湿度応答性などの計測性能を両立するセンサの構造を提供する。また、様々な物理量の検出装置の一体化が容易な多機能型センサを提供する。
【解決手段】外部との入出力を行うコネクタ５と、前記コネクタの端子部材６とを備えたハウジング部材７と、前記ハウジング部材の内部に搭載された湿度検出素子８を備えた電子回路基板９と、を有し、前記コネクタ端子部材と前記電子回路基板が電気的に接続されており、前記ハウジング部材に設けられたシール部材１１を介して主空気が流れる吸気管１に挿入して取り付けられるセンサの構造において、前記ハウジング部材は、前記ハウジング部材の内部と前記吸気管内部とを連通する複数の連通通路１３を備え、前記複数の連通通路は、前記吸気管を流れる前記主空気流れの流れ方向に対してオフセットして配置され、かつ、前記吸気管の内壁面付近に開口部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置のトンネル絶縁膜の電荷分布を評価することが可能な半導体記憶装置の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置の評価方法は、浮遊ゲート型の半導体記憶装置の評価方法である。時間の対数の変化に対する前記半導体記憶装置のメモリセルの閾値電圧Vtの変化率に、ε*Cr*2k/Tox/qを乗じる。なお、εはトンネル絶縁膜の誘電率であり、Crは前記メモリセルのカップリング比であり、Toxは前記メモリセルのトンネル酸化膜の膜厚であり、kは電荷がデトラップする時の存在確率の減衰率でありk=(2mE/(h/2π)²)^0.5と表され、mは電子の質量、 Ｅは前記トンネル絶縁膜のトラップのエネルギー準位、ｈはプランク定数、πは円周率である。これにより、前記メモリセルのトンネル絶縁膜中の電子濃度分布を求める。 （もっと読む）

【課題】水に含まれる不純物の影響を受けないで構造部材の表面に施された被覆の性能を精度良く評価することができる構造部材表面の被覆性能評価方法を提供する。
【解決手段】表面被覆する対象部材と同じ鋼種の半径５００μｍの細線に、同じ表面被覆を施し、表面被覆対象部位の近傍に当該細線を設置し、当該細線の抵抗を測定することにより、当該細線の腐食速度を求める。プラント運転期間中に表面被覆を再施工時期を把握することができる。これにより、表面被覆の準備に伴うプラント定期検査期間の延長を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、小型であり、かつ安価な化学物質検出センサおよび化学物質検出方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、カイコガ性フェロモン受容体以外の昆虫の嗅覚受容体タンパク質をコードする遺伝子が導入され、ボンビコール受容細胞で前記遺伝子を発現するトランスジェニックカイコガ２を備えることを特徴とする、特定の化学物質を検出するための化学物質検出センサ１が提供される。 （もっと読む）

【課題】超薄膜プラチナ粒界ナノ空間に金属化合物が形成された薄膜をガスセンサの感応膜に適用し、プラチナとナノ化合物の構成金属や膜厚や占有比率や形成条件を変える事で、水素およびそれ以外の様々なガスのセンシングに対応でき、長期信頼性の高い超薄膜ガスセンサを実現するデバイスを提供する。
【解決手段】基板上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを具備し、ゲート電極は、酸素を含有する酸素ドープアモルファス金属と前記金属の酸化物結晶とが混合した金属酸化物混合膜と、前記金属酸化物混合膜上に設けられたプラチナ膜とを有し、プラチナ膜は、複数のプラチナ結晶粒と該プラチナ結晶粒間に存在する粒界領域から構成され、粒界領域は、金属酸化物混合物により埋められ、プラチナ結晶粒の周囲が金属酸化物混合物により囲まれた構造を有するガスセンサ。 （もっと読む）

【課題】ガスセンサの特性劣化を抑制して、警報の正確性低下を抑制することが可能なガス警報器及びその制御方法を提供する。
【解決手段】ガス警報器１は、接触燃焼式ガスセンサ２１により検知対象ガスを燃焼させて得られた出力によりガス漏れを判断するものである。このガス警報器１において判断部１３は、接触燃焼式ガスセンサ２１からの出力の絶対値が第１閾値以上であるかを判断し、警報部３０は、その絶対値が第１閾値以上である場合に、ガス漏れ警報を行う。また、判断部１３は、接触燃焼式ガスセンサ２１からの出力の絶対値が第１閾値より高い第２閾値以上であるかを判断する。センサ駆動制御部１１は、接触燃焼式ガスセンサ２１からの出力の絶対値が第２閾値以上である場合、ブリッジ駆動回路２２を制御して接触燃焼式ガスセンサ２１に対して印加する電圧値を低下させる。 （もっと読む）

【課題】 電気特性に対応した測定が可能な、ＣＮＴ中の半導体型ＣＮＴ含有率の測定方法を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）により形成されたチャネルを有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のｏｎ／ｏｆｆ比を、前記チャネル中のＣＮＴの面積密度を変化させて測定する、ｏｎ／ｏｆｆ比測定工程と、
前記ｏｎ／ｏｆｆ比と、前記ＣＮＴ面積密度、前記ＦＥＴのｏｎ抵抗、前記ＦＥＴのキャリア移動度または前記ＦＥＴのｏｎ電流との相関に基づき、前記ＣＮＴ中の半導体型ＣＮＴ含有率を算出する、半導体型ＣＮＴ含有率算出工程を含むことを特徴とする前記ＣＮＴ中の半導体型ＣＮＴ含有率の測定方法。 （もっと読む）