【課題】無電源で加わった衝撃を検知し、記録することができ、しかも小型化を図り得る衝撃検知・記録装置を提供する。
【解決手段】衝撃検知・記録装置１は、衝撃による機械的エネルギーを電気エネルギーに変換し出力する圧電素子４を有する衝撃センサ２に並列に強誘電体メモリ３が接続されており、強誘電体メモリ３が、強誘電体層を介して対向する第１，第２の電極を有し、強誘電体メモリ３が衝撃が加わった際に圧電素子が変位する部分以外の衝撃センサ部分に一体化されている。 （もっと読む）

【課題】 Ｚ軸方向の加速度による温度変化をより大きな温度変化量として捉えることにより、Ｚ軸方向の感度を向上させるとともに、それぞれの軸方向の温度検出素子において、別方向の加速度による出力が干渉することを軽減してそれぞれの軸方向の加速度の測定精度を向上させる熱感知型加速度センサを提供する。
【解決手段】 センサ基板３に、密封された流体を加熱するためのヒーター４と、センサ基板３平面に対して平行な方向に加わる加速度を求めるためにヒーター４よりも外側の位置で流体の温度を検出する第１温度検出素子６と、センサ基板３平面に対して垂直な方向に加わる加速度を求めるために、ヒーター４よりも内側の位置で流体の温度を検出する第２温度検出素子８とが設けられた熱感知型加速度センサ１であって、第２温度検出素子８は、ヒーター４が配置される平面よりも高い位置に設けられている熱感知型加速度センサ１。 （もっと読む）

【課題】 高精度の三軸の加速度の測定が可能な熱式加速度センサーを提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板の異方性エッチングによって傾斜面からなる貫通孔を形成した基板と、単結晶シリコン基板の異方性エッチングによって凹部を形成した傾斜面を有する基板のそれぞれの複数枚を積層して前記貫通孔と前記凹部によって形成した測定空間と、前記測定空間にいずれかの基板に一体に形成した前記測定空間に位置する複数の発熱手段と複数の測温手段とを設けた三軸加速度センサー。 （もっと読む）

【課題】ガスメータ等の計量器に係り、特に、外部から受けた衝撃の履歴を記録可能とする計量器を提供する。
【課題手段】センサ２ｂは、ＬＰＦ２ｃにより低周波成分（例えば５０Ｈｚ以下）を抽出し（Ｓ１０２）、所定のサンプリング間隔（例えば１００Ｈｚ）で３軸方向加速度値を計測する（Ｓ１０1）。フィルタリングされた低周波成分信号は、ＣＰＵ２ａに伝送される。通常、センサ２ｂは、メータ設置状態において垂直方向の重力加速度を継続的に検出するが、ある瞬間に低周波成分の加速度の絶対値が閾値以上（請求項における第一の閾値に該当）に上昇した場合は（Ｓ１０３においてＹＥＳ）、外部からの衝撃を受けたものと判定して（Ｓ１０４）、その前後一定時間の加速度値、時刻データの取り込みを行い、メモリ部２ｅに時系列にデータ保存する（Ｓ１０５）。さらに、中央監視センター１１に対して被衝撃の発生を通報する（Ｓ１０６）。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術をベースとして加速度センサを製造する場合、複雑構成の加速度センサを得ることができるものの、ＭＥＭＳ特有の製造プロセスを経る必要があり、通常の半導体製造プロセスとの親和性は低い。
【解決手段】半導体装置１００は、凹状のガス流路２２が設けられた積層体１０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出するヒータ４０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出し、かつガス流路２２の延在方向においてヒータ４０を挟み込むように配置された複数の熱センサ３０、５０と、を有する。通常の半導体製造プロセスに対して親和性が高い加速度センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、角度ズレや位置ズレが発生しないように、安定して実装基板に搭載することができつつ、高耐振動性を有した、低背で小型な加速度および角速度検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】加速度および角速度を検出する半導体素子１と、半導体素子１に接続される複数の端子２と、端子２の一部と半導体素子１とを一体にモールドしたパッケージ体とを備えた加速度および角速度検出装置８において、複数の端子２はパッケージ体４の一辺に沿って配列され、パッケージ体４における前記一辺に沿う方向に垂直な方向の長さ寸法Ｌ２が、前記一辺に沿う方向の長さ寸法Ｌ１に対して短くなるように構成した。 （もっと読む）

【課題】回転落下する錘体を用いた防護体への衝撃を計測するのに有効な落下衝撃試験計測システム及びそれに適した錘体の提供を目的とする。
【解決手段】傾斜面に沿って錘体を落下させ、落下してきた錘体を防護体にて受けた状態を計測する落下衝撃計測システムであって、錘体は三軸加速度センサと、当該三軸加速度センサにて得られた加速度を記録する加速度記録手段と、当該加速度記録手段を制御するための外部信号を受信する加速度記録信号受信手段とを備え、防護体は衝撃計測手段を備え、計測制御信号送信機からの無線信号にて前記加速度記録手段と衝撃計測手段とを同期制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、陽極接合時に可動部がガラス基板へ張り付くことを防止し、製造コストを抑制し、且つ接合不良を防止するＭＥＭＳデバイスの製造方法及びＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、半導体基板に固定部と前記固定部の内側あるいは外側に位置する可動部を形成し、ガラス基板の一方の面上に前記半導体基板と対向させたときに前記可動部の周囲に位置する領域に導電部材を配置し、前記ガラス基板の他方の面を前記可動部と対向させた状態で前記半導体基板と前記導電部材の間に電圧を印加して前記半導体基板と前記ガラス基板の陽極接合を行う、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】落下による衝撃があったときのみの履歴を記録しながら、落下による衝撃により電池が外れた場合でも履歴を記録することのできる落下記録装置を提供する。
【解決手段】本発明の落下記録装置は、加速度を検出する加速度検出部１０１と、加速度検出部により検出された加速度から前記装置が落下状態かどうかの判定を行う落下状態検出部１０２と、衝撃を検出する衝撃検出部１０３と、落下状態検出部により落下状態を検出した場合に前記装置の落下開始からの時間を測定するタイマー部１０４と、落下状態検出部により落下状態を検出した場合に前記装置の落下の履歴を蓄積する落下履歴蓄積部１０６と、タイマー部により測定された時間が規定時間以内であるうちに、衝撃検出部により衝撃が検出されなかった場合には、前記落下履歴蓄積部に最後に蓄積した落下履歴情報を消去する落下履歴制御部１０５と、を備えた。 （もっと読む）

最大化された双方向の対称的な減衰のために最適化されて数千Ｇを超える加速度範囲に対応するプルーフマスを備えた新たな高Ｇ範囲減衰加速度センサを提案する。この高Ｇ範囲加速度センサは、最大限の双方向の対称的な減衰を達成するために、プルーフマスの質量を最小にする一方でその表面積を最大化するように設計される。このような高Ｇ範囲減衰加速度センサは、極めて高い頻度での減衰（すなわちリンギングの抑制）が望まれるあらゆる用途に適用することができる。 （もっと読む）