【課題】
検出精度を向上することができる回転角速度センサまたは回転角加速度センサを提供すること。
【解決手段】
回転角速度センサ１は、歪量検出ピース（梁104）の回転方向一方側に設けられた第１歪センサ１１ａと、歪量検出ピースの回転方向他方側に設けられた第２歪センサ１１ｂと、を備え、回転体（ボディ100）の回転に伴い歪量検出ピースに遠心力が作用することによる歪量検出ピースの径方向長さ変化量である第１歪センサ１１ａおよび第２歪センサ１１ｂの出力信号に基づき回転体の回転角速度ωを検出することとした。また、回転角加速度センサ１は、第１歪センサ１１ａと第２歪センサ１１ｂの夫々が、歪量検出ピースの撓みによって伸び方向の撓みと縮み方向の撓みを検出するとき、第１歪センサ１１ａの出力信号と第２歪センサ１１ｂの出力信号の差に基づき回転体の回転角加速度ｄωを検出することとした。 （もっと読む）

【課題】センサ回路における基準電圧を生成するための設計負担を軽減できる基準電位生成回路を提供する。
【解決手段】ＡＳＩＣ３は、センシング素子に接続されたオペアンプ回路１５に基準電位を供給するために、外部電源と接続された電源部１１と、外部電源により供給された電源電圧を一定に制御するレギュレータ部１２と、電源部１１を介して供給された電圧と、レギュレータ部１２を介して供給されたレギュレータ電圧とを切り換える切換部１３と、切換部１３により切り換えられた電圧を、オペアンプ回路１５に供給する基準電位として生成する基準電位生成部１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、慣性センサに関する。
【解決手段】本発明による慣性センサ１００は、絶縁領域１２３と通電領域１２５とに区画された配線層１２０を含むメンブレン１１０と、メンブレン１１０の中央部分１１３の下部に備えられた質量体１３０と、メンブレン１１０を支持するようにメンブレン１１０の縁１１５の下部に備えられて質量体１３０を包むポスト１４０と、を含む構成を有しており、メンブレン１１０を安価のメタルコアで形成することにより、慣性センサ１００の全体的な製造コストを低減するだけでなく、寄生容量を減少させることで慣性センサ１００の感度を向上させることができる効果がある。また、メンブレン１１０から延長された質量体１３０を金属で形成することにより、質量体１３０の質量密度を高めることで慣性センサ１００の感度を向上させることができる長所がある。 （もっと読む）

【課題】撓み部に発生する浅いクラックを感知する感知基板およびそれを用いた加速度センサを提供する。
【解決手段】フレーム部１１と、フレーム部１１の内側に設けられた錘部１２と、フレーム部１１と錘部１２との間をつなぎ錘部１２が変位することで撓む撓み部１３と、撓み部１３に形成され錘部１２の揺動に応じて抵抗値が変化するピエゾ抵抗１４と、フレーム部１１に配置されピエゾ抵抗１４からの信号を取り出すピエゾ抵抗用電極パッド１５ａと、ピエゾ抵抗１４とピエゾ抵抗用電極パッド１５ａとの間をつなぐ拡散配線による拡散配線部１６と、を備える感知基板２０である。撓み部１３の表面には、金属でなる金属配線部１７を備え、金属配線部１７は、フレーム部１１に配置され金属配線部１７からの信号を取り出す金属配線部用電極パッドにつながっている。 （もっと読む）

【課題】ＥＭＣ耐量を高めたセンサ装置を提供する。
【解決手段】増幅回路５全体の増幅率を必要な高い値に保ちつつ、増幅回路５の２段目（最終段）の増幅回路５２の増幅率Ｇ２を１段目（最終段より１段前）の増幅回路５１の増幅率Ｇ１よりも相対的に低く設定する。これにより、出力電圧Ｖｐを適正な信号レベル範囲にまで高めながら、出力用のパッド１ｃから侵入した誘導ノイズが最終段の増幅回路５２の入力側に回り込む量を低減でき、圧力センサ１のＥＭＣ耐量を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】可動部を有するＭＥＭＳ素子に対する外部からの静電気の影響を低減して信頼性を向上することができるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】固定部及び可動部を有するＭＥＭＳ素子と、所定の間隔をもって可動部を覆い、固定部でＭＥＭＳ素子と固定された第１キャップと、第１キャップと導電部材により電気的に接続され、固定部上に配置され、且つグランド電位が供給される第１グランドパッドとを備えたＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、他軸感度を発生せず、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸からなる３軸方向の加速度を正確に検出でき、かつ、加速度検知素子の小型化および低背化を実施してもセンサ感度を維持できる３軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の３軸加速度センサは、基板２１の略中央部に設けられた第１の錘部２３と、支持枠部２４と、梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と、歪抵抗素子Ｒｘ２１，Ｒｘ２２等とを備え、前記支持枠部内に一対の梁状可撓部の中心軸に関して略対称で平行な一対の薄肉部２７，２７′，２８，２８′，２９，２９′，３０，３０′を設けることにより、第２、第３、第４、第５の錘部３１〜３４を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】歪抵抗薄膜全体としてのＴＣＲ値を低く抑えることが可能であると共に、温度サイクルに対して、比抵抗ρに代表される電気特性が安定で、かつ優れた高温安定性と高いゲージ率とを実現可能な歪抵抗薄膜および当該歪抵抗薄膜を用いたセンサの提供。
【解決手段】積層膜からなる歪抵抗薄膜１０、２０であって、上記積層膜が、クロム薄膜、酸化クロム薄膜または窒化クロム薄膜からなる第一の薄膜１１、２１と、第一の薄膜１１の両主面のうち第一面１１１または第一面２１１と第二面２１２に積層され、薄膜の膜厚を同一としたときのＴＣＲ値［ｐｐｍ・Ｋ^−１］が第一の薄膜より小さい第二の薄膜１２、２２、２３とを少なくとも一層以上有し、上記積層膜を構成する第二の薄膜１２、２２の一つが上記積層膜の表出面Ｓとして表出している歪抵抗薄膜とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、固定部の内側に位置する可動部、固定部と可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極、及び可動部及び可撓部を覆い、且つ、金属電極を露出するセンサキャップを備えるセンサを基板上に配置し、センサの複数の金属電極及び基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、複数の金属電極と複数の端子の間にあるボンディングワイヤの一部が露出するように、センサキャップ上を除き、センサの複数の金属電極のボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭＥＭＳ素子をパッケージ化する際、パッケージ全体の厚さを小さくし、ＭＥＭＳ素子に及ぼされる基板とＩＣとの熱膨張係数の違いによる反りによって生じる応力の影響を緩和するＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【手段】本発明のＭＥＭＳデバイスは、開口を有する配線基板と、配線基板の前記開口内に配置された制御素子と、制御素子の一方の面上に配置された少なくとも１つのＭＥＭＳ素子と、を具備し、制御素子は、他方の面が露出するとともに、樹脂を介して配線基板に固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）