【課題】 電解めっき法で形成されたバンプ接点でありながら、高さのばらつきがより抑制されたバンプ接点を有するプローブの製造方法とそれに用いられる回路基板を提供すること。
【解決手段】 プローブを製造するに際し、高さを減少させるべきバンプ接点２ａが成長する貫通孔４ａの近傍に、内部に導電性回路３を露出させたダミー貫通孔４ｃを１以上設けることによって、このダミー貫通孔内に接点材料を析出させ、貫通孔４ａ内への析出量を調節し、バンプ接点２ａの成長を抑制する。 （もっと読む）