【課題】コイル位置や磁場の調整を行うことない偏極ビームのスピン反転方法及びスピン反転装置を提供する。
【解決手段】空間部３１ｅに連通された開口部３１ｃ、３１ｄを備え、開口部３１ｃから入射させたスピンを有する粒子からなるビームを、開口部３１ｄから出射可能なスピン反転装置であって、開口部３１ｃ、３１ｄで、通過する粒子に次式（１）、（２）で表されるスピン非断熱遷移が起きる磁場を印加可能であるスピン反転装置３１を用いる。断熱ポテンシャルがＬａｎｄａｕ−Ｚｅｎｅｒ型交差の場合、[数１]


断熱ポテンシャルがＲｏｓｅｎ−Ｚｅｎｅｒ型非交差の場合、[数２]
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【課題】性能指標が向上したスピン検出器、及び当該スピン検出器を用いた表面分析装置を提供する。
【解決手段】スピン検出器５は、電子線が照射される面に、面の法線方向に対して傾斜した傾斜面を有する突起部５２が形成されたターゲット５１と、突起部５２の傾斜面で電子線が電子線のスピン偏極度に応じて散乱する方向側に配置された電子検出器ＤＲｙ，ＤＬｙと、を有する。また、表面分析装置１は、試料Ｓ表面に１次電子線を照射する電子線鏡筒３と、上記スピン検出器５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】最表面２〜３原子層における元素と原子層とを選別した磁気構造解析を行う方法とその装置を提供する。
【解決手段】試料から散乱した散乱イオン強度を入射イオン種のスピン別に計測し、その計測データにより試料表面の磁気構造を解析する。 スピン偏極イオンを発生させるスピン偏極イオン発生部と、前記スピン偏極イオン発生部からのスピン偏極イオンを所望のエネルギーで試料表面に入射させるスピン偏極イオンビームラインと、試料を保持する真空槽と、前記真空槽内に位置して、前記試料に照射されて散乱したスピン偏極イオンを計測する計測器よりなる。 （もっと読む）

【課題】非接触ないし非破壊の状態を保ちながら、高Ｓ／Ｎ比にて荷電粒子を検出する。
【解決手段】荷電粒子検出方法において、正方晶系結晶１２の内部にレーザ光１０を照射する段階と、正方晶系結晶１２を通過するレーザ光１０を、外部を通過する荷電粒子によって生じる電場により正方晶系結晶１２の内部に電気光学的に生じる屈折率変化に基づく光学的位相変化が生じている光成分とこの光学的位相変化が生じていない光成分とに分離する段階と、分離された光学的位相変化が生じている光成分を検出することによって、前記荷電粒子を検出する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】原子核スピンをナノメートルの領域で制御する。
【解決手段】２つのノンドープ層５，６に挟まれた二次元電子ガス層８と、ノンドープ層５の表面に二次元電子ガス層８にナノ領域を形成可能な間隔で配置された一対のショットキースプリットゲート３，４とを半導体素子に備え、この半導体素子に磁場を印加し、ショットキースプリットゲート３，４に負バイアスを印加することで、二次元電子ガス層８に無偏極状態と偏極状態の電子スピンが共存するナノ領域を形成させ、無偏極状態と偏極状態の電子スピンに跨って電流を流すことで原子核のスピン状態を反転させ、原子核スピンの制御を可能にする。 （もっと読む）