加速電子検出器はＣＭＯＳ構造のモノリシックセンサのアレイを備え、各センサは基板（１０）と、エピ層（１１）と、ｐ＋ウェル（１２）と、エピ層（１１）によってｐ＋ウェル（１２）から分離されたｎ＋ウェル（１３）とを含む。ｐ＋ウェルには複数のＮＭＯＳトランジスタが集積される。センサはまた、バイアス電圧の印加によりエピ層内に発生する電荷担体がｎ＋ウェル（１３）にドリフトされるように、エピ層内に欠乏層を確立する深いｎ領域（１５）をｐ＋ウェル（１２）の下に含む。検出器は改善された放射線耐性を有し、したがってそれは電子顕微鏡のような加速電子の検出および撮像に適する。 （もっと読む）

【目的】二系統の散乱イオンエネルギ検出器を備えるラザフォード後方散乱分析装置において、両検出器を、散乱イオンエネルギの測定条件が等価な位置へ設定することを可能とするラザフォード後方散乱分析装置を提供する。
【構成】検出器位置決定用標準試料１０からの散乱イオンエネルギを、二系統の検出器６，７で検出し、それぞれより得られるエネルギスペクトルの高エネルギ端の値が一致するような位置に、両検出器を配置する。
【効果】両検出器より得られる散乱イオンエネルギスペクトルを足しあわせて計数効率を上げることにより、微量元素の検出が容易になる。 （もっと読む）