説明

国際特許分類[G02F1/01]の内容

国際特許分類[G02F1/01]の下位に属する分類

国際特許分類[G02F1/01]に分類される特許

21 - 30 / 834


【課題】単一パス高解像度高速印刷用途に使用されることが可能な高信頼でしかも高出力である画像形成システムを提供する。
【解決手段】アナモルフィック光学系130Eは、画像形成面162Eから湿し溶液を気化するに足るエネルギーを有するライン画像を発生するために、1つまたは複数の円柱/非円柱レンズ134Eにより全屈折配置に形成される、または円柱/非円柱レンズおよびミラーの組合せによって形成される工程方向サブ光学系137Eを含む。また、本アナモルフィック光学系は、変調光場119Bを工程横断方向に画像化するために1つまたは複数の円柱/非円柱レンズ138Eおよび任意選択の円柱/非円柱視野レンズにより形成される工程横断方向サブ光学系133Eも含む。本アナモルフィック投影光学系は、ライン画像の複数のピクセル画像の同時的発生を容易にし、1200dpi以上での印刷を容易にする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、各構成部品を等長化して組み立てる必要がなく、部品の温度特性及び経時変化が生じてもスキュー調整が容易である位相変調装置を提供することを目的とする。
【解決手段】位相変調装置301は、連続光を出力する光源10と、2つの位相変調器12及び強度変調器15を有し、光源10からの連続光を位相変調器12がそれぞれに入力されるデータ信号(DATA1、2)で位相変調して2つの位相変調光信号を生成し、位相器13が位相変調光信号の一方の位相をπ/2ずらして位相変調光信号の他方と合波した合波信号を強度変調器15が入力されたクロック信号CLKで強度変調しRZ化して出力するRZ位相変調回路101と、RZ位相変調回路101の出力が最大となるように、RZ位相変調回路101の位相変調器12が生成する位相変調光信号の位相をそれぞれ調整する位相制御回路111と、を備える。 (もっと読む)


【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板1を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア4aを半導体基板1に形成する工程と、コア4aの一方の側面4xと他方の側面4yの各々に酸化防止膜22を形成する工程と、酸化防止膜22が形成された状態で、コア4aの両脇の半導体基板1の表面を熱酸化する工程と、コア4aの一方の側面4xの横の半導体基板1に第1の不純物領域を形成する工程と、コア4aの他方の側面4yの横の半導体基板1に第2の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光バースト信号のGTを狭くしても光強度を制御可能である光強度制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光強度制御装置301は、入力される複数のフレームからなる入力バースト信号の光強度を電気信号として検出する検出部10と、前記入力バースト信号の光強度をフレーム毎に調整して出力バースト信号として出力する光出力部20と、検出部10で検出した前記入力バースト信号の光強度の電気信号から前記入力バースト信号のフレーム毎の光強度を取得し、前記出力バースト信号のフレーム毎の光強度が所定の値となるようにフレーム毎に調整量を算出して光出力部20へ調整信号として送信する制御部30と、を備える。 (もっと読む)


【課題】中心周波数から離れた透過帯域を有する広帯域分散補償回路を提供する。
【解決手段】第1のスラブ導波路、アレイ導波路、第2のスラブ導波路を縦列接続したアレイ導波路回折格子と、位相シフタおよび反射器とを有する分散補償回路と、アレイ導波路回折格子のFSRと等しい周波数周期を有するインターリーバ回路と、第1のスラブ導波路とインターリーバ回路とを接続する等光路長の2本の接続導波路とを備え、接続導波路は、FSRの1/2の周波数だけ異なる周波数の2つの光が入射されたときに、第2のスラブ導波路の光スペクトル面上の同じ位置に結像するように、第1のスラブ導波路と接続する位置が設定されており、インターリーバ回路が、入射光を、FSRの1/2の周波数ごとに、異なる接続導波路に切り替えて出力することにより、第2のスラブ導波路の光スペクトル面の中心部分からの拡がりをフリースペクトラルレンジの1/2に抑えている。 (もっと読む)


【課題】接続部の面積のばらつきを抑制することである。
【解決手段】プリント基板10は、接続用グランドパターン21と配線用グランドパターン31とを有する。接続用グランドパターン21は、第1の配線層に設けられた、半田接続用のパターンである。配線用グランドパターン31は、第1の配線層において、接続用グランドパターン21と離間するように設けられている。接続用グランドパターン21と配線用グランドパターン31とは、第2の配線層を介して電気的に接続されている。配線用グランドパターン31をソルダーレジスト等の絶縁層で被覆する際、絶縁層の端部の位置が、配線用グランドパターン31毎に異なっても、接続用グランドパターン21の露出面積に対する影響は排除される。 (もっと読む)


【課題】従来の光送信装置で問題となっていた位相変調光の平均値変動による直交制御最適点の誤検出を防ぐことにより、安定した位相シフト量(動作点)の調整を行うことができる光送信装置を提供する。
【解決手段】分岐部39とLPF32と加算器(減算器)33とを有する構成の信号補正手段40を、光送信装置の制御ループ22に設ける。分岐部39ではモニタPD31で得られた電気信号b3を、第1の分岐信号b3−1と、第2の分岐信号b3−2とに分岐する。LPF32では第2の分岐信号b3−2の低周波成分を通過させて、第2の分岐信号b3−2から高周波成分を除去することにより、第2の分岐信号b3−2の平均値b4を得る。加算器33では、第1の分岐信号b3−1から、LPF32で得られた第2の分岐信号b3−2の平均値b4を差し引くことにより、補正モニタ信号b5を得る。 (もっと読む)


【課題】パルス幅が200フェムト秒以下で、パルス繰り返し周波数が高い短パルス光の発生を可能とする。
【解決手段】短パルス光発生装置は、任意の中心光周波数をもつCW光源1と、CW光源1からの連続レーザー光を位相変調する位相変調手段2と、位相変調手段2からの光パルスを間引いてピークパワーを高める光ゲート5と、光ゲート5を通過した光パルスを増幅し、光増幅器6内での非線形効果によって光スペクトル帯域を拡大した広帯域光を発生させる光増幅器6と、光増幅器6によって増幅された光パルスを圧縮する分散付与手段7とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体レーザ素子のレーザ光スペクトルの線幅を抑えること。
【解決手段】複数のレーザ素子と、複数のレーザ素子のそれぞれに導波路を介して接続され、複数のレーザ素子が出力するレーザ光を合流する光合流器と、光合流器から出力されるレーザ光を増幅する半導体光増幅器と、記光合流器及び半導体光増幅器と同一の基板上において、複数のレーザ素子のそれぞれと光合流器との間の経路上にそれぞれ形成された複数の波長選択フィルタとを備える半導体光素子。 (もっと読む)


【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、イオン注入工程を削減して、簡易な製造工程で光半導体素子を製造する。
【解決手段】 各スラブ導波路部とそれに接する隆起領域とに注入イオン分布のピークが、前記スラブ導波路部の厚さよりも深い位置となり且つ前記隆起領域の厚さよりも浅い位置になる条件で各導電型の不純物をイオン注入する。 (もっと読む)


21 - 30 / 834