【課題】 発光機能を有する４族半導体粒子の製造方法と、それによる半導体粒子および半導体素子の提供。
【解決手段】 本発明による半導体表面の被覆方法は、４族元素を含んでなる半導体材料の表面に、不活性有機溶媒に可溶であり、かつ電子供与性の還元剤を不活性有機溶媒中で反応させて前記半導体材料の表面を前記還元剤に由来する金属で被覆した後、４族元素および遷移金属元素からなる群から選ばれる元素と電子吸引基とからなる電子吸引基含有化合物を反応させ、前記半導体材料の表面を４族元素または遷移金属元素で被覆する。この方法を利用することで、精密に構造が制御された半導体粒子または半導体素子を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】透明領域において１％を超える屈折率変化率特性を有し、かつ、この屈折率変化を記録する。
【解決手段】複数の量子ドット１０６が基底準位と励起準位とが周囲の環境温度によるエネルギーによって交わることがない離散的なエネルギー準位を有する。バリア構造部１０６が複数の量子ドットを取り囲む誘電体からなる。注入部１０５がバリア構造部を介して複数の量子ドットの基底準位に、エネルギー準位を変化させて電子をトンネル注入あるいは注入を阻止する。光源１０１Ａが基底準位の電子を励起準位に励起させるエネルギーを有する光を量子ドットに照射する。光源１０１Ｂが光源１０１Ａが照射する光のエネルギーとは異なるエネルギーを有する光を前記量子ドットに照射する。 （もっと読む）

【課題】 液晶材料の含有率が高いにもかかわらず、高透明性、等方性であり、広い温度範囲で大きくて安定したカー係数を示す高分子／液晶複合体、およびこの複合体を含有し電圧を印加することで屈折率が変化する光素子を提供することである。
【解決手段】 合計１〜４０重量％の光学活性な化合物と、ネマチック相を持ち屈折率異方性と誘電率異方性の積の絶対値が０．５〜６０であり、粘度が１０００ｍＰａ・ｓ以下である合計６０〜９９重量％の光学活性ではない液晶材料との混合物である、光学活性な液晶材料と高分子の複合体であって、カー係数が１×１０^−９ｍＶ^−２以上を示し、電圧無印加時には光学的に等方性である高分子／液晶複合体。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで調整可能な波長分散補償器を提供すること。
【解決手段】光信号の分散を補償するための方法および装置には可変光分散補償（ＯＤＣ）および電子分散補償（ＥＤＣ）が使用されている。ＯＤＣによって大きな１次分散が補償されるが、大きな高次数の分散および透過率のリップル効果は放置される。ＥＤＣを使用してＯＤＣからの高次数の分散および透過率のリップルが補償される。 （もっと読む）

【課題】電気信号に変換することなく、制御光で信号光波の分波や合波をできるようにすること。
【解決手段】
第１光伝送路１４と他の光伝送路１６とを所定区間Ａにおいて接近させて同方向に光結合させる。また、第３光伝送路０を第１光伝送路１４と光結合させる。第３光伝送路を伝搬する制御光により第１光伝送路を伝搬する信号光波をラマン増幅させて伝搬定数を変化させる。これにより、第１光伝送路１４から第２光伝送路１６へ分波する信号光波の分波率を制御する。 （もっと読む）

【課題】光信号処理を用いて角度変調信号を発生する構成において、位相雑音を低減し、かつ不要な信号成分の発生を抑えることにより、高品質な広帯域変調装置を提供することである。
【解決手段】光周波数シフト部１０３は、光源１０１からの出力光の周波数数を所定量ｆｃシフトした後、第１の光として出力し、光角度変調部１０５は、第１の信号源１０４１から出力された第１の電気信号により、光源１０１からの出力光に光角度変調を施した後、第２の光として出力し、第１の光変調部３０９１は、前記第１の電気信号の逆相信号を光強度変調信号に変換して出力し、光検波部１０７は、自乗検波特性を有し、前記第１の光と第２の光と光強度変調信号を入力して、電気信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、小型であり、かつ、作製が容易であって、効率よく分散量を変化させることができ、さらに、動作中心波長が温度によって変化することなく分散量が可変できる特性可変ファイバグレーティングを提供することにある。
【解決手段】 光ファイバブラッググレーティング１と、この光ファイバブラッググレーティング１の周囲に配置された繊維状部材２とを備え、繊維状部材２は、負の熱膨張係数を有し、温度上昇により収縮して光ファイバブラッググレーティング１の長手方向に圧縮力を作用させるとともに、グレーティング部３における長手方向について異なる収縮作用量を有している。 （もっと読む）

【課題】 ゾルゲル材料からなる光可変減衰器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 フォトリソグラフィにより、下部クラッド層上にコア領域および減衰領域を有する導波路構造が形成される。下部クラッド層および導波路構造上に上部クラッド層が形成されてから、その上に電極が設けられ、それは導波路構造の減衰領域の上方に位置が一致する。また導波路構造は、金属アルコキシドの溶液と有機変性Ｓｉアルコキシドの溶液とを混合して得たゾルゲル材料からなる。 （もっと読む）

半導体導波路は、電気信号の制御の下にビームの経路内に進入させ、あるいはそこから取り去ることができる、電子または正孔の自由電荷を含む部分を備える。可動の電荷は、電気的制御の下で満たされるか、空乏化されてよいポテンシャル井戸から生じる。井戸が満たされると、電荷がビームの伝搬を速め、位相変化を持ち込む。井戸が空になると、ビームはさらに遅延を伴って伝搬する。本位相シフタは、ビームの非常に高速の変調を低電圧、かつ低電力回路を用いて可能にする。本デバイスは、標準のシリコン加工技術を用いて作製し、スプリッタ、振幅変調器を作製するためのコンバイナ、減衰器、および他の光デバイスなど他の光構成部品と集積化されてよい。
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【課題】光ファイバ内の波長分散の修正について、簡単な構成で大きい分散レンジと広い光帯域幅を持つ可変分散補償器を提供する。
【解決手段】モニタは分散補償器のフリースペクトルレンジ又はその約数若しくは倍数に一致するフリースペクトルレンジを持つマッハツェンダー干渉計を含む。モニタの２つの出力は差動検出制御回路の２つの光検出器に結合される。差動検出制御回路は光検出器間の電流差を用いて温度制御器を制御し、モニタ及び分散補償器の温度を設定する。このようにして、ＷＴ−ＤＣは自動的に入力信号の波長に追従する。好適な実施例では、モニタ及び分散補償器は同じプレーナ光波回路チップに集積され、半波プレートを含む。モニタが分散補償器と同じチップ上に統合さるので、最小限のコストでモニタ及び分散補償器の波長が温度に追従することを確実にする。 （もっと読む）