【課題】電磁波導波路を構成する半導体層のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長光であって導波路を伝搬するか導波路上に照射される電磁波に対して、外部からの操作によって比較的容易に伝搬状態を制御できる光学素子である。
【解決手段】光学素子は、一部に半導体層01を含んだ電磁波導波路04と、半導体層01のバンドギャップエネルギーより高い光子エネルギーを持つ波長の第1の電磁波06を、半導体層01上の任意の場所に任意のパターン08で照射する照射部05、07を有する。照射部による照射で生じた半導体層01表面近傍のフォトキャリアの濃度高低パターンが、半導体層01のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の電磁波09、10に対して複素屈折率の異なるパターンを生じさせることによって、導波路04を伝搬するかこのパターン08上に照射される電磁波09、10の伝搬状態が制御される。 （もっと読む）

【課題】停電時における光通信チャネルのセキュリティ性の向上。
【解決手段】入力導波セグメント１、出力導波セグメント２、エグゾースト導波セグメント３、遷移導波セグメント４、ヒータ５を具え、出力導波セグメントおよびエグゾースト導波セグメントが遷移導波セグメントに関して分岐して配置され、出力導波セグメントが入力導波セグメントの幅および高さの−５０％から＋１００％の幅および高さであり、遷移導波エレメントが入力導波セグメントの長手軸に関して幾何学的に非対称であり、エグゾースト導波セグメントおよび出力導波セグメントの幅比が少なくとも２：１である。 （もっと読む）

【課題】 シャープな画像を生成する。
【解決手段】 画像化システムは、照明変調器が第１の非活性化モードにあるときは０次反射照明フィールドが第１の照明ブロッキング装置に向けて指向され、そして変調器が第２の活性化モードにあるときは別の１次反射照明フィールドが第２の照明ブロッキング装置に向けて指向されると同時に１個の１次反射照明フィールドが画像化面に向けて指向されるように、照明変調器の表面に第１の照明フィールドを提供するための第１の軸外れ照明源を備える。 （もっと読む）

本発明による一体型の波面補正モジュールは、光学的表面と；光学的表面を変形させ、これにより、光学的表面の入射波面における時空周波数的なフェーズエラーを補正するための、高精度で時空周波数的に補正するシステムと；光学的表面を調整し、これにより、入射波面におけるチップチルトエラーを補償するための、チップチルト補正システムと；を具備している。
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【課題】空間光変調器とイメージセンサとのピクセルレベルの位置ずれを自動的に補正すること。
【解決手段】イメージセンサ１７の解像度が空間光変調器１０の２倍であり、空間光変調器１０に表示されたマッチングパターンにより変調された信号光をイメージセンサ１７によりオーバーサンプリングして受光する。その際、図４（Ａ）に対して図４（Ｂ）に示すように、空間光変調器１０とイメージセンサ１７の位置がピクセルレベルで正しく合っていない場合には、イメージセンサ１７の受光量が減少して受光信号が山形になり、これを評価関数により評価してその総和が最大になるようにイメージセンサ１７の位置を移動させることにより、空間光変調器１０とイメージセンサ１７とのピクセルレベルの位置ずれを自動的に補正することができる。 （もっと読む）

高アイソレーションの光スイッチはクラッド層で包囲されたコアを備える。コアは一方の入力線路と、この入力線路からノードを介して分岐する２本の出力線路を有する形状に形成される。２つのヒータ要素がそれぞれ各出力線路に近接して配置される。一方のヒータ要素が選択的に通電されて、一方の出力線路を加熱してその屈折率を低下させることでその出力線路を非動作状態とする。各ヒータ要素は、ヒータ要素やコアが投影される水平投影面において、近接する出力線路の直線部位に部分的に重複する主ストリップと、主ストリップからノードに沿って演出する偏向ストリップを備える。各偏向ストリップは、水平投射面において、ノードと離間した形で、非関連側の出力線路の直線部位の延長線とほぼ平行に延出する。この偏向ストリップは、非動作側の出力線路に至る部分のノードの一部を加熱し、動作側の出力線路に至る他の部分への熱影響を無くして、ノードを通過する光を偏向させてこの光を動作側の出力線路へ効果的に導く。
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【課題】 本発明は、２次元フォトニック結晶面内で信号処理が可能で高集積化が可能となり、低い光パワーで動作することができる光スイッチ回路を提供することを目的とする。
【解決手段】 ２次元フォトニック結晶４上に構成された一対の導波路５，６と、一対の導波路５，６の間に配置された共振器７で構成された共鳴トンネルフィルタを有し、共振器７に共鳴する信号光及び制御光を一対の導波路５，６の一方から入力して他方から取り出し、信号光を制御光で変調する。 （もっと読む）

変調、減衰、偏波制御、及び光信号の切替を必要とする用途に用いられる、導波路デバイス及び導波路デバイスの製造方式を提供する。本発明の一実施形態によれば、集積光デバイスを製造する方法を提供する。この方法は、（ｉ）電極支持面を規定する支持ウエハを用意するステップと、（ｉｉ）支持ウエハの電極支持面の上方に電極パターンを形成するステップと、（ｉｉｉ）電極パターンの少なくとも一部の上、及び支持ウエハの少なくとも一部の上方に、非ポリマ・バッファ層を形成するステップと、（ｉｖ）非ポリマのシリカ・ベースのバッファ層の上方に導波路コア材料層を形成するステップと、（ｖ）導波路コアを規定するために、コア材料層の一部を除去するステップと、（ｖｉ）クラッディング材料を導波路コアと光連通状態に配置し、バッファ層、クラッディング材料、及び導波路コアが、光学的クラッド導波路コアを規定するようにするステップとからなる。
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【課題】 波形劣化した光データ信号から光クロック信号を直接抽出できる光クロック信号抽出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 光クロック信号抽出装置は、波形劣化した光データ信号を入力とし、前記光データ信号と位相同期し、かつ振幅一定の光クロック信号を生成する光クロック抽出装置であって、光・光変調回路の出力信号を高周波電気信号に変換し、前記高周波電気信号で駆動して前記光クロック信号を発生する光クロック信号源と、前記光クロック信号源から出力される前記光クロック信号を前記光データ信号で変調する前記光・光変調回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 断熱溝構造を有する光導波路と薄膜ヒータによって構成され、熱光学効果を利用した光の位相シフタにおいてより低い消費電力およびより高密度な回路を提供するための構成を最適化することを目的とする。
【解決手段】 基板１上に配置されるクラッド層２およびコア層３によって形成される埋め込み型光導波路３２，３３と、その上面に形成される薄膜ヒータ３５，３６及び光導波路３２，３３の側面に断熱溝３７を形成して構成される導波路型熱光学位相シフタにおいて、前記断熱溝３７の光導波方向の長さが前記薄膜ヒータ３５，３６の長さよりも長いことを特徴とする。 （もっと読む）