【課題】 本発明は，3次成分を抑圧できるDSB-SCシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の第１の側面に係るDSB-SC変調システム(1)は，3倍信号生成部(17)が，基本信号（f_m）の3倍の周波数を有する電気信号（3f_m）を生成する。そして，位相調整部(18)が基本信号（f_m）の位相と，基本信号の3倍の周波数を有する電気信号（3f_m）の位相差を調整する。信号強度調整部(19)が電気信号（3f_m）の強度を調整する。そして，変調信号としてf_mの信号を印加した際に発生する3次成分（f₀±3f_m）について，変調信号として3 f_mの信号をその1次成分（f₀±3f_m）が3次成分と位相が逆で，強度が同程度となるように調整して印加するので，それらが抑圧しあって，高い消光比を有するDSB-SC変調を達成できる。 （もっと読む）

【課題】破損を低減することが可能なミラー素子を提供する。
【解決手段】ミラー素子３０は、少なくとも主表面にｎ型の不純物が導入されたｎ型ＳｉＣ基板１と、ｎ型ＳｉＣ基板１の主表面上に形成され、光を透過可能な透明電極１５とを備えている。透明電極１５に電圧を印加することによりｎ型ＳｉＣ基板１による光の反射を制御する。 （もっと読む）

【課題】伝送レートの変更に即座に対応して、変更された伝送レートの光パルス信号からのクロック信号抽出に対応する。
【解決手段】この発明のマルチレートクロック信号抽出装置112は、光パルス圧縮部20と、光変調部50とクロック信号/帰還信号生成部100を具えて構成される。この装置の特徴は、マルチレートクロック信号抽出装置に入力された光パルス信号19のパルスの時間波形の半値幅を調整するためのパルス圧縮部が具えられている点である。光パルス信号の伝送レートが、クロック信号/帰還信号生成部がクロック信号抽出を可能とする伝送レートの設計値と異なり、この伝送レートよりも小さな場合、受信した光パルス信号のパルス幅を圧縮して、パルスの時間波形の半値幅が狭い狭光パルス信号21として出力する。 （もっと読む）

【課題】 チャーピングを低減可能な発光モジュールを提供する。
【解決手段】 本発明の実施の形態に係る発光モジュールは、半導体発光素子と、半導体変調素子と、半導体発光素子に駆動電流を供給する第１の駆動回路と、半導体変調素子に駆動電圧を印加する第２の駆動回路と、第１の駆動回路及び第２の駆動回路を制御する制御回路とを備える。駆動電流は、第１のレベルの電流と該第１のレベルより低レベルの第２のレベルの電流とを含んでいる。駆動電圧は、第３のレベルの逆方向電圧と当該第３のレベルより高レベルの第４のレベルの逆方向電圧とを含んでいる。制御回路は、第１のレベルの電流供給時に第３のレベルの電圧が供給され、第２のレベルの電流供給時に第４のレベルの電圧が供給されるように、第１の駆動回路及び第２の駆動回路を制御する。 （もっと読む）

【課題】 複数のレーザビームの強度を安定させることにより、良質な画像形成を行う。
【解決手段】 画像形成装置は、複数のレーザビームを出射するマルチビーム光源ユニット１８と、ポリゴンミラー２０と、感光体ドラム２４と、を備える画像形成装置である。マルチビーム光源ユニット１８は、連続発振するレーザビームを出射する半導体レーザ１２と、半導体レーザ１２から出射されたレーザビームを空間的に変調し、複数のレーザビームを出射する空間光変調器１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】透明領域において１％を超える屈折率変化率を示す屈折率変化素子を提供する。
【解決手段】中心部に位置するπ共役系および前記π共役系の周囲に配置されるアルカン鎖を含む有機分子で形成され離散的なエネルギー準位を持つ複数の量子ドットと、前記量子ドットをその中に分散させる誘電体マトリクスとを有する構造部と、前記構造部に対して電子を注入する電子注入部とを具備することを特徴とする屈折率変化素子。 （もっと読む）

【課題】より効率よく通信波長帯域へ適用可能なポラリトン導波路を提供する。
【解決手段】シリコンからなる基板１０１の上に、ｎ型の不純物が高濃度に導入されたシリコンからなる膜厚５０ｎｍ程度のｎ型半導体層１０２、ｐ型の不純物が低濃度に導入されたシリコンからなる膜厚２０ｎｍ程度のｐ型半導体層１０３、及び酸化シリコンからなる膜厚３０〜５０ｎｍ程度の絶縁層１０４がこれらの順に積層されている。また、絶縁層１０４の上に金属からなる幅１μｍ程度の電極層１０５が形成されている。電極層１０５に正の方向にバイアス電圧を印加すると、ｐ型半導体層１０３と絶縁層１０４との界面のバンドが歪み、ｐ型半導体層１０３の側でバンドの底がフェルミエネルギー以下となり反転分布層が形成される。 （もっと読む）

【課題】数Ｇｂｐｓを越えるより高速な変調が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路コア１０２は、ｐ型半導体層１２１、ｎ型半導体層１２２、絶縁層１２３、ｐ型半導体からなる変調層１２４、絶縁層１２５、ｐ型半導体層１２６、ｎ型半導体層１２７が積層されて構成されている。ｐ型半導体からなる変調層１２４と絶縁層１２５との接合界面に垂直に電場を印加すると、界面近傍で変調層１２４のバンドが電場による歪みを生じる。電場を絶縁層１２５から変調層１２４へ入射する方向で印加する場合、変調層１２４のバンドは界面近傍で負の方向に歪み、変調層１２４の界面近傍の伝導帯のバンドの底が変調層１２４のフェルミ準位よりも下になると、界面近傍に反転層が形成されて少数キャリアである電子が蓄積される。 （もっと読む）

本発明は、光信号を再生し変換するためのシステムおよび方法から構成される。本発明は、「２Ｒ」（すなわち、再増幅および再整形）、および「３Ｒ」（すなわち、再増幅、再整形、および再同期（または再タイミング））、その両方の再生をもたらす。創意的なシステム構成要素は、同調可能な連続波（ＣＷ）レーザ源と、光サーキュレータと、半導体光増幅器（ＳＯＡ）と、極めて鋭いカットオフ周波数を有するスペクトル・フィルタとを含む。代替実施形態では、フィルタは、いくつかの波長を通過させるインターリーバと置き換えることができる。本明細書に記述する光再生器／変換器のいくつかによって、１個のインターリーバを使用することができる。各再生器は、１個のインターリーバの通過帯域周波数と関連付けられた別々の波長を使用する。ＳＯＡ中での対向伝搬中に、ＣＷレーザからのＣＷ信号が、入力信号中のビットによってチャープされる。次いで、チャープされた信号は、フィルタに出力され、そのフィルタは、もとのＣＷ信号を遮断する。
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【課題】消光特性が改善された電界吸収型変調器、および、その電界吸収型変調器が形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】電界吸収型変調器ＭＤにおけるＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１０４上からアノード１０９ｂまでの、ガイド層１０５、クラッド層１０６およびコンタクト層１０７ｂをまとめた第１の半導体層領域の抵抗Ｒ１の値と、ガイド層１１０、クラッド層１０６およびコンタクト層１０７ｂをまとめた第２の半導体層領域の抵抗Ｒ２の値とを、異ならしめる。よって、光電流Ｉｐｈ１が大きい箇所で抵抗Ｒ１を小さく、光電流Ｉｐｈ２が小さい箇所で抵抗Ｒ２を大きくすることにより、ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１０４に印加される電圧を光進行方向Ｄ１において均一に近づけることが可能で、消光特性が改善された電界吸収型変調器、および、その電界吸収型変調器の形成された半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）