１Ｇｂ／秒を超えるスイッチング速度を達成する電気光学変調器配置は、プリエンファシス・パルスを利用して、電気光学変調器を形成するのに用いられる光導波路の屈折率の変化を加速させる。一実施形態では、変調された光出力信号の一部を用いてプリエンファシス・パルスの大きさおよび持続時間のほか変調に使用される種々の基準レベルを調整するために、フィードバック・ループが加えられ得る。シリコンベース電気光学変調器を含む自由キャリヤベースの電気光学変調器では、プリエンファシス・パルスを用いて入力信号データ値間の遷移において自由キャリヤの移動が加速される。

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【課題】 さまざまなサイズの光電変換半導体素子をコプレナ基板に実装することのできる光電変換半導体装置を提供する。
【解決手段】 本光電変換半導体装置は、光電変換半導体素子１、コプレナ基板２、インピーダンス整合用の終端抵抗３を備えている。コプレナ基板２には、シグナルライン４とグランドライン５ａ、５ｂとが形成されている。シグナルライン４は、相対的に大きい幅４４ａと小さい幅４４ｂをそれぞれ有して延びる部分を備えている。シグナルライン４とグランドライン５ａ、５ｂとのギャップも、相対的に大きいギャップ１０ａと小さいギャップ１０ｂの部分がある。 （もっと読む）

【目的】 交差部の屈折率または透過率を高速かつ低電圧で変化させることができる光スイッチを提供する。
【構成】 基板１上の複数の光導波路の交差部４０に、歪量子井戸層を複数層積層した多重歪量子井戸構造４１を形成し、該歪量子井戸層は、格子定数が基板と等しいかわずかに大きい第一の半導体層４２と、該第一の半導体層の両面に形成され格子定数が基板より小さい第二の半導体層４３と、前記第一及び第二の半導体層により形成された積層体の両面に形成され、格子定数が基板と等しい第三の半導体層８とを備えている。 （もっと読む）