【課題】光パルス圧縮器を用いず、500フェムト秒以下のパルス幅を有し、かつ波形の整った1GHz以上の高繰り返し光パルスを能動モード同期ファイバレーザから直接発生させる。
【解決手段】光増幅器7と群速度分散の平均値が異常分散である単一モード光ファイバ2と光アイソレータ4と光変調器8と帯域通過型光フィルタ6をリング状に結合してリング共振器を形成し、リング共振器内で発生する光パルスを外部に取り出す光カプラ3を備えた能動モード同期ファイバレーザにおいて、前記光変調器8として半導体材料中における電気光学効果（ポッケルス効果）および電界吸収効果（量子閉じ込めシュタルク効果）に伴う屈折率および光吸収係数変化を同時に利用した進行波型半導体光位相・強度変調器を用いる。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を損なうことなく、チップ単体又はウェハレベルでプローブ検査を可能とする半導体素子を提供する。
【解決手段】ＥＡＭ領域１２に電界を印加又は電流を注入するＥＡＭ部電極１４と、ＥＡＭ部電極１４と接続されたワイヤボンディング用のパッド電極１５とを有するＥＡＭ付き半導体レーザにおいて、パッド電極１５を複数のメッシュ穴１６を有するメッシュ形状に形成した。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＬが低減された導波路型光回路を提供すること。
【解決手段】導波路コア同士が近接して配置されて構成された光分岐結合器である光カプラと、前記光カプラの前記導波路コアの両側に沿って形成され、該導波路コアの光学主軸が傾くのを抑制するダミーパターンと、を備える。好ましくは、前記ダミーパターンの長さは、前記光カプラの結合に寄与する結合部の長さと同等、或いはそれ以上である。好ましくは、前記ダミーパターンと前記光カプラの導波路コアとの間隔は、前記光カプラの前記導波路コア間のギャップサイズと同じ大きさか、或いはそれ以上である。 （もっと読む）

【課題】よりコンパクトにすることとができる可変光減衰器を提供する。
【解決手段】基板１０１と、酸化バナジウムの結晶から構成された光透過部１０２とを少なくとも備える。光透過部１０２をコアとし、基板１０１をクラッド層とする光導波路を構成すればよい。酸化バナジウム（ＶＯ₂）の結晶からなる光透過部１０２においては、光誘起相転移により絶縁体相および金属相の２つの状態が入れ替わり、光吸収特性が変化する。こため、この可変光減衰器によれば、入射する光による光誘起相転移で、光透過部１０２における上述した２つの状態を切り替えることができ、透過（導波）する光の減衰状態を切り替えることができる。たとえば、光誘起相転移が起きる強度の光が入射すると、光透過部１０２が金属相に相転移して光吸収が増大し、入射して透過する光の強度を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】信号強度を得るために特別な素子構造や加工が不要で、励起子の緩和時間に制限されない超高速応答が得られる超高速光スイッチを提供する。
【解決手段】本超高速光スイッチ１は、離散的エネルギー準位を形成し得る所定膜厚ｄの直接遷移型半導体素子２と、半導体素子２に信号光４ａおよび制御光５ａを照射する手段（４，５）と、半導体素子２から出射される所定の高次励起子エネルギー準位の応答のみを取り出す波長フィルタ３とを備える。所定の励起子エネルギー準位の応答を、波長フィルタ３を用いて最後に取り出すことから、出力光の強度が強く、また応答速度は所定の励起子の生成時間と緩和時間の比率で決定される。また光スイッチ１自体に導波路構造が不要となる。更に面内の光学異方性のない光スイッチ１のデバイスを簡単に作製できる。 （もっと読む）

【課題】高純度のＧａＡｓのエピタキシャル成長層をＧａＡｓ基板上に得ること。
【解決手段】試料台上に、Ｇａ及びＧａＡｓを配置して、少なくとも水素を含むキャリアガスを流した雰囲気において、第１温度で加熱する高純度化工程を有する。高純度化工程の後に、冷却した後、反応管から試料台を取り出し、試料台にＧａＡｓ半導体基板を設置して、反応管に戻した後、キャリアガスを流した雰囲気において、エピタキシャル成長層の成長を開始させる成長開始温度以上の第２温度で加熱する前加熱工程を有する。雰囲気温度を第２温度から冷却させながら、雰囲気温度が成長開始温度に達した時に、Ｇａ及びＧａＡｓの溶液をＧａＡｓ半導体基板表面に接触させて、ＧａＡｓのエピタキシャル成長を開始させる成長工程を有する。高純度化工程における処理時間を、該処理時間とエピタキシャル成長層の移動度との関係において、最大移動度が得られる極限時間の０．９６倍以上、極限時間以下の時間範囲の値とした。 （もっと読む）

【解決手段】光変調素子ＥＡＭを駆動する駆動回路１５と前記光変調素子ＥＡＭとの間の線路Ｌに設けられた１個又は複数個の検出点Ｐにおいて、当該線路Ｌを流れる光変調素子ＥＡＭを駆動する駆動電流を検出し、検出された駆動電流が正常範囲内か正常範囲外かを判定することによって、前記線路Ｌの断線を判定する。
【効果】前記線路Ｌの断線を判定することができ、光変調素子の光透過率が上がったままで光を遮断しなくなるという事態を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺＭ位相光変調器においても、環境温度の変化に対して、同一変調電圧での駆動を可能とし、ペルチェ素子等を用いた温度調整機構を省略し、消費電力を低減することができる光送信機を提供する。
【解決手段】ｎｐｉｎ構造を有する変調領域を有する半導体ＭＺ変調器１と、前記半導体ＭＺ変調器１の温度を監視する温度センサ４３と、前記半導体ＭＺ変調器１の変調電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路４１とを備え、前記バイアス回路４１は、前記温度センサ４３からの入力が変化すると、前記バイアス電圧を変化させて変調振幅電圧を一定として前記半導体ＭＺ変調器１を駆動する。 （もっと読む）

【課題】金属ステム上に実装された温度制御モジュール上に半導体光変調素子を配置した場合においても、周波数応答特性の劣化を防止できる半導体光変調装置を得る。
【解決手段】金属ステム１上に支持ブロック４が実装されている。金属ステム１上に温度制御モジュール５が実装されている。温度制御モジュール５上に第２の支持ブロック６が実装されている。第１の支持ブロック４の側面に誘電体基板７が実装されている。リードピン２に接続された信号線路９が誘電体基板７上に形成されている。支持ブロック６の側面に誘電体基板８が実装されている。誘電体基板８上に信号線路１１が形成されている。誘電体基板８上に半導体光変調素子１４が実装されている。信号線路１１に容量２０が接続されている。進行波の位相と反射波の位相とが１８０度ずれるような周波数において、半導体光変調素子１４でのインピーダンス整合を行うように、容量２０の値が設定されている。 （もっと読む）

結合非対称量子閉じ込め構造（３００）は、量子井戸または量子ドットのような、第１の量子閉じ込め構造（３０２）および第２の量子閉じ込め構造（３２２）を含み、第１および第２の構造は、幅（３２０、３２４）のような少なくとも１つの物理的な寸法が異なり、連続して結合される。結合された構造（３００）は、光信号の遅延および／または周波数に影響を与えることができ、フォトニック集積回路のコンポーネントとして使用されうる。第１および第２の構造（３２０、３２２）は、共通の基板（３１１）上に形成されうる。 （もっと読む）