説明

国際特許分類[G02F1/015]の内容

国際特許分類[G02F1/015]の下位に属する分類

国際特許分類[G02F1/015]に分類される特許

41 - 50 / 134


【課題】I相とQ相の位相差をπ/2に保つQPSK変調器を実現する。
【解決手段】QPSK変調器は、入力光を2分岐する手段と、分岐した一方の光を位相変調する第1の位相変調手段と、他方の光を位相変調する第2の位相変調手段と、第1/2の位相変調手段の前段/後段に設けられた位相シフト手段と、第1の位相変調手段と第2の位相変調手段を通過した光を結合し、光信号として出力する手段と、出力された光信号の一部を電気信号に変換する手段と、電気信号から光信号の振幅のピーク値を検出し、ピーク検出信号を出力する手段と、ディザ信号を生成する手段と、ピーク検出信号とディザ信号の位相を比較することにより、位相シフト手段での位相シフト量π/2からの偏差に応じた偏差信号を生成する位相比較手段と、偏差信号にディザ信号を重畳し、位相シフト量がπ/2となるよう位相シフト手段にフィードバック制御するフィードバック制御手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】
情報が符号化された光の波長を、感度を増倍しつつ変換する方法を提供する。
【解決手段】
第1の波長によって特徴付けられる光の空間的な強度変動中に符号化された情報を、第2の波長によって特徴付けられる光中に符号化する為の方法であって、第1の波長光の空間的な強度変動と相同の第1の電子密度分布を発生することと、第1の電子密度分布と相同の第2の追加電子密度を発生することと、材料中の電界に応じて該材料を通過する光の特性を変調する材料中において前記密度分布と相同の電界を発生する為に、捕獲領域内で、第1および第2の電子密度分布から電子を捕獲することと、第2の波長光を変調の材料に伝達させ、それにより、電界に応じて第2の波長光を変調し、前記情報で第2の波長光を符号化することと、を含む。 (もっと読む)


自由キャリア分散ベースの変調に伴う位相変調非線形及び減衰の問題を解決するように変形した電気データ入力信号フォーマットを用いたマルチセグメント装置として構成したシリコンベースの光学変調器。この変調器は、M個の分離セグメントを具えるように形成されており、デジタル信号エンコーダを用いて、Nビットの入力データ信号をM個の変調セグメント用の複数のM駆動信号に 変換する。ここで、M≧2/2である。変調器セグメントの長さを調整して、非線形と減衰の問題を解決することができる。追加の位相調整を、変調器の出力に(組み合わせた導波路を超えて)用いることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体の光吸収により生じる直交成分による周波数チャーピングの影響を低減す
ることができる光位相変調器および光位相変調装置を提供する。
【解決手段】光変調器100は、使用波長における初期位相差がπの第1及び第2のメイ
ンアーム光導波路11a,11bを有するメインマッハツェンダ干渉計11と、第1のメ
インアーム光導波路11aに形成された使用波長における初期位相差が0の第1及び第2
のサブアーム光導波路21a,21bを有する第1のサブマッハツェンダ干渉計21と、
第2のメインアーム光導波路に形成された使用波長における初期位相差が0の第3及び第
4のサブアーム光導波路22a,22bを有する第2のサブマッハツェンダ干渉計22と
を有する。各メインアーム光導波路および第1乃至第4のサブアーム光導波路のうち、少
なくとも高周波電極が形成された部分は、半導体光導波路からなる。 (もっと読む)


【課題】高い励起効率と光子取り出し効率の両方を兼ね備え、バックグラウンド雑音が少ない単一光子発生装置を提供する。
【解決手段】量子ドット4が上部半導体層2と下部半導体層3の間に埋め込まれ、その上部の金属遮光膜5に、開口から金属突起11〜14が張り出した構造を持つ突起付開口6が形成されている。励起光源21から発せられたY方向の偏光を有する励起光は、金属突起13、14からなるアンテナYに共鳴して、量子ドット4を励起する。その後の量子ドットからの発光は、金属突起11、12からなるアンテナXに結合し、X偏光の光子として外部に取り出される。 (もっと読む)


シリコン型光変調素子が、変調効率、及び「チャープ(chirp)」(すなわち、経時変化する光学位相)の制御が改善されたのを呈示し、選択した変調デバイスの第1の領域(例えば、共通ノードとして規定される多結晶シリコン領域)に別個にバイアスをかけることによって提供される。共通ノードはシリコン型光変調素子の電圧振幅をその蓄積領域に遷移することによってバイアスをかけられ、印加電圧(OMAが大きくなる)及び消光比の改善の関数として位相において変化が大きくなることを呈示する。蓄積領域における応答は更に相対的に線形性であり、チャープは更に容易に制御できる。電気変調した入力信号(及び逆位の信号)は別個の入力として、変調素子の各アームの第2の領域(例えば、SOI領域)に印加される。 (もっと読む)


【課題】温度調整型波長可変レーザの温度を変えた場合でも、同一集積素子内の半導体MZ変調器素子の温度を簡単な構成で略一定に保つこと。
【解決手段】光送信装置100は、半導体MZ変調器素子101および温度調整型波長可変レーザ素子102を集積した集積素子103と、嵌通孔105を有するキャリア104と、TEC106,107とを有しており、キャリア104の嵌通孔105上に集積素子103に含まれる半導体MZ変調器素子101と温度調整型波長可変レーザ素子102とを結ぶ導波路が配置されるように集積素子103をキャリア104上に固定している。 (もっと読む)


【課題】本発明は、AD変換器でのサンプリング周波数を電界吸収型光変調器でのサンプリング周波数に同期させることを目的とする。
【解決手段】本願発明の光信号モニタ装置は、光パルス発生器2と、光サンプリングゲートとしての電界吸収型光変調器3と、バイアス電圧発生器4と、受光器5と、AD変換器6と、光カプラ7と、クロック再生器21と、遅延器22と、を備え、等価サンプリング方式で被測定光信号Pxの波形評価を行なう光信号モニタ装置において、受光器5からの電気信号から被測定光信号Pxをサンプリングするサンプリング周波数のクロック信号Esを抽出するクロック再生器21をさらに備え、AD変換器6は、クロック再生器21からのクロック信号Esに同期して電気信号Eyをディジタル信号に変換することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、サンプリングされた電気信号のAD変換の周波数をサンプリング用光パルスに同期させることを目的とする。
【解決手段】本願発明の光信号モニタ装置は、光パルス発生器2と、電界吸収型光変調器3と、バイアス電圧発生器4と、受光器5と、AD変換器6と、光カプラ7と、光パルス周波数検出器21と、遅延器22と、を備え、等価サンプリング方式で被測定光信号Pxの波形評価を行なう光信号モニタ装置において、サンプリング用光パルスPsの繰返し周波数を検出する光パルス周波数検出器21をさらに備え、AD変換器6は、光パルス周波数検出器21の検出する繰返し周波数fに同期して電気信号Eyをディジタル信号Dyに変換することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】数多くの波長が含まれる光信号の波長に依存する経路指定のための装置および方法の提供。
【解決手段】装置は、入力および出力を備える経路指定デバイス5からなる、入力および出力導波管を備える光アッド−ドロップ多重化装置からなる。経路指定デバイス5には、多数の入力を備える分割手段および多数の出力を備える結合手段が含まれる。前記入力13および出力14それぞれの一つは、多重波長入力のために用いられ、一方、別の入力13N−1および別の出力14N−1それぞれは、アッド/ドロップ波長のためにそれぞれ用いられ、またその他の入力および出力13−13N−2;14−14N−2は、残りの波長をループバックするのに用いられる。分割および結合手段の間に数多くの分岐導波管が配置され、波長デマルチプレクシング/マルチプレクシングおよびスイッチングの双方が経路指定デバイス5によって提供される。 (もっと読む)


41 - 50 / 134