【課題】この発明は、所望の群遅延特性を備えた、電界吸収型の光変調装置を提供することを目的とする。
【解決手段】図１において、符号１は、半導体光変調器を指す。実施の形態１の半導体光変調器１は、電界吸収型（ＥＡ変調器とも称される）の光変調器である。符号２は、電極１ａと、入力側線路２０の間に接続されるワイヤを指す。符号３は、半導体光変調器１の電極１ａと出力側線路４の間に接続されるワイヤを指す。符号４は出力側線路、符号５は出力側線路４に直列に接続された抵抗である。出力側線路４と抵抗５は、異なるインピーダンスを備えている。 （もっと読む）

【課題】クロスポイントが５０％からずれた電気波形を出力する際も、良好な出力波形を維持することができるドライバ回路を得る。
【解決手段】初段増幅段Ａ１、２段目増幅段Ａ２及び最終増幅段Ａ３の３段の差動増幅段が直列に接続されている。初段増幅段Ａ１及び２段目増幅段Ａ２に、クロスポイント調整回路ＣＰ１，ＣＰ２がそれぞれ接続されている。クロスポイント調整回路ＣＰ１は、初段増幅段Ａ１の正相と逆相のＤＣレベルの少なくとも一方を制御して、初段増幅段Ａ１の出力信号のクロスポイントを調整する。また、クロスポイント調整回路ＣＰ２は、２段目増幅段Ａ２の正相と逆相のＤＣレベルの少なくとも一方を制御して、２段目増幅段Ａ２の出力信号のクロスポイントを調整する。 （もっと読む）

【課題】別途エッチングストッパ層を追加することなく選択エッチングによりリッジを形成でき、閾値電流が小さく、効率が良いリッジ型半導体レーザを得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０（基板）上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層１２（ｎ型クラッド層）、ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層１６（ＩｎＧａＡｓＰ活性層）、第１のｐ型ＩｎＰクラッド層２０、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２、第２のｐ型ＩｎＰクラッド層２４及びｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２６（ｐ型コンタクト層）が順番に形成されている。そして、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２をエッチングストッパ層として、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２６及び第２のｐ型ＩｎＰクラッド層２４が選択エッチングされてリッジ２８が形成されている。リッジ２８と第１のｐ型ＩｎＰクラッド層２０との間の全面にｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２が存在する。 （もっと読む）

【課題】パターン依存性ジッタが少なく、波形劣化の少ない高速な光パターン信号を発生できるようにする。
【解決手段】クロック信号Ｃに同期したＮＲＺ形式の光パターン信号Ｐａを発生する光パターン信号発生器２１と、その光パターン信号Ｐａをクロック信号Ｃに同期したクロックパルスによって打ち抜いてＲＺ形式の光パターン信号Ｐｂに変換することで、パターン依存性ジッタを低減するデータ形式変換部３０とを有する光信号発生装置２０において、データ形式変換部３０を、クロック信号Ｃに同期し光パターン信号Ｐａの１ビット幅より狭い幅の光クロックパルスＰｃを発生する光クロックパルス発生器３１と、光パターン信号Ｐａと光クロックパルスＰｃとを受け、光クロックパルスＰｃが入射している間だけ光パターン信号Ｐａを通過させるＥＡ変調器３２とにより構成した。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の強度の変調が可能で、高効率化の可能なレーザシステムを提供すること。
【解決手段】本発明は、レーザ光５０を出射するＤＦＢレーザ１０と、レーザ光の強度を変調する半導体光増幅器２０と、変調されたレーザ光５２をレーザ光の高調波である可視光５４に変換する高調波生成素子３０と、を具備するレーザシステムである。本発明によれば、レーザ光の強度の変調が可能で、高効率の高調波生成素子を用いることができ消費電力を削減できる。 （もっと読む）

【課題】緩和時間に制限されない超高速応答が得られる超高速光スイッチを実現する。
【解決手段】超高速光スイッチ１は、光との相互作用が最も大きくなる励起子エネルギー準位と、複数の高次励起子エネルギー準位とを有する励起子２と、励起子エネルギー準位と高次励起子エネルギー準位とを励起可能な入力光３を励起子２に照射する入力光照射器４と、励起子エネルギー準位と高次励起子エネルギー準位とを励起可能な制御光５を励起子２に照射して、複数の励起子エネルギー準位が励起されたことによって生じる振動構造を利用し、励起子２からの応答信号光７の出射を制御する制御光照射器６とを備える。 （もっと読む）

大コア中空金属化導波路１００内の光信号１０８を増幅、変調及び検出するためのナノワイヤの光学的ブロック・デバイス２００、３００、５００、７００が提供される。ナノワイヤの光学的ブロック・デバイス２００は、基板２０２と、基板に結合されてナノワイヤの光学的ブロックを形成する複数のナノワイヤ２０６とを備える。適切に形成されたナノワイヤはそれぞれ、ｐドープ領域、真性領域及びｎドープ領域からなる。ナノワイヤの光学的ブロック２００、３００、５００、７００は、大コア中空金属化導波路１００に挿入され、光信号１０８の増幅、変調及び検出の少なくとも１つを可能にするように動作可能である。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの動作を最適にして、出力電力が大きく電源効率の大きい光マイクロ波変換装置を得る。
【解決手段】光信号発生装置１でマイクロ波の周波数によって強度変調された光信号を発生し、この光信号を光強度変調器４でオンオフ変調することにより半波整流形状に近い形状で強度変調された光信号を発生する。逆バイアス電圧を印加したフォトダイオード５に上記光信号を入力し、フォトダイオード５からマイクロ波電気信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、周波数チャープによる伝送劣化の小さい光送信装置及び光送信方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係る光送信装置は、光を変調する際に位相変調を伴い周波数チャープが発生する光変調器により強度変調して光信号を送信する光送信装置において、周波数チャープの和が概ねゼロとなるαパラメータの第１の光変調器１２及び第２の光変調器１３を用いるか、あるいは、第１の光変調器１２の駆動するデータの値の切替の際に第２の光変調器１３の透過率を減少又は増加して元に戻すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本質的に無損失で繰り返し周波数を低い値に変換した光パルス列を出力することである。
【解決手段】位相変調信号に応じて、入力される光パルス列に位相変調を施す位相変調部２１と、前記位相変調が施された光パルス列に、部分的な時間的Talbot効果に必要な群速度分散を与えて、繰り返し周波数が減じられた光パルス列を出力する群速度分散部２２と、を備える。 （もっと読む）